Электрик с двадцатилетним стажем просмотрел весь урок про диоды. Удивительный преподаватель, не удивлюсь если он имеет докторскую степень. Изложение материала просто шедеврально. Желаю вам крепкого здоровья и долгих лет жизни. Спасибо
Готовлюсь на 2 курсе к экзамену по электронике и совершенно не поняла объяснение принципа работы p-n перехода в книге, решила посмотреть на Ютубе, и наткнулась на ваше видео, поняла гораздо больше, чем за весь семестр дисциплины в вузе) Спасибо вам большое)
Ну, тут качественно и просто объяснили строение. Наверняка в книге объясняли процессы через ширину запрещённой зоны, которую тогда вы не очень хорошо понимали.
А вы что думали состряпали школу и у детей прибавится ума. Нетушки одной школы мало даже специализированой школы мало. Преподаватели вот фундамент знаний.. А у непутевых учителей знание гранит. Чуете разницу. Одним примерным поведением не поумнеешь..
Прекрасное изложение основ физики твёрдого тела. Моя специальность 40+ лет назад. Лектор, кроме знаний, демонстрирует довольно редкий дар преподавателя. Сегодня эта тема так же далека от современных интересов, как и устройство паровой машины, например. Все умные (без тени стёба) IT ребята не смогут, я уверен, объяснить принцип работы полупроводникового диода. Равно как и принцип работы парового двигателя, скорее всего. Удачи и здоровья.
Хотел бы я ,чтоб у меня был такой преподаватель ,как вы.Все максимально понятно ,разжовано, до мелочей,все записи на доске идеально разборчивы .Спасибо вам большое , за ваши уроки !!!
Почему никто никогда не объясняет, как этот чел!?? Блин респект ему, я вот в 34 года вынужден выучить всю электротехнику, и те знания, которые мне давали в школе - вообще были нулевыми по сравнению с тем, как рассказывает и объясняет этот преподаватель... Жесть, только и его уроки ща смотри и вникаю в первого раза... Спасибо
потому что раньше, меня, учили как раз такие челы, 40+ лет назад почти все преподы были такими. Деньги всем всегда нужны были, но тогда денег у всех было немного и примерно поровну. Люди старались выделяться головой. Потом денег резко не стало, и многие преподы побежали в Турцию челночить. Остались учить те, кто ничего не знает, даже где находится та Турция. Ну и талант преподавателя здесь налицо, не всем такое дано. У меня таких преподавателей, к счастью моему, было минимум 6. ПитерскийПолитех конец 1970х. Физика твёрдого тела.
@@mihailgevara9930 Не идеализируй. У меня была перподавательница по ТЭЦ в 2007 году возрастом лет 70. Она ужасно объясняла, орала как умалишенная когда что-то не понимал или допускал ошибку при сборе схемы. У большинства были хреновые преподы. Такие как Павел Виктор, очень редко встречаются.
Не могу не отметить довольно важный момент. На 13:50 вы упоминаете внутренне электрическое поле, но потом про него забываете, и рисуете ВАХ с точкой перегиба в нуле. На практике, и это очень важный момент и для транзисторов и для диодов, существует так называемое напряжение открытия, которое в среднем для кремния 0.6 В, для германия 0.3 В (зависит и от основного материала и от типов примесей). До этого напряжение ток через P-N переход растёт очень неохотно, достигает микроампер, и лишь после достижения напряжения открытия линейный рост сменяется экспоненциальным. Здорово, что нашёлся человек, которые выкладывает целый добротный курс лекции по физике на TH-cam.
В который раз убеждаюсь, что только по методичкам невозможно ничего понять. Только после вашего видео полученная информация наконец нормально разложилась по полочкам в голове. Спасибо вам
В ВУЗе (1 курс) на лабораторных работах проходим полупроводниковые диоды. В методичке написана треть от всего того, что говорится в видео. Большое Вам спасибо!!!
Павел Андреевич, узнал о том, что Вы пострадали от хулиганов. Скорейшего Вам выздоровления!!! Ваше дело правильное- нести знания людям! Спасибо за труды! Позвольте задать, может и глупый, вопрос. Изначально у нас в p-n переходе избыток электронов и дырок в соотв. областях. Электроны из области n не заполняют дырки области p, т.к. препятствует внутреннее поле потенциального барьера. Лишь на границе диффундировали некоторые вглубь друг друга. Здесь все понятно. Но когда мы подаем разность потенциалов в прямом включении, почему бы электронам из n не заполнить дырки в p, на том и остановиться? Получился бы просто обычный кусок полупроводника, где всё связано ковалентными связями. Понимаю, что в n будут положительные ионы донорной примеси, а в p- наоборот. Так у нас электроны продолжают течь к источнику питания, а дырки в другую сторону. Казалось бы, заняли электроны вакантные места в p области и конец току...
При подаче прямого напряжения нет никаких причин чтобы электроны из p области не стекали на анод, а раз стекают значит течет ток ). Не совсем понятно что вы имеете ввиду? электроны в электрическом поле движутся если им никто не препятствует, при прямом напряжении именно такая ситуация: справа падают электроны из n области в p область, а слева они стекают в анод. слева нет барьера, так как контакт металлический и там полно свободных энергетических уровней по величине одинаковых с энергией электронов в p области, значит дорога открыта, с катода тоже электроны легко залетают в n область по той же причине, а на границе электроны падают теряя энергию в виде испускания фотона из n области в p область. т.е. вообще нигде нет преграды.
@@Grector тогда причём тут дырки, если электрон движутся с ваших слов всегда в электрической поле? И если со слов Лектора при прямом включении они начинают дико рекомбинировать, то откуда они появятся после p-области на участке проводника до положительного полюса элемента питания?
@@yuriytheone Не совсем понял, что вы имеете ввиду. Я не говорил, что электроны всегда движутся в электрическом поле. Чтобы был ток, электроны должны находиться в зоне где есть свободные энергетические уровни (в чистом полупроводнике, свободных зон нет, поэтому и тока нет). Вообще Р-N переход является ключевым моментом всей радиоэлектроники. Я не встретил ни одного лектора, который бы понятно объяснил физику процессов проходящих в полупроводнике. Многие годы я не понимал, но однажды вечером я взял листочек бумаги, напряг мозг и через пару часов я раз и навсегда закрыл этот вопрос. Мне кажется ошибкой всех лекторов является преждевременным введением понятия дырки. Дырка - искусственное понятие, в реальности дырки не движутся, но многие начинают путаться и представлять себе положительные заряды способные двигаться. Я считаю, что объяснять p-n переход нужно исключительно через энергетические уровни, и только через электроны не вводя никакие дырки. Если вы хотите понять как все же устроен p-n переход могу объяснить по скайпу. Пишите.
Подробно и понятно. Но, по-моему, на 4 рисунке не полностью раскрыто почему же должен быть ток. Представляется, что свободные электроны должны были дефундировать в область и создать обедненную область в pn переходе.
Блин мне 49 лет и только сейчас я правильно понял откуда появляется внутреннее поле. За счёт ионов элементов 3 и 5 группы. Раньше считал, что за счёт не рекомбенированных электронов. Спасибо.
Спасибо огромное за ваши уроки!Вы очень доступно излагаете материал. Не смотря на все ваши беды благодаря таким преподавателям как вы,я пришел к выводу что лучшие образовательные учреждения были и есть у вас в Одессе, и очень жаль что у нас в России нет таких
ГОСПОДИ! Ну что мешает нашему долбоправительству выделить КАНАЛ на ТВ чтобы там показывать такие уроки! Чтобы в каждой деревне или улусе дети могли УЧИТЬСЯ! АВТОРУ ОГРОМНОЕ ЧЕЛОВЕЧЕСКОЕ СПАСИБО!
скажите пожалуйста, как растёт этот двойной слой при обратном включении? положительный контакт притянул к себе электроны... то есть небольшой заряд перетёк из n п/п в р п/п через аккумулятор (и увеличился двойной слой), а дальнейшего тока нет, потому что положительные ионы двойного слоя притягивают электроны n п/п так же сильно как положительный контакт?
Подскажите пожалуйста 1)чем различается теоретическая и экспериментальная ВАХ? 2)чем обусловлено различие ВАХ германиевого и кремниевого диода при изменении температуры?
Здравствуйте !! Подскажите подскажите , я хочу подключить парочку электро магнитных релле . Есть реле 12v постоянного тока (будет питаться от блока на 12 v) , и реле 220v переменного тока . Как правильно подключить подключить диоды к этим видам реле Я так понял , что на 12 v подсоединить диод на входе питания реле минус диода к + 12v , a плюс диода к - питания , а как быть при переменном 220 v
25:20 Почему ток увеличивается, и концентрация свободных дырок и электронов не падает около металлургической границы, ведь здесь точно также электроны из n-области переходят в p-область, дырки с электронами рекомбинируют, следовательно обеднённый слой должен также увеличиваться .
Извините, еще один вопрос, на 19:05, почему расширяется обеднённый слой? Разве электроны от отрицательного полюса источника, подключенного к краю п/п р-типа не должны рекомбинировать с дырками на краю, в месте контакта? Почему электроны перемещаются к обедненному слою, тем самым расширяя его?
вот вот единственный который встречаю этот вопрос задающий . Тут и в учебниках школы этот эффект толкуется вкорне не правильно. электронам идти обратной проводимости мешает их бедность т.е они не могут из состояния в дирке прыгнуть в состояние вне дирки для этого им нужно получить энергию в виде фотонов света. а в прямом направлении они с радостью дает свою энергию у входа и пригают в дирку и дальше по накатанной под действием напряжения и в результате это энергия в виде света фотодиод или в виде тепла внутренная энергия и поэтому нужни охлаждающий конденсатори для в 200 так я понимаю.
Существуют ли термодиоды? Диоды с небольшой шириной запрещённой зоны ( например 0,035 электронвольт которые перикидывают электроны под действием энергии теплового движения и тем самым являются генераторами электрический энергии?
Мой день не зря прошёл. Начинаю понимать как Ценно иметь знающего свою тему учителя. Мои учителя просто заучивали программу школьную и пересказывали нам сами не понимая предмета. К примеру :электрический ток это упорядоченое движение положительно заряженых частиц-электронов. А тут положитеьными носителями зарядов являются дырки. Мне легко даётся философия на этом и остановлюсь..Видать склад ума у меня такой Хиповый.
@@pvictor54 я прослушал лекцию про р-н переходы ивсе встало на свои места . Вы атомы назвали ионами у которых появились вакантные места неспроста. Из этого следует что истиными носителями эл.энергии являються ионы .А рекомбинация дырок и электронов есть ничто иное как следствие прохлждния тока в материи.. Большое спасибо что удели мне время .Более не смею вас отвлекать своими домыслами.
Павел Андреевич! У меня практический вопрос о регулировке яркости в светодиодах. Можно ли (при прямом включении) увеличивая напряжение источника тока добиться увеличения яркости светодиодной лампы? Или дело в том, что концентрация свободных электронов в п/п намного ниже, чем (например) у вольфрамовой нити обычной лампы и нужно слишком большое изменение напряжения для ощутимого изменения яркости? Буду очень благодарен за пояснение!
Зависимость прямого тока диода от напряжения на лампе очень резкая (экспоненциальная). А яркость светодиода пропорциональна силе тока в светодиоде. Поэтому лучше поддерживать и регулировать не напряжение,а именно силу тока.
Просто очень интересно все это! Хотя оно мне вообще не нужно, от слова совсем. Залипаю по интересу. Что за тяга такая хз... Учитель просто Красава! Магнит!
Во-первых, у таких диодов специфическая вольт-амперная характеристика, чем-то сходная с ВАХ стабилитрона. Это позволяет использовать несимметричные диоды для защиты от перепадов напряжения в электронных устройствах (так называемые супрессоры). Во-вторых, эти диоды можно использовать для генерирования СВЧ-колебаний (лавинно-пролетные диоды).
Виктор простите за дерзость но на 12:30 нужно уточнить ,что остаются некомпенсированные ионы и как следствие возникает поле. А то по - вашему там ничего не остается вообще. Хорошо про это написано в википедии: *Как следствие, вблизи границы между областями практически не будет свободных (подвижных) основных носителей заряда, но останутся ионы примесей с некомпенсированными зарядами[1]. Область в полупроводнике p-типа, которая примыкает к границе, получает при этом отрицательный заряд, приносимый электронами, а пограничная область в полупроводнике n-типа получает положительный заряд, приносимый дырками (точнее, теряет уносимый электронами отрицательный заряд).*
19:08 - так почему после включения внешнего поля, сонаправленного со внутреним, больше электронов переходит влево? разве не должнобыть наоборот? электрическое поле направлено туда, куда направлена электрическая сила кулоновского поля, действующего на положительный заряд, а не на отрицательный. объясните пожалуйста, где я ошибаюсь
Электрическая сила при таком включении будет "тянуть" электроны вправо, препятствуя их проникновению из n-области в р-область. Та что вы не ошибаетесь.
там учитель перепутал рисунок но это все равно ничего не даст поскольку это самое неправильное объяснения проводимости пн перехода как и во всех учебниках
Спасибо, очень хорошо объясняете. Но я не понял лишь один момент. При соединении p и n полупроводников происходит рекомбинация, образуются на границах нейтральные атомы. А потом вы говорите, что погорячились. А дальше я не понял. Почему они имеют отрицательный заряд в p области, а положительный в n области. Если они имеют заряд, значит у них есть свободные электроны и дырки? Но на графике свободных зарядов там нет. Откуда у них появился заряд?
Это положительный заряд доноров, которые стали ионами, когда от них оторвался электрон, и отрицательный заряд акцепторов, которые были нейтральными до того, как захватили электрон.
21:10 Подскажите, пожалуйста, почему в этом (третьем) случае электроны, которые находятся справа, просто не перейдут сначала на положительную клемму источника тока, затем за счет внутренних его сил на отрицательную клемму, а затем под действием поля займут вакантные места? Почему они не пойдут влево через сам p-n-переход, вы объяснили в предыдущем случае, а почему не пойдут через верх нарисованной цепи - не совсем понятно
Правильно ли я Вас понимаю, что свободные электроны из n-области через границу переходят в р-область только в определенном количестве? Далее эти свободные электроны присоединяются к атому акцепторной примеси, путем замещения вакантного места в его ковалентной связи, что и есть рекомбинация. Далее этот атом акцепторной примеси превращается в отрицательный ион, потому что место дырки занял лишний электрон. Я правильно понял, как происходит образование отрицательного заряда на границе на р-стороне? А как все таки происходит образование положительного заряда на границе на n-стороне? Потому что уходят свободные электроны у донорной примеси и атом донорной примеси превращается в положительный ион? Верно ли что по металлургической границе после диффундирования располагаются с обоих сторон разнозаряженные ионы,, которые и препятствуют дальнейшему диффундированию своим электрическим полем?
@@pvictor54 Но положительный ион в n-области на границе ведь создаёт электрическое поле. Почему же свободные электроны, находящиеся дальше от границы, имеющие отрицательный заряд, не присоединяются к положительному иону под действием электрического поля? Ведь они разноименно заряжены, и должны притягиваться. Или их не пускает электрическое поле отрицательных ионов со стороны р-области?
Скажите пожалуйста, в прямом включении ,например кремниевый диод, чтобы открылся необходимо подать напряжение примерно 0,6вольта. Такой уровень необходим чтобы подавить внутреннее электрическое поле?
Павел ВИКТОР можно ещё уточнить, во втором рисунке когда происходит диффузия и далее рекомбинация получается нейтральная зона. Далее доноров появляется положительный заряд. Откуда он берется, ведь в n-области есть избыток электрона, и если электрон уходит, то атом остаётся нейтрален?
ну там да есть ошибка. Правда ошибка в букве указанной, дырки в качестве основных носителей заряда в П полупроводнике. Ну опечатка не особо заметная, просто надо было написать не по русской букве П а на лат. P. Но думаю если прислушаться это в принципе не заметно. Сказано было правильно
В основе p-n перехода лежит кремний и в него добавлена примесь. Скажите, а пока примесь не добавили, кусок чистого кремния без примеси способен пропускать электрический ток?
вот самое начало.. 4:38 как может "дырка" быть носителем заряда?? ведь это атом после якобы "выбивания электрона фотоном" становится поляризован (заряд протонов не скомпенсирован)! ну и далее про основные/не основные носители.. лишь в ходе дальнейших объяснений все проясняется))
А если переход несимметричный, то есть, например, концентрация дырок больше концентрации электронов, то в каком месте перехода удельное сопротивление будет больше? Заранее благодарю!
Если концентрация дырок в дырочном полупроводнике больше, чем концентрация электронов в электронном, то обедненная область в электронном полупроводнике будет шире, чем в дырочном. Думаю, что область максимального удельного сопротивления сдвинется в электронный полупроводник. Хотя, если серьёзно, это нужно просчитать более строго.
Хорошо быть учёным,много знают,понимают и электроны знают и прости господи, дырки какие то,которые что то куда то проводят,прям завидую! Думаю что надо самому поумнеть,посмотрел википедию про электрон,а там написан какой то ужас,мол эта частица предполагаемая,аж охренел и даже есть преполаемый её вес,тут я совсем обалдел,то,не знаю что,оказывается что то весит! Вот это да и перестал умничать!
А я вот все никак не понимаю, почему под действием внешнего поля не может начаться процесс, обратный рекомбинации? Неужели валентные связи настолько сильны, что так легко образуются, но обратно распадаться не хотят? Если это так, то получается, что после снятия напряжения область обедненного слоя должна остаться такой же большой, какой она была и при напряжении?
Павел Андреевич, я пропускаю постоянный ток через диод. На концах диода измеряю напряжение вольтметром. Оно около 0.65 вольта. При этом когда я нагреваю диод, то напряжение на диоде начинает уменьшаться. Я знаю, что при нагреве увеличивается количество неосновных частиц и вследствии увеличивается ток. Но почему уменьшается напряжение потенциального барьера (этого внутреннего поля)?
Если увеличивать температуру, то снижается сопротивление перехода за счет появления неосновных носителей, а значит при фиксированном токе падение напряжения на переходе становится меньше.
Пожалуйста объсните, из химии известно что донорно акцепторная связь существует в: NH4+, H3O+, все соли аммония, HNO3, нитраты, N2O5, N2O, O3, CO и в комплексных соединениях. Но как может образоваться донорно акцепторный связь в Si+As или Si+In?
![[TH] 2024 PMSL SEA GF D2 | Summer | ร่วมส่งแรงใจ เชียร์ไทยไปพร้อมกัน](http://i.ytimg.com/vi/dN2gLsCJ0T0/mqdefault.jpg)
Электрик с двадцатилетним стажем просмотрел весь урок про диоды. Удивительный преподаватель, не удивлюсь если он имеет докторскую степень. Изложение материала просто шедеврально. Желаю вам крепкого здоровья и долгих лет жизни. Спасибо
Руслан ,зачем собственно,электрику смотреть про диоды и вникать в суть,когда ваша задачи сидеть на ЛЭП с отвёрткой?
@@OnePunchman-jl9fe Сергей, зачем вам писать комментарии? Ваша задача совсем другая!
@@OnePunchman-jl9fe еба хамло малолетнее
На дистанте только Вы и спасаете, удивительный учитель, великолепная подача материала, слушать - одно удовольствие!
Отличная лекция. Как бывший физик-теоретик восхищен уровнем изложения. Без единой формулы возникает понимание на качественном уровне.
Огромное спасибо вам за ваши лекции, от всего сердца вам желаю крепкого здоровья !!!!!!!!!
Готовлюсь на 2 курсе к экзамену по электронике и совершенно не поняла объяснение принципа работы p-n перехода в книге, решила посмотреть на Ютубе, и наткнулась на ваше видео, поняла гораздо больше, чем за весь семестр дисциплины в вузе)
Спасибо вам большое)
Ну, тут качественно и просто объяснили строение. Наверняка в книге объясняли процессы через ширину запрещённой зоны, которую тогда вы не очень хорошо понимали.
студент иу4, разлогинься!
Большое спасибо за уроки!
Эх.таких бы учителей побольше в нашу многострадальную страну...
Побольше учителей уже не будет. Теперь вся надежда на побольше хороших учеников! На вас, ребята!
А вы что думали состряпали школу и у детей прибавится ума. Нетушки одной школы мало даже специализированой школы мало. Преподаватели вот фундамент знаний.. А у непутевых учителей знание гранит. Чуете разницу.
Одним примерным поведением не поумнеешь..
Прекрасное изложение основ физики твёрдого тела. Моя специальность 40+ лет назад. Лектор, кроме знаний, демонстрирует довольно редкий дар преподавателя.
Сегодня эта тема так же далека от современных интересов, как и устройство паровой машины, например. Все умные (без тени стёба) IT ребята не смогут, я уверен, объяснить принцип работы полупроводникового диода. Равно как и принцип работы парового двигателя, скорее всего.
Удачи и здоровья.
Потрясающе! Очень грамотно, подробно, да еще и с практическим применением - спасибо Вам:)
Хотел бы я ,чтоб у меня был такой преподаватель ,как вы.Все максимально понятно ,разжовано, до мелочей,все записи на доске идеально разборчивы .Спасибо вам большое , за ваши уроки !!!
Спасибо огромное за шикарное объяснение. Сдавала зачет по электронным приборам, попался вопрос про p-n переход :( Это видео просто спасло!!!
Благодарю за интересные лекции! Так понятно излагать может только учитель от Бога.
Почему никто никогда не объясняет, как этот чел!?? Блин респект ему, я вот в 34 года вынужден выучить всю электротехнику, и те знания, которые мне давали в школе - вообще были нулевыми по сравнению с тем, как рассказывает и объясняет этот преподаватель... Жесть, только и его уроки ща смотри и вникаю в первого раза... Спасибо
потому что раньше, меня, учили как раз такие челы, 40+ лет назад почти все преподы были такими. Деньги всем всегда нужны были, но тогда денег у всех было немного и примерно поровну. Люди старались выделяться головой. Потом денег резко не стало, и многие преподы побежали в Турцию челночить. Остались учить те, кто ничего не знает, даже где находится та Турция.
Ну и талант преподавателя здесь налицо, не всем такое дано.
У меня таких преподавателей, к счастью моему, было минимум 6. ПитерскийПолитех конец 1970х. Физика твёрдого тела.
@@mihailgevara9930 Не идеализируй. У меня была перподавательница по ТЭЦ в 2007 году возрастом лет 70. Она ужасно объясняла, орала как умалишенная когда что-то не понимал или допускал ошибку при сборе схемы. У большинства были хреновые преподы. Такие как Павел Виктор, очень редко встречаются.
Не могу не отметить довольно важный момент. На 13:50 вы упоминаете внутренне электрическое поле, но потом про него забываете, и рисуете ВАХ с точкой перегиба в нуле. На практике, и это очень важный момент и для транзисторов и для диодов, существует так называемое напряжение открытия, которое в среднем для кремния 0.6 В, для германия 0.3 В (зависит и от основного материала и от типов примесей). До этого напряжение ток через P-N переход растёт очень неохотно, достигает микроампер, и лишь после достижения напряжения открытия линейный рост сменяется экспоненциальным.
Здорово, что нашёлся человек, которые выкладывает целый добротный курс лекции по физике на TH-cam.
огромное спасибо за уроки! учусь в физмат лицее, после Ваших уроков приходит полное понимание темы)
Спасибо большое! Вы очень хороший учитель)
Да... Это надо уметь рассказать не только понятно, но и интересно. Спасибо огромное
В который раз убеждаюсь, что только по методичкам невозможно ничего понять. Только после вашего видео полученная информация наконец нормально разложилась по полочкам в голове. Спасибо вам
Шикарно! Гораздо доступней и увлекательней, чем в школе!
Настоящий педагог. Очень приятно вас слушть!
Спасибо Вам огромное !! Второй курс. В методичке по практикуму ничего не понял, а БЛАГОДАРЯ ВАМ взял и ПОНЯЛ )))) Здоровья Вам и Всего НАИЛУЧШЕГО !!!!
Красиво рисует. Ну и объясняет доходчиво. Молодец. Спасибо.
Шикарные лекции. Спасибо.
Спасибо!Очень занимательно!Смотрю Ваши уроки по несколько раз!
Огромное спасибо, за доступное и подробное объяснение материала.
Спасибо вам огромное! Я начинающии учитель физики, уроки провожу точь в точь как вы, я весь ваш урок от точки до точки передаю ребятам.
Бог наградить ваши труды. Спасибо
Спасибо огромное! Благодаря вам интерес к физике не угасает
Великолепная лекция! Огромное спасибо) нереально интересно
Спасибо за Ваш труд! Очень помогли подготовиться к экзамену!
Это лучшее что я видел по этой теме.
Спасибо ОГРОМНОЕ, все очень понятно объясняете!!!!
Спасибо , доступно , понятно , здорово!
Большое Спасибо за уроки!
Вы самый лучший преподаватель!
Спасибо вам большое!!! Вы молодец!!! Отлично объясняете!!!
Я сейчас это в университете изучаю. Но почему в моей школе мы так подробно, как у вас на уроке, проводники мы не изучали. 🤔
век живи век учись)лол
Мы изучали.
у вас школа непрофильная значит была
В физико-математических изучают
Предложение составлено бредово, не читается. Тренируйся излагать мысли!
В ВУЗе (1 курс) на лабораторных работах проходим полупроводниковые диоды. В методичке написана треть от всего того, что говорится в видео. Большое Вам спасибо!!!
Павел Андреевич, узнал о том, что Вы пострадали от хулиганов. Скорейшего Вам выздоровления!!! Ваше дело правильное- нести знания людям! Спасибо за труды!
Позвольте задать, может и глупый, вопрос. Изначально у нас в p-n переходе избыток электронов и дырок в соотв. областях. Электроны из области n не заполняют дырки области p, т.к. препятствует внутреннее поле потенциального барьера. Лишь на границе диффундировали некоторые вглубь друг друга. Здесь все понятно. Но когда мы подаем разность потенциалов в прямом включении, почему бы электронам из n не заполнить дырки в p, на том и остановиться? Получился бы просто обычный кусок полупроводника, где всё связано ковалентными связями. Понимаю, что в n будут положительные ионы донорной примеси, а в p- наоборот. Так у нас электроны продолжают течь к источнику питания, а дырки в другую сторону. Казалось бы, заняли электроны вакантные места в p области и конец току...
При подаче прямого напряжения нет никаких причин чтобы электроны из p области не стекали на анод, а раз стекают значит течет ток ). Не совсем понятно что вы имеете ввиду? электроны в электрическом поле движутся если им никто не препятствует, при прямом напряжении именно такая ситуация: справа падают электроны из n области в p область, а слева они стекают в анод. слева нет барьера, так как контакт металлический и там полно свободных энергетических уровней по величине одинаковых с энергией электронов в p области, значит дорога открыта, с катода тоже электроны легко залетают в n область по той же причине, а на границе электроны падают теряя энергию в виде испускания фотона из n области в p область. т.е. вообще нигде нет преграды.
@@Grector тогда причём тут дырки, если электрон движутся с ваших слов всегда в электрической поле? И если со слов Лектора при прямом включении они начинают дико рекомбинировать, то откуда они появятся после p-области на участке проводника до положительного полюса элемента питания?
@@yuriytheone Не совсем понял, что вы имеете ввиду. Я не говорил, что электроны всегда движутся в электрическом поле. Чтобы был ток, электроны должны находиться в зоне где есть свободные энергетические уровни (в чистом полупроводнике, свободных зон нет, поэтому и тока нет). Вообще Р-N переход является ключевым моментом всей радиоэлектроники. Я не встретил ни одного лектора, который бы понятно объяснил физику процессов проходящих в полупроводнике. Многие годы я не понимал, но однажды вечером я взял листочек бумаги, напряг мозг и через пару часов я раз и навсегда закрыл этот вопрос. Мне кажется ошибкой всех лекторов является преждевременным введением понятия дырки. Дырка - искусственное понятие, в реальности дырки не движутся, но многие начинают путаться и представлять себе положительные заряды способные двигаться. Я считаю, что объяснять p-n переход нужно исключительно через энергетические уровни, и только через электроны не вводя никакие дырки. Если вы хотите понять как все же устроен p-n переход могу объяснить по скайпу. Пишите.
Все понятно, вы лучший!
Шикарный почерк!
Подробно и понятно. Но, по-моему, на 4 рисунке не полностью раскрыто почему же должен быть ток. Представляется, что свободные электроны должны были дефундировать в область и создать обедненную область в pn переходе.
Спасибо Павел, буду теперь в курсе про диоды!!!!!
Блин мне 49 лет и только сейчас я правильно понял откуда появляется внутреннее поле. За счёт ионов элементов 3 и 5 группы. Раньше считал, что за счёт не рекомбенированных электронов. Спасибо.
СПАСИБО ДРУГ !!! ВСЕ ДОСТУПНО И ПОЧТИ ПОНЯТНО ДЛЯ НОВИЧКА ПРОЦ НА 70% Я ВСЕ ПОНЯЛ ОСТАЛЬНОЕ ДОУЧУ..🤗🤗🤗 А И ЧЕРТИТЕ ВЫ СУПЕР..
Огромное Вам спасибо!
Если бы у меня был такой учитель физики, как Вы, я бы её обожала) спасибо большое
Типичный коммент распиздяя
@@yuriytheone что есть, то есть
Спасибо за урок
Блииин... Если бы у меня был такой учитель, я бы все равно ничего не понял!Спасибо!
Понятно, коротко, наглядно.
третья ножка лазерного диода это обычно катод встроенного фотодиода. Его используют для стабилизации излучения и защиты кристалла.
Мне бы такого учителя физики в школе.
4:42 опечатка? "дырки - в n-п/п" --> "дырки - в p-п/п" - основные носители
Да, опечатка. Хотя словами сказано правильно.
Спасибо огромное за ваши уроки!Вы очень доступно излагаете материал. Не смотря на все ваши беды благодаря таким преподавателям как вы,я пришел к выводу что лучшие образовательные учреждения были и есть у вас в Одессе, и очень жаль что у нас в России нет таких
Есть России множество отличных образовательных учреждений с очень хорошими преподавателями.
@@user-ie4gt1cb4z подскажите где?:)
ГОСПОДИ! Ну что мешает нашему долбоправительству выделить КАНАЛ на ТВ чтобы там показывать такие уроки! Чтобы в каждой деревне или улусе дети могли УЧИТЬСЯ!
АВТОРУ ОГРОМНОЕ ЧЕЛОВЕЧЕСКОЕ СПАСИБО!
Вы Молодец!!!
Спасибо.
Павел Андреевич, а почему направление внутреннего тока 13:48 в pn-переходе совпадает с направлением движения электронов?
скажите пожалуйста, как растёт этот двойной слой при обратном включении? положительный контакт притянул к себе электроны... то есть небольшой заряд перетёк из n п/п в р п/п через аккумулятор (и увеличился двойной слой), а дальнейшего тока нет, потому что положительные ионы двойного слоя притягивают электроны n п/п так же сильно как положительный контакт?
Спасибо Вам!
Спасибо за урок все понятно и увлекательно, заметил маленькую опечатку на 4:37 заместо "p" проводника написали "n" не много сбило с толку,
Да, там действительно описка. Кстати, ее уже заметили другие зрители примерно год назад.
описка вызвана созвучием латинской буквы p и русской буквы п (в письменном варианте)
@@debbig2924 созвучие в письменном варианте
Большое спасибо!
Подскажите пожалуйста
1)чем различается теоретическая и экспериментальная ВАХ?
2)чем обусловлено различие ВАХ германиевого и кремниевого диода при изменении температуры?
Не знаю зачем я это смотрю в 2 часа ночи пятницы, но это затягивает )
Завидую)
Спасибо!
Лучший препод на свете
Здравствуйте !! Подскажите подскажите , я хочу подключить парочку электро магнитных релле . Есть реле 12v постоянного тока (будет питаться от блока на 12 v) , и реле 220v переменного тока . Как правильно подключить подключить диоды к этим видам реле Я так понял , что на 12 v подсоединить диод на входе питания реле минус диода к + 12v , a плюс диода к - питания , а как быть при переменном 220 v
Павел, скажите пож-ста:
Как на свойства р-n перехода влияет выбор типа полупроводника? то есть материал полупроводника
25:20 Почему ток увеличивается, и концентрация свободных дырок и электронов не падает около металлургической границы, ведь здесь точно также электроны из n-области переходят в p-область, дырки с электронами рекомбинируют, следовательно обеднённый слой должен также увеличиваться .
Извините, еще один вопрос, на 19:05, почему расширяется обеднённый слой? Разве электроны от отрицательного полюса источника, подключенного к краю п/п р-типа не должны рекомбинировать с дырками на краю, в месте контакта? Почему электроны перемещаются к обедненному слою, тем самым расширяя его?
вот вот единственный который встречаю этот вопрос задающий . Тут и в учебниках школы этот эффект толкуется вкорне не правильно. электронам идти обратной проводимости мешает их бедность т.е они не могут из состояния в дирке прыгнуть в состояние вне дирки для этого им нужно получить энергию в виде фотонов света. а в прямом направлении они с радостью дает свою энергию у входа и пригают в дирку и дальше по накатанной под действием напряжения и в результате это энергия в виде света фотодиод или в виде тепла внутренная энергия и поэтому нужни охлаждающий конденсатори для в 200 так я понимаю.
Это сокровище.
Существуют ли термодиоды? Диоды с небольшой шириной запрещённой зоны ( например 0,035 электронвольт которые перикидывают электроны под действием энергии теплового движения и тем самым являются генераторами электрический энергии?
Подскажите пожалуйста, как звучит правильно ответ на такой вопрос? "Как создаются основные и не основные носители заряда".
Мой день не зря прошёл. Начинаю понимать как Ценно иметь знающего свою тему учителя. Мои учителя просто заучивали программу школьную и пересказывали нам сами не понимая предмета.
К примеру :электрический ток это упорядоченое движение положительно заряженых частиц-электронов.
А тут положитеьными носителями зарядов являются дырки.
Мне легко даётся философия на этом и остановлюсь..Видать склад ума у меня такой
Хиповый.
Вообще то электроны имеют отрицательный заряд.
@@pvictor54 я прослушал лекцию про р-н переходы ивсе встало на свои места .
Вы атомы назвали ионами у которых появились вакантные места неспроста.
Из этого следует что истиными носителями эл.энергии являються ионы .А рекомбинация дырок и электронов есть ничто иное как следствие прохлждния тока в материи..
Большое спасибо что удели мне время .Более не смею вас отвлекать своими домыслами.
Павел Андреевич! У меня практический вопрос о регулировке яркости в светодиодах. Можно ли (при прямом включении) увеличивая напряжение источника тока добиться увеличения яркости светодиодной лампы?
Или дело в том, что концентрация свободных электронов в п/п намного ниже, чем (например) у вольфрамовой нити обычной лампы и нужно слишком большое изменение напряжения для ощутимого изменения яркости? Буду очень благодарен за пояснение!
Зависимость прямого тока диода от напряжения на лампе очень резкая (экспоненциальная). А яркость светодиода пропорциональна силе тока в светодиоде. Поэтому лучше поддерживать и регулировать не напряжение,а именно силу тока.
Спасибо
Ай красавчек !
Просто очень интересно все это! Хотя оно мне вообще не нужно, от слова совсем. Залипаю по интересу. Что за тяга такая хз...
Учитель просто Красава! Магнит!
Спасибо за видео. Скажите, какая цель преследуется при создании несимметричного диода, где концентрация дырок больше концентрации электронов?
Во-первых, у таких диодов специфическая вольт-амперная характеристика, чем-то сходная с ВАХ стабилитрона. Это позволяет использовать несимметричные диоды для защиты от перепадов напряжения в электронных устройствах (так называемые супрессоры). Во-вторых, эти диоды можно использовать для генерирования СВЧ-колебаний (лавинно-пролетные диоды).
Виктор простите за дерзость но на 12:30 нужно уточнить ,что остаются некомпенсированные ионы и как следствие возникает поле. А то по - вашему там ничего не остается вообще. Хорошо про это написано в википедии: *Как следствие, вблизи границы между областями практически не будет свободных (подвижных) основных носителей заряда, но останутся ионы примесей с некомпенсированными зарядами[1]. Область в полупроводнике p-типа, которая примыкает к границе, получает при этом отрицательный заряд, приносимый электронами, а пограничная область в полупроводнике n-типа получает положительный заряд, приносимый дырками (точнее, теряет уносимый электронами отрицательный заряд).*
Павел Андреевич, а мне вот интересно. Кто придумал эту технологию?
Этот человек наверняка должен быть в список самых важных изобреталей
19:08 - так почему после включения внешнего поля, сонаправленного со внутреним, больше электронов переходит влево? разве не должнобыть наоборот? электрическое поле направлено туда, куда направлена электрическая сила кулоновского поля, действующего на положительный заряд, а не на отрицательный. объясните пожалуйста, где я ошибаюсь
Электрическая сила при таком включении будет "тянуть" электроны вправо, препятствуя их проникновению из n-области в р-область. Та что вы не ошибаетесь.
там учитель перепутал рисунок но это все равно ничего не даст поскольку это самое неправильное объяснения проводимости пн перехода как и во всех учебниках
Сайгидахмед Сайгидамиров а какое правильное?)
Например если из n перехода электроны переходят в дырку Сайгидахмеда, вот самое правильное объяснение.
Хорошо бы это увидеть через сверхмощный микроскоп...и видео заснять)))))) а так класс преподователю!!!!!
Спасибо, очень хорошо объясняете. Но я не понял лишь один момент. При соединении p и n полупроводников происходит рекомбинация, образуются на границах нейтральные атомы. А потом вы говорите, что погорячились. А дальше я не понял. Почему они имеют отрицательный заряд в p области, а положительный в n области. Если они имеют заряд, значит у них есть свободные электроны и дырки? Но на графике свободных зарядов там нет. Откуда у них появился заряд?
Это положительный заряд доноров, которые стали ионами, когда от них оторвался электрон, и отрицательный заряд акцепторов, которые были нейтральными до того, как захватили электрон.
21:10
Подскажите, пожалуйста, почему в этом (третьем) случае электроны, которые находятся справа, просто не перейдут сначала на положительную клемму источника тока, затем за счет внутренних его сил на отрицательную клемму, а затем под действием поля займут вакантные места? Почему они не пойдут влево через сам p-n-переход, вы объяснили в предыдущем случае, а почему не пойдут через верх нарисованной цепи - не совсем понятно
Ну, вероятно из-за разности потенциалов. Иначе вместо резисторов использовали бы элементы питания....
Правильно ли я Вас понимаю, что свободные электроны из n-области через границу переходят в р-область только в определенном количестве? Далее эти свободные электроны присоединяются к атому акцепторной примеси, путем замещения вакантного места в его ковалентной связи, что и есть рекомбинация. Далее этот атом акцепторной примеси превращается в отрицательный ион, потому что место дырки занял лишний электрон. Я правильно понял, как происходит образование отрицательного заряда на границе на р-стороне?
А как все таки происходит образование положительного заряда на границе на n-стороне? Потому что уходят свободные электроны у донорной примеси и атом донорной примеси превращается в положительный ион?
Верно ли что по металлургической границе после диффундирования располагаются с обоих сторон разнозаряженные ионы,, которые и препятствуют дальнейшему диффундированию своим электрическим полем?
Да, правильно.
@@pvictor54 Но положительный ион в n-области на границе ведь создаёт электрическое поле. Почему же свободные электроны, находящиеся дальше от границы, имеющие отрицательный заряд, не присоединяются к положительному иону под действием электрического поля? Ведь они разноименно заряжены, и должны притягиваться. Или их не пускает электрическое поле отрицательных ионов со стороны р-области?
Скажите пожалуйста, в прямом включении ,например кремниевый диод, чтобы открылся необходимо подать напряжение примерно 0,6вольта. Такой уровень необходим чтобы подавить внутреннее электрическое поле?
Совершенно верно.
Павел ВИКТОР можно ещё уточнить, во втором рисунке когда происходит диффузия и далее рекомбинация получается нейтральная зона. Далее доноров появляется положительный заряд. Откуда он берется, ведь в n-области есть избыток электрона, и если электрон уходит, то атом остаётся нейтрален?
Атом нейтрален как раз пока от него не отделился электрон. Ведь мы добавляем нейтральные атомы донорной примеси к нейтральным атомам кремния.
Павел ВИКТОР разобрался. Спасибо.
Почему при прямом включении все не возникает полностью обедненная зона? Ведь эл-ны полностью диффундируют к дыркам ?
На их место приходят другие из контактов.
У вас там ошибка на шестой минуте, вы указали основным носителем в n-типе дырки, хотя основными являются электроны, а дырки основные в р- типе
ну там да есть ошибка. Правда ошибка в букве указанной, дырки в качестве основных носителей заряда в П полупроводнике. Ну опечатка не особо заметная, просто надо было написать не по русской букве П а на лат. P. Но думаю если прислушаться это в принципе не заметно. Сказано было правильно
А если вместо полупроводника n-типа вставить просто металл? Получиться что-то похожее на p-n переход? Спасибо.
Может. Такие устройства с переходом металл-полупроводник называют диодами Шоттки.
В основе p-n перехода лежит кремний и в него добавлена примесь.
Скажите, а пока примесь не добавили, кусок чистого кремния без примеси способен пропускать электрический ток?
Да, способен. Такая проводимость называется собственной проводимостью.
вот самое начало.. 4:38 как может "дырка" быть носителем заряда??
ведь это атом после якобы "выбивания электрона фотоном" становится поляризован (заряд протонов не скомпенсирован)!
ну и далее про основные/не основные носители.. лишь в ходе дальнейших объяснений все проясняется))
А если переход несимметричный, то есть, например, концентрация дырок больше концентрации электронов, то в каком месте перехода удельное сопротивление будет больше? Заранее благодарю!
Если концентрация дырок в дырочном полупроводнике больше, чем концентрация электронов в электронном, то обедненная область в электронном полупроводнике будет шире, чем в дырочном. Думаю, что область максимального удельного сопротивления сдвинется в электронный полупроводник. Хотя, если серьёзно, это нужно просчитать более строго.
Хорошо быть учёным,много знают,понимают и электроны знают и прости господи, дырки какие то,которые что то куда то проводят,прям завидую! Думаю что надо самому поумнеть,посмотрел википедию про электрон,а там написан какой то ужас,мол эта частица предполагаемая,аж охренел и даже есть преполаемый её вес,тут я совсем обалдел,то,не знаю что,оказывается что то весит! Вот это да и перестал умничать!
А я вот все никак не понимаю, почему под действием внешнего поля не может начаться процесс, обратный рекомбинации? Неужели валентные связи настолько сильны, что так легко образуются, но обратно распадаться не хотят? Если это так, то получается, что после снятия напряжения область обедненного слоя должна остаться такой же большой, какой она была и при напряжении?
Больше спасибо. Это во всех школах такое проходят или только в лицеях? Что то я не могу вспомнить, чтоб нам такое преподавали в 7-9классе.
Это материал 10-11 класса.
@@pvictor54 Ясно. Эти классы я уже в более слабой школе проходил.
в лазер диода третя ножка специальний фотодиод еще внутри корпуса вместе с лазерним.
Павел Андреевич, я пропускаю постоянный ток через диод. На концах диода измеряю напряжение вольтметром. Оно около 0.65 вольта. При этом когда я нагреваю диод, то напряжение на диоде начинает уменьшаться. Я знаю, что при нагреве увеличивается количество неосновных частиц и вследствии увеличивается ток. Но почему уменьшается напряжение потенциального барьера (этого внутреннего поля)?
Если увеличивать температуру, то снижается сопротивление перехода за счет появления неосновных носителей, а значит при фиксированном токе падение напряжения на переходе становится меньше.
@@pvictor54 спасибо. Я предпологал это , но были большие сомнения.
Электронно-дырочный переход это контакт двух полупроводников с различным типом проводимости.
реально понравилось. не то что анимация работы диода времен СССР и не то что современные анимации работы от наших иностранных друзей ;)
Пожалуйста объсните, из химии известно что донорно акцепторная связь существует в: NH4+, H3O+, все соли аммония, HNO3, нитраты, N2O5, N2O, O3, CO и в комплексных соединениях. Но как может образоваться донорно акцепторный связь в Si+As или Si+In?
Я не химик, потому ответить не берусь.