Второй выпуск курса по основам электроники. Описаны базовые принципы работы PN перехода:потенциальный барьер, прямое и обратное смещение PN перехода, электрический и тепловой пробой, ВАХ PN перехода
Это лучшее видео на ютубе по данным темам. Спасибо Вам большое, все просто и понятно. Вы - один из немногих людей на ютубе, который действительно понимает то, о чем говорит, а не просто зачитывает с книги. Спасибо Вам еще раз, с нетерпением жду продолжения Ваших лекций!
Всегда удивляет, как у классных каналов так мало подписчиков. Как же здорово вы всё излагаете- без воды и лишнего мусора на ушах, всяких преамбул и ненужных повторов с вариациями, от которых сбивается внимание. Спасибо за вашу работу!
Как же вас интересно слушать, сейчас готовлюсь к допуску и сдаче экзаменов в университете, было сложно разобраться, но это ваше видео.. я полчаса слушала и даже не взглянула на время, очень доходчиво и понятно, спасибо огромное. Хочется даже видео не по своей теме посмотреть, а просто так, дополнительно, так интересно и ясно все стало!!
ну сейчас в университете, если зарплату не поднимут, совсем копейки продолжат платить, открою кабинет эзотерики и буду гадать на картах таро и по руке... меня ж все равно интересно слушать )))), и аудитория разрастётся, любителей предсказаний гораздо больше, чем любителей электроники и автоматики :) мне тут уже предлагали начать вести тренинги по психологии ))
@@maxkomogortsev9511 наверное обидно, когда вы столько знаете по элтектротехнике, можете столько всего объяснить и придумать, столько времени сами наверное на учёбу потратили, а с зарплатой такие проблемы. Особенно в то время как какие-то мутные астрологи цветут и пахнут🤷♀️
Спасибо большое!!!! даже ОГРОМНОЕ!!! все максимально просто и понятно! Если бы не вы, не сдал бы зачет. Появилось понимание и все встало на свои места(зачет 3 человека из группы сдали,считая меня) БОЛЬШОЕ СПАСИБО!!!
Огромное спасибо за четкое и понятное объяснение! Слушал долго и записывал! Наконец то эту тему понял! Желаю автору космического здоровья! С меня лайк и подписка!
Спасибо доктор, вы мне глаза открыли)) Я очень рад, я как же рад, я наконец понял суть! Если бы не вы, мне бы пришлось где-то пол года изучить и понять, а вы все доходчиво объяснили за полчаса. Я искренне рад, и спасибо вам большое. Удачи вам в жизни, таких как вы очень мало. Жаль что у вас подписчиков мало. Но у вас много информации по электронике и это пожалуй главное. Спасибо еще раз)))
здела слоев, электрон рекомбинирует с дыркой (которых там огромное количество). В результате рекомбинации образуется отрицательно заряженный ион. Он не может перемещаться, но создает свое электрическое поле. Дырка в области n создаст положительно заряженный ион со своим электрическим полем. Поэтому, все "+"-ки и "-"-сы на рисунке это не дырки и электроны, а ионы. Свободных носителей зарядов в приграничных слоях практически нет (в идеале). Поэтому эти слои объемных зарядов и называют запирающим слоем.
Не точности с 1:57. Механизмом, заставляющим основные носители зарядов перемещаться в смежные области является механизм диффузии. Он связан с наличием разности концентраций. В n-области электронов во много раз больше чем в p-области и наоборот. Из-за этой разности концентраций электроны перемещаются в p-область, а дырки - в n-область. "Перешагнув" условную границу ра
На 2:15 где «там большая плотность дырок - электронам дальше не пройти, а там большая плотность электронов - дыркам не пройти» - ну это как-то запутывает)))
1:55 Электроны, перешедшие в р-область, не создают слой электронов. А дырки в n-область вообще не переходят, они стационарны в решётке р-области. Электроны из n-области рекомбинируют с дырками в р-области и создают слой ионов, потому что нейтральная дырка, приняв электрон, приобретает заряд. А атом донора, который электрон в области n-типа покинул, становится положительным ионом, потому что до этого тоже был нейтральным. В полупроводнике движутся только электроны. Перелетая с одной дырки на другую, они создают иллюзию движения дырок в противоположную сторону. Электроны в р-области дальше не пойдут потому что силовые линии поля у потенциального барьера идут из n в р-область, а электроны движутся только против силовых линий поля. Поэтому процесс формирования перехода заканчивается как только он сформирует барьер. 3:50 У магнитов нет плюса-минуса. У них северный и южный полюса. Дальше не стал смотреть и терять время.
Почему рекомбинация создаёт "слой ионов"? Это же процесс исчезновения "электронно-дырочной пары" и "исчезновения свободных носителей заряда", то есть процесс либо понижения заряда иона, либо его превращения в нейтральный атом, да? Почему "дырка" - нейтральная? Разве она не положительно заряженная? Почему с принятием электрона она приобретает заряд, хотя должна его потерять (типа как +1-1=0)? Вы меня запутали совсем
@@ИринаБаканова-у3д, речь о примесных дырках. Это не атомы кремния, поэтому они нейтральны, а при рекомбинировании заряжаются. В n-области аналогично. У атома донора "лишний" электрон на орбите, и отдавая его, он тоже заряжается, но положительным зарядом. Обменявшись зарядами, приграничные участки р и n-областей создают поле потенциального барьера. Дальнейшее перемещение электронов останавливается, т.к. их движение возможно только против силовых линий поля.
Идея с "магнитиками" в корне неправильная и, даже, вредная. Носители зарядов перемещаются в смежные области не из-за различия знаков зарядов. Движущей силой, которая заставляет их перемещаться - разница их концентраций. Иначе говоря - диффузия. И "+" и "-", которые показаны на границе раздела слоев, это не электроны и дырки, а положительно и отрицательно заряженные ионы, которые образуются в результате рекомбинации переместившшихся носителей заряда. Они образуют области "объемных зарядов", которые неподвижны и не могут создавать электрический ток. Однако, они образуют электрическое поле, которое и порождает "потенциальный барьер". В рассматриваемой структуре ничто не отталкивается и не притягивается (в том числе и при приложении внешнего напряжения). Одновременно действуют две движущие силы, приводящие к перемещению зарядов - диффузия (из-за разности концентраций носителей) и дрейф - перемещение носителей заряда под действием сил со стороны электрического поля. Автор, не вводите в заблуждение.
Хотел уточнить по поводу рекомбинации: Вы пишете, что в смежной области по обе стороны ее границ создаются отрицательно и положительно заряженные ионы, которые в свою очередь создают электрическое поле. Собственно вопрос: почему в этом барьерном слое атомы ионизируются по разному (т.е. положительно и отрицательно), ведь, в моем понимании, тут должна сформироваться зона нейтральных атомов, скомпенсировавших свой недостаток или избыток электронов (т.е. грубо говоря образовать полупроводник ). Соответственно я не могу понять как в этой барьрной зоне может создаваться свое электрическое поле
@@sanyaaa111, распространённое заблуждение, будто атом донора и дырка несут заряды. Они изначально нейтральны, потому что это атомы примесей, а не кремния. У дырки не хватает электрона для ковалентной связи, но она нейтральна. А получив электрон, становится стабильной в решётке, но приобретает заряд. Атом донора аналогично. У него электрон только как бы лишний, но в составе атома он создаёт уравновешивание заряда ядра. А когда покидает атом, то делает его положительным ионом.
Он не автор, а всего лишь попка, повторяет всё ту же чушь, что и все другие. Просто никто понятия не имеет, как это работает, вот и придумали запутаную историю, а по сути пургу.
Здравствуйте, спасибо за инфу. Кое что начинает проясняться в вопросе как электрически подогреть солнечную панель, чтоб очистить ее от снега. Но еще много неизвестного, и поскольку теорию понимаю плохо, похоже надо экспериментировать с током, частотой и реверсом источника питания.
Макс, вы на 13:50 сказали, что у диодов шоттки нет токов утечки. Прошу вас пересмотреть эту точку зрения, возможно даже измерить токи утечек в обычном диоде и шоттки самому дома. От себя скажу что ток утечки в шоттки значительно выше и это один из основных его недостатков
Помним волна элект. магн.. следовательно электрону не обязательно лететь. качнулся создал магнитное, электрическое поле. воздействовал на соседний электрон и волна распространяется. Также если по теории ЭДС на переходе в покое=> должно быть ЭДС между переходом и одним краем, переход и другим краем.
на 5:19 как то не логично все. "дырки не могут пробить слой электронов" зачем им пробивать ? они просто рекомбинируют же. по аналогии с магнитами они + и , притянутся. может все же объяснять с напряженностью ЭМ поля ?
Так понимаю, на границе рn области создаётся потенциальный барьер из отрицательно и положительно заряженных ионов. Почему же "лишний" электрон у акцептора не может перейти обратно через границу к недостающему электрону у донора? Положительные и отрицательные заряды ведь притягиваются, почему же электроны не могут перескочить обратно? Потому что энергия выхода электрона у акцептора наверное выше, чем у донора, поэтому?
на самом деле дырки не движуттся ,это условно так говорят.на деле дыррка исчезает когда на ее месте оказываеится электрон,и затем появляется новая дырка в том месте откуда пришел этот электрон
Ничего это не значит. Просто никто так и не понял, как именно это работает, вот и придумали сказку про белого бычка. Но очень корявая сказочка получилась, тут тебе и притягивающий дырки минус и электроны столпившиеся на краю ПОЛОЖИТЕЛЬНОЙ области, которая мало того, что сама должна их притянуть к себе, так веди еще и их отрицательные соратники должны их отталкнуть туда же, да еще и поле источника их туда гонит. Но нет, они по какой то необъяснимой причине лишь увеличили потенциальный барьер. В общем - чушь.
перестал слушать на 1:42 - и тебе читающий, не советую. Вопрос автору -почему электрон с N области должен притягиваться к дырке в P область, которая очень далека от него? а не притягиваться к дырке в своей области? правильный ответ- происходить образование N-P перехода не из-за электрического притяжения разноименных, а за счет диффузии. Жду объяснений Ваших
Короче ребзя, кто не въехал «дырка» - это свободное место под электрон. Основной материал диода или транзистора это кремний, атом кремния имеет 4 электрона на своей орбите, если кремний легировать алюминием , то в составе кристаллической решетки появятся атомы алюминия которые уже имеют всего 3 электрона на своей орбите, место под 4-й электрон у атома алюминия будет свободно , что и есть дырка. Если приложить напряжение к такому материалу (кремнию легированному алюминием), то начнётся движение электронов, т.е электроны атомов кремния начнутся срываться с места и стремиться перейти на свободное место у атомов алюминия. По факту движется электрон, но принято, что движется как будто дырка. Область P называется так , потому что P - Положительная область, N - Негативная
Конкретно на 6-й минуте идет объяснение потенциального барьера на границе, существование которого приводит к тому, что необходимо приложить не просто большее от нуля по модулю напряжение (+ к p-области и - к n-области), чтобы пошел ток, а такое, которое больше определенного значения (1.1V или 0.5V в зависимости от материала из которого создан диод), которое больше велечины напряжения потенциального барьера.
Все дело в количестве электронов и дырок перешедших не в свои области, так как нет внешнего электрического поля то никто не заставляет основные носители заряда из глубин например N области двигаться на встречу дыркам создающим половину потенциального барьера в N области. Когда области p и N в первый раз соединили часть дырок и электронов рекомбинировала, когда барьер появлялся, но затем свободные электроны у границы PN перехода закончились и рекомбинация приостановилась, т к нет свободных электронов для рекомбинации, а новые не поступают пока на переход не будет воздействовать внешнее электрическое поле. В P области аналогично все происходит
@@maxkomogortsev9511Здравствуйте! В вашей модели не учитывается наличие хаотического движения, потому что только такая модель исключает возможность рекомбинации потенциального барьера
Если при протекании тока через полупроводник электроны улетают, то откуда они возьмутся на другом его конце? 🤔 Или они не улетают, а создают т.н. мост для прохода электронов проводников, подключенных к источнику? Немного запутался...
Электроны никуда не улетают. Они движутся по замкнутому кругу сторонней силой. Поэтому не могут кончиться. Если нет этой силы или замкнутой цепи, тока не будет.
@@maxkomogortsev9511не несите чушь. Нельзя сказать, что они добавляют или убавляют электрон, ведь вместе с ним они добавляют или убавляют протон и нейтрон. Примеси нарушают перфекционизм кристалической решетки. И она пытается его востановить.
Не могу понять, в случае обратного подключения РN перехода. Область Р подключена к минусу, а N к плюсу. Получается что электроны "бегут" от минуса источника в Р область и занимают вакантные дырки. Когда Р область полностью заполниться электронами, то они "побегут через границу" РN перехода в область N. В свою очередь Плюс источника будет притягивать к себе электроны и забирать их из области N образуя в ней вакантные дырки для "бегущих через границу" электронов из области Р. В чем мои заблуждения? Не могу понять? Объясните!
тут такая тема как с магнитиками + притягивается к "-" при обратном включении полюс источника выступает в качестве такого "большого магнита" для электронов и дырок, т.е. + источника притягивает электроны к внешней границе N области, но электроны разумеется не перескакивают в провод, а - источника соответственно притягивает дырки. Работает короче электрическое поле. Электрический ток вообще штука никому до конца непонятная. Электроны вроде бы и бегут по проводам, но физически конечно ни один электрон с электростанции до вашего компьютера дома, например, не добегает =) Почитайте учебники по физике раздел про электрический ток.
Примитивное, с неадекватными аналогиями объяснение pn-перехода. Детали даны неточно, что у слушателя вызывает неверное представление, мешающее в будущем понять некоторые тонкости работы более сложных структур на основе pn-переходов. Для средней школы сгодится, для ВУЗа нет.
нет,ток утечки возникает сразу, при обратном включении пн перехода, а вот туннельный пробой возникает только при превышении максимального допустимого обратного напряжения, внимательно пересмотрите лекцию или обратитесь к учебникам
Автор не розуміє що таке дифузія. Він не єдиний. У багатьох книгах автори професори також неправильно пояснюють явище дифузії, пишуть про якісь дифузійні сили, наприклад.
Все не так ,,,что такое электрон ,что такое дырка ,что такое электрический ток ,что такое электрическое поле ,магнитное поле ,,,,про все это нам впервые написал и раскрыл великий русский ученый Николай Левашов в книге Неоделродная вселенная ,,,автор не обижайся ,прочитай и разберись по настоящему
Носителем заряда эл. тока является электрон, а никакие не дырки. У атомов одно в-ва есть дополнительные электроны на внешних орбитах, у другого - недостаток. Хватит пудрить мозги что какие-то дырки куда-то двигаются.
Это лучшее видео на ютубе по данным темам. Спасибо Вам большое, все просто и понятно. Вы - один из немногих людей на ютубе, который действительно понимает то, о чем говорит, а не просто зачитывает с книги. Спасибо Вам еще раз, с нетерпением жду продолжения Ваших лекций!
Согласен!
++++, ведите у нас физику пж
А ничо Ленин раздухарилси, а то усё в мавзалеи тухнул🐱🐾🍼🐾
Очень доступно все объясняете. По вашей подаче материала учить сплошное удовольствие.)
Всегда удивляет, как у классных каналов так мало подписчиков. Как же здорово вы всё излагаете- без воды и лишнего мусора на ушах, всяких преамбул и ненужных повторов с вариациями, от которых сбивается внимание. Спасибо за вашу работу!
Просто супер лекция!!! Огромное вам спасибо!!! Не останавливайте!!!
Как же вас интересно слушать, сейчас готовлюсь к допуску и сдаче экзаменов в университете, было сложно разобраться, но это ваше видео.. я полчаса слушала и даже не взглянула на время, очень доходчиво и понятно, спасибо огромное. Хочется даже видео не по своей теме посмотреть, а просто так, дополнительно, так интересно и ясно все стало!!
ну сейчас в университете, если зарплату не поднимут, совсем копейки продолжат платить, открою кабинет эзотерики и буду гадать на картах таро и по руке... меня ж все равно интересно слушать )))), и аудитория разрастётся, любителей предсказаний гораздо больше, чем любителей электроники и автоматики :) мне тут уже предлагали начать вести тренинги по психологии ))
@@maxkomogortsev9511 наверное обидно, когда вы столько знаете по элтектротехнике, можете столько всего объяснить и придумать, столько времени сами наверное на учёбу потратили, а с зарплатой такие проблемы. Особенно в то время как какие-то мутные астрологи цветут и пахнут🤷♀️
@@maxkomogortsev9511 Владимир Ильич, Вы за загробныя пахаждения падраскажите🐱🐾🍼🐾
И тада точняк бабло пасыпиться вагонами👏
@@maxkomogortsev9511, наверное у вас это получится лучше, чем объяснять процессы в полупроводниках. 😎
Спасибо мужик, толково рассказал!
Спасибо вам Максим! Благодаря вам сдал базовый курс электротеха в институте
ЛУЧШЕЕ ОБЪЯСНЕНИЕ ВО ВСЁМ ИНТЕРНЕТЕ!!!!!!!!!❤❤❤❤❤❤❤
Спасибо большое!!!! даже ОГРОМНОЕ!!! все максимально просто и понятно! Если бы не вы, не сдал бы зачет. Появилось понимание и все встало на свои места(зачет 3 человека из группы сдали,считая меня) БОЛЬШОЕ СПАСИБО!!!
Спасибо, еще не посмотрел, но уже услышал "нифига не плюсы" и понял что это то, что я искал, буду смотреть!
Огромное спасибо за четкое и понятное объяснение! Слушал долго и записывал! Наконец то эту тему понял! Желаю автору космического здоровья! С меня лайк и подписка!
Мужик ты лучший данес всё чётко и без воды, спасибо тебе.
Спасибо доктор, вы мне глаза открыли)) Я очень рад, я как же рад, я наконец понял суть! Если бы не вы, мне бы пришлось где-то пол года изучить и понять, а вы все доходчиво объяснили за полчаса. Я искренне рад, и спасибо вам большое. Удачи вам в жизни, таких как вы очень мало. Жаль что у вас подписчиков мало. Но у вас много информации по электронике и это пожалуй главное. Спасибо еще раз)))
Огромнейшее спасибо! Всё очень ясно и понятно. И спасибо за специальный бонус на 17’5’’ «зззззззз» 😉👍🏻
Автору респект , все четко и ясно
Спасибо вам большое 😊Все очень понятно,хоть уже и час ночи😂
наконец то я поняла эту тему спасибо!!!
Мужик ты лучший!!! Самое лучшее и самое понятное объяснение что я слышал.Удачи тебе в твои делах.
здела слоев, электрон рекомбинирует с дыркой (которых там огромное количество). В результате рекомбинации образуется отрицательно заряженный ион. Он не может перемещаться, но создает свое электрическое поле. Дырка в области n создаст положительно заряженный ион со своим электрическим полем. Поэтому, все "+"-ки и "-"-сы на рисунке это не дырки и электроны, а ионы. Свободных носителей зарядов в приграничных слоях практически нет (в идеале). Поэтому эти слои объемных зарядов и называют запирающим слоем.
Вот и я думаю, почему они тогда не рекомбинируют между собой.
объяснили лучше и короче чем на паре
Спасибо вам огромное
Лучше подачи информации я ещё не видел. Автор МОЛОДЕЦ!!!
Классно рассказываешь, реально понравилось
Гениально видео , спасибо автору!!!!!!!
Мужик ты гений 👍👍👍
Очень хорошее видео. Спасибо!
Красавчик молодец
Всё подробно объяснил, спасибо
Однозначно ЛАЙК 👍 и подписка.
Вы очень хорошо объясняете, спасибо вам🙏
Не точности с 1:57. Механизмом, заставляющим основные носители зарядов перемещаться в смежные области является механизм диффузии. Он связан с наличием разности концентраций. В n-области электронов во много раз больше чем в p-области и наоборот. Из-за этой разности концентраций электроны перемещаются в p-область, а дырки - в n-область. "Перешагнув" условную границу ра
На 2:15 где «там большая плотность дырок - электронам дальше не пройти, а там большая плотность электронов - дыркам не пройти» - ну это как-то запутывает)))
Он сам не знает, что там происходит.
Эта история как раз для того, что бы запутать. Никто понятия не имеет, как это все работает, вот и придумали такое путаное месиво из пурги и чуши.
1:55 Электроны, перешедшие в р-область, не создают слой электронов. А дырки в n-область вообще не переходят, они стационарны в решётке р-области.
Электроны из n-области рекомбинируют с дырками в р-области и создают слой ионов, потому что нейтральная дырка, приняв электрон, приобретает заряд.
А атом донора, который электрон в области n-типа покинул, становится положительным ионом, потому что до этого тоже был нейтральным.
В полупроводнике движутся только электроны. Перелетая с одной дырки на другую, они создают иллюзию движения дырок в противоположную сторону.
Электроны в р-области дальше не пойдут потому что силовые линии поля у потенциального барьера идут из n в р-область, а электроны движутся только против
силовых линий поля. Поэтому процесс формирования перехода заканчивается как только он сформирует барьер.
3:50 У магнитов нет плюса-минуса. У них северный и южный полюса.
Дальше не стал смотреть и терять время.
Почему рекомбинация создаёт "слой ионов"? Это же процесс исчезновения "электронно-дырочной пары" и "исчезновения свободных носителей заряда", то есть процесс либо понижения заряда иона, либо его превращения в нейтральный атом, да?
Почему "дырка" - нейтральная? Разве она не положительно заряженная? Почему с принятием электрона она приобретает заряд, хотя должна его потерять (типа как +1-1=0)?
Вы меня запутали совсем
@@ИринаБаканова-у3д, речь о примесных дырках. Это не атомы кремния, поэтому они нейтральны, а при рекомбинировании заряжаются. В n-области аналогично. У атома донора "лишний" электрон на орбите, и отдавая его, он тоже заряжается, но положительным зарядом. Обменявшись зарядами, приграничные участки р и n-областей создают поле потенциального барьера. Дальнейшее перемещение электронов останавливается, т.к. их движение возможно только против силовых линий поля.
Супер, молодец!
Хорошее объяснение, только потенциальный барьер измеряется в электронвольтах, а не в вольтах.
Спасибо за комментарий. Действительно некорректно сказал
Супер. Спасибо!
Спасибо огромное
Идея с "магнитиками" в корне неправильная и, даже, вредная. Носители зарядов перемещаются в смежные области не из-за различия знаков зарядов. Движущей силой, которая заставляет их перемещаться - разница их концентраций. Иначе говоря - диффузия. И "+" и "-", которые показаны на границе раздела слоев, это не электроны и дырки, а положительно и отрицательно заряженные ионы, которые образуются в результате рекомбинации переместившшихся носителей заряда. Они образуют области "объемных зарядов", которые неподвижны и не могут создавать электрический ток. Однако, они образуют электрическое поле, которое и порождает "потенциальный барьер". В рассматриваемой структуре ничто не отталкивается и не притягивается (в том числе и при приложении внешнего напряжения). Одновременно действуют две движущие силы, приводящие к перемещению зарядов - диффузия (из-за разности концентраций носителей) и дрейф - перемещение носителей заряда под действием сил со стороны электрического поля. Автор, не вводите в заблуждение.
Хотел уточнить по поводу рекомбинации: Вы пишете, что в смежной области по обе стороны ее границ создаются отрицательно и положительно заряженные ионы, которые в свою очередь создают электрическое поле. Собственно вопрос: почему в этом барьерном слое атомы ионизируются по разному (т.е. положительно и отрицательно), ведь, в моем понимании, тут должна сформироваться зона нейтральных атомов, скомпенсировавших свой недостаток или избыток электронов (т.е. грубо говоря образовать полупроводник ). Соответственно я не могу понять как в этой барьрной зоне может создаваться свое электрическое поле
@@sanyaaa111, распространённое заблуждение, будто атом донора и дырка несут заряды. Они изначально нейтральны,
потому что это атомы примесей, а не кремния. У дырки не хватает электрона для ковалентной связи, но она нейтральна.
А получив электрон, становится стабильной в решётке, но приобретает заряд. Атом донора аналогично. У него электрон
только как бы лишний, но в составе атома он создаёт уравновешивание заряда ядра. А когда покидает атом, то делает его
положительным ионом.
Он не автор, а всего лишь попка, повторяет всё ту же чушь, что и все другие. Просто никто понятия не имеет, как это работает, вот и придумали запутаную историю, а по сути пургу.
Спасибо pn переходу
большой молодец
Спасибо большое!
Здравствуйте, спасибо за инфу. Кое что начинает проясняться в вопросе как электрически подогреть солнечную панель, чтоб очистить ее от снега. Но еще много неизвестного, и поскольку теорию понимаю плохо, похоже надо экспериментировать с током, частотой и реверсом источника питания.
обьяснения с помощью некоторых "магнитиков", которые притягиваются или отталкиваются не корректно и искажает реальную картину.
Так объясните лучше. Я Вас тоже с удовольствием послушаю!
Лайкос
Спасибо 🙈😊👍
Супер
Макс, вы на 13:50 сказали, что у диодов шоттки нет токов утечки. Прошу вас пересмотреть эту точку зрения, возможно даже измерить токи утечек в обычном диоде и шоттки самому дома. От себя скажу что ток утечки в шоттки значительно выше и это один из основных его недостатков
Хорошо. Спасибо за замечание. Обязательно почитаю. В видео исправлю.
@@maxkomogortsev9511, почитать надо было раньше, чем преподавать.
Спасибо
Спасибо!
Владимир Ильич, таки Вы свалили с мавзалею???!!! 🐱🐾🍼🐾
Наши паздравлении и пред Вашим огромным мозгом в изюмлении😻🐾🍻🦞
Топ!
Помним волна элект. магн.. следовательно электрону не обязательно лететь. качнулся создал магнитное, электрическое поле. воздействовал на соседний электрон и волна распространяется. Также если по теории ЭДС на переходе в покое=> должно быть ЭДС между переходом и одним краем, переход и другим краем.
Електрони рухаються не в напрямку поля, а протилежно напрямку поля. Тунельний ефект автор теж не розуміє. Мабуть не вивчав квантову механіку.
на 5:19 как то не логично все.
"дырки не могут пробить слой электронов"
зачем им пробивать ? они просто рекомбинируют же. по аналогии с магнитами они + и , притянутся.
может все же объяснять с напряженностью ЭМ поля ?
Автор, как я написал не знает физику процесса!
А никак это не объяснить на самом деле. Пурга это всё.
👍👍👍
Так понимаю, на границе рn области создаётся потенциальный барьер из отрицательно и положительно заряженных ионов. Почему же "лишний" электрон у акцептора не может перейти обратно через границу к недостающему электрону у донора? Положительные и отрицательные заряды ведь притягиваются, почему же электроны не могут перескочить обратно? Потому что энергия выхода электрона у акцептора наверное выше, чем у донора, поэтому?
Видимо по той же причине, по которой атом натрия, соединившись с атомом хлора, образует соль и не распадается обратно на натрий и хлор.
Здравствуйте! Что значит " дырки движутся" при обратном смещении? Да и вообще в принципе ,
на самом деле дырки не движуттся ,это условно так говорят.на деле дыррка исчезает когда на ее месте оказываеится электрон,и затем появляется новая дырка в том месте откуда пришел этот электрон
Ничего это не значит. Просто никто так и не понял, как именно это работает, вот и придумали сказку про белого бычка. Но очень корявая сказочка получилась, тут тебе и притягивающий дырки минус и электроны столпившиеся на краю ПОЛОЖИТЕЛЬНОЙ области, которая мало того, что сама должна их притянуть к себе, так веди еще и их отрицательные соратники должны их отталкнуть туда же, да еще и поле источника их туда гонит. Но нет, они по какой то необъяснимой причине лишь увеличили потенциальный барьер. В общем - чушь.
перестал слушать на 1:42 - и тебе читающий, не советую. Вопрос автору -почему электрон с N области должен
притягиваться к дырке в P область, которая очень далека от него? а не притягиваться к дырке в своей области? правильный ответ- происходить образование N-P перехода не из-за электрического притяжения разноименных, а за счет диффузии. Жду объяснений Ваших
Короче ребзя, кто не въехал «дырка» - это свободное место под электрон. Основной материал диода или транзистора это кремний, атом кремния имеет 4 электрона на своей орбите, если кремний легировать алюминием , то в составе кристаллической решетки появятся атомы алюминия которые уже имеют всего 3 электрона на своей орбите, место под 4-й электрон у атома алюминия будет свободно , что и есть дырка. Если приложить напряжение к такому материалу (кремнию легированному алюминием), то начнётся движение электронов, т.е электроны атомов кремния начнутся срываться с места и стремиться перейти на свободное место у атомов алюминия. По факту движется электрон, но принято, что движется как будто дырка. Область P называется так , потому что P - Положительная область, N - Негативная
Сам ты нейтральная область. 😂 Негатив и позитив.
6:00 плюс подали к ,,Р", минус к ,,n"", и ток не идет.
23:47 сделали тоже самое, но ток уже идёт.
Не понял.
Конкретно на 6-й минуте идет объяснение потенциального барьера на границе, существование которого приводит к тому, что необходимо приложить не просто большее от нуля по модулю напряжение (+ к p-области и - к n-области), чтобы пошел ток, а такое, которое больше определенного значения (1.1V или 0.5V в зависимости от материала из которого создан диод), которое больше велечины напряжения потенциального барьера.
Нет ни электронов ни дырок в обедненном слое вблизи перехода!
Там только ионы!
Свободные носители заряда ушли, а если появляются, то двигаются электрическим полем, образованным ионами.
11:04 какое то "магнитное притягивание дырок" вместо объяснения, что мешает электронам перейти из P области в N
Сказки для Я! БЕ! ДОВ!😂
надеюсь ты смотрел тот видос.
Наконец то я нашёл единомышленика, который тоже это понял. Надеюсь.
Почему потенциальный барьер не рекомбенируется?
Все дело в количестве электронов и дырок перешедших не в свои области, так как нет внешнего электрического поля то никто не заставляет основные носители заряда из глубин например N области двигаться на встречу дыркам создающим половину потенциального барьера в N области. Когда области p и N в первый раз соединили часть дырок и электронов рекомбинировала, когда барьер появлялся, но затем свободные электроны у границы PN перехода закончились и рекомбинация приостановилась, т к нет свободных электронов для рекомбинации, а новые не поступают пока на переход не будет воздействовать внешнее электрическое поле. В P области аналогично все происходит
@@maxkomogortsev9511Здравствуйте! В вашей модели не учитывается наличие хаотического движения, потому что только такая модель исключает возможность рекомбинации потенциального барьера
Какие-то непонятки. Выкинуть бы это понятие "дырки" и переформулировать все используя только электроны для объяснения диодов.
Тогда сразу станет ясно, что это чушь. А так уже не один десяток лет моги пудрят человекам.
в Утрированном случае, это как? Мне кажется это слово здесь использовано неверно, ибо не соблюдено его значение.
А что за переход на голове, не в квантовую ли механику?
Получается n область заполняется электронами и чуть небольшим количеством свободных электронов ,а в сторону минуса дырки образуется получаются?
А без электронов и дырок нельзя? Нужно пользоваться энергией и её движением в полупроводниках а не движением частиц имеющих массу.
Аллегория с магнитами вообще нЕ ВЕРНА! Механизм и суть потенциального барьера вообще не объяснена! Оценка - 2.
Если при протекании тока через полупроводник электроны улетают, то откуда они возьмутся на другом его конце? 🤔 Или они не улетают, а создают т.н. мост для прохода электронов проводников, подключенных к источнику? Немного запутался...
Электроны никуда не улетают. Они движутся по замкнутому кругу сторонней силой. Поэтому не могут кончиться.
Если нет этой силы или замкнутой цепи, тока не будет.
@@soldervas да, спасибо, разобрался уже)
(основные носители заряда это дырки) - это значит ядра атомов могут свободно перемещаться внутри материала.
А почему слева дырки а справа электроны? Разная обработка кремния?
Там же примеси в кремний добавляют донорные, которые добавляют электронов и акцепторные, которые наоборот делают недостаток электронов
@@maxkomogortsev9511не несите чушь. Нельзя сказать, что они добавляют или убавляют электрон, ведь вместе с ним они добавляют или убавляют протон и нейтрон.
Примеси нарушают перфекционизм кристалической решетки. И она пытается его востановить.
Не могу понять, в случае обратного подключения РN перехода. Область Р подключена к минусу, а N к плюсу. Получается что электроны "бегут" от минуса источника в Р область и занимают вакантные дырки. Когда Р область полностью заполниться электронами, то они "побегут через границу" РN перехода в область N. В свою очередь Плюс источника будет притягивать к себе электроны и забирать их из области N образуя в ней вакантные дырки для "бегущих через границу" электронов из области Р.
В чем мои заблуждения? Не могу понять? Объясните!
тут такая тема как с магнитиками + притягивается к "-" при обратном включении полюс источника выступает в качестве такого "большого магнита" для электронов и дырок, т.е. + источника притягивает электроны к внешней границе N области, но электроны разумеется не перескакивают в провод, а - источника соответственно притягивает дырки. Работает короче электрическое поле. Электрический ток вообще штука никому до конца непонятная. Электроны вроде бы и бегут по проводам, но физически конечно ни один электрон с электростанции до вашего компьютера дома, например, не добегает =) Почитайте учебники по физике раздел про электрический ток.
@@maxkomogortsev9511 теперь понятно, почему долгое время электричество принимали за чудо)
Примитивное, с неадекватными аналогиями объяснение pn-перехода. Детали даны неточно, что у слушателя вызывает неверное представление, мешающее в будущем понять некоторые тонкости работы более сложных структур на основе pn-переходов. Для средней школы сгодится, для ВУЗа нет.
А он ещё и на бОльшую зарплату в ВУЗе рассчитывает. 😎
С дивана виднее@@soldervas
@@АлексейГромовой-н1у, при чём тут диван? Он сам в каком-то ролике, то ли в сообществе, на зарплату жаловался.
@@soldervas причём тут зарплата.
Не позорься
@@АлексейГромовой-н1у, закусывай.
Извините, а дырки в атомах или молекулах?
Дырки -- это то, что осталось от электрона, когда он улетел со своей орбиты.
При чём здесь молекулы 😄
Так это получается, что обратный ток утечки это есть не что иное как тунельный пробой ?
нет,ток утечки возникает сразу, при обратном включении пн перехода, а вот туннельный пробой возникает только при превышении максимального допустимого обратного напряжения, внимательно пересмотрите лекцию или обратитесь к учебникам
Автор не розуміє що таке дифузія. Він не єдиний. У багатьох книгах автори професори також неправильно пояснюють явище дифузії, пишуть про якісь дифузійні сили, наприклад.
Все не так ,,,что такое электрон ,что такое дырка ,что такое электрический ток ,что такое электрическое поле ,магнитное поле ,,,,про все это нам впервые написал и раскрыл великий русский ученый Николай Левашов в книге Неоделродная вселенная ,,,автор не обижайся ,прочитай и разберись по настоящему
ВАХ с 22 минуты.
почему электрон не может пройти сквозь электрон а фотон может?
И фотон не может...
скриптонит
На моєму каналі можна знайти анімаційне пояснення українською.
Физики с этими дырками всех запутали
Плюс не гонит дырки, это вы гоните. Плюс притягивает электроны, минус испускает электроны. Всё остальное бред сивой кобылы.
Ужас!
Носителем заряда эл. тока является электрон, а никакие не дырки. У атомов одно в-ва есть дополнительные электроны на внешних орбитах, у другого - недостаток. Хватит пудрить мозги что какие-то дырки куда-то двигаются.
Если так не пудрить, то по другому не получится, вот и продолжают пороть эту чушь.
Помагешь челик на автоматика
Автор либо не знает, либо не может объяснить физику процесса.
😂😂😂смешно
Спасибо! Красавчик 👍
спасибо!