💚 Un ringraziamento particolare ai donatori in Superchat: - Vincenzo Falce - Salvo Marchese - L Fogli - Argo16x - Alessio Podda - Giuliano Speziali 📌Grazie a Tormy Van Cool per il rendering 📣Grazie a tutti per la partecipazione !
Ciao, molto dettagliata la descrizione che hai fatto. E' grazie ai mosfet che sono in circolazione dispositivi eccezionali, io per esempio ho un inverter cinese ad onda quadra da 8 kw continui e 16 kw di picco a 12V, indispensabile per attivare il compressore da 1,4 kw 230V in campagna. Sull'impiego in bf vá detto che dissipano molto calore, tantè che il mio 20+20W classe A di NE ha la protezione termica che interviene spesso a volume max, ma il 100+100W cinese, anch'esso con 4 mosfet per canale al volume max raggiunge i 75° in due minuti. Le alette abbondanti e le ventole non sono stati sufficienti, ho installato due celle di peltier e finalmente sono riuscito ad ascoltare i miei 200W, solo il giorno di pasquetta in campagna. Saluti e buon lavoro
Grazie per l'interessante commento, anche io avevo sperimentato il mosfet in zona dissipativa usati per il carico elettronico th-cam.com/video/axLE6TqoMZw/w-d-xo.html
Ciao Pier, grande live ieri sera, nonostante i problemi tecnici. Sicuramente andrò a rivedere alcuni passaggi che tra l'età che avanza.e l' ora non mi sono chiari. Comunque grazie, sentirti parlare di Elettronica è sempre un piacere. Un saluto e un abbraccio da Alessandro da ROVIGO.
Grazie per il commento. Per quanto riguarda il collegamento mi sono reso conto troppo tardi che avevo come frequenza di frame 60 fps che non ha senso per una diretta YT... questo faceva lavorare sotto sforzo inutilmente la macchina e dopo un po' si è manifestato il collo di bottiglia. Per quanto riguarda la diretta conviene guardarla con calma perché è veramente compressa
Una live veramente molto interessante, non ho potuto seguirla in diretta, ma l'ho recuperata tutta appena potevo. Sono anni che lavoro nel campo della microelettronica e quindi di mos ne ho visti e usati direttamente di tutti i tipi e posso dire che hai fatto un ottimo lavoro di sintesi in modo tale che tutti possono capire.
Grazie gentilissimo come sempre. Spero di non aver semplificato troppo per chi come te conosce bene i semiconduttori.... ho dovuto sorvolare e approssimare su molte questioni.... penso ad esempio alle modulazioni della lunghezza del canale, le dipendenze quadratiche e non lineari della corrente nelle varie zone e per forza di cose non siamo andati ai piccoli segnali. Diciamo che ho cercato di dare una vista pragmatica, per chi li deve usare.... ma da un punto di vista di microelettronica siamo veramente alla punta dell'iceberg. Anche io seguo sempre i tuoi video e sono perfetti da un punto di vista didattico!!!!
@@PierAisa grazie, nei miei video sicuramente non sono paragonabili ai tuoi, ma la tua considerazione per me ha un grande valore 😁 La live secondo me era al giusto livello, andare troppo nel dettaglio penso che l'avrebbe resa troppo pesante ai più. Per chi come me ci lavora in questo campo è stata comunque una bella ripassata da seguire. In futuro si farà sempre a tempo ad approfondire 😁
Il fattore di compressione era spinto... abbiamo avuto qualche problemino tecnico all'inizio.... mi ero dimenticato di calare la frequenza di quadro... era impostata a 60 fps!!
Grazie perdonate se ho compresso molto la trattazione e a volte ho dovuto accelerare e sorvolare sul significato di qualche formula... ma due ore è un tempo sfidante per questo tipo di temi. La parte pratica finale comunque dovrebbe dare evidenza delle cose viste in teoria.
Buonasera Pier, ottima la live, anche io sono tra quelli che dovrò rivedere con calma la parte finale del video, e con questo messaggio, riguardo all'approfondimento di un tema in particolare, volevo suggerire una diretta, o un video, sui controlli di tono Baxandall attivi bass treble, su Nuova Elettronica ce ne erano molti, perché quando ero ragazzo, avevo amplificatori audio di poca potenza, aspiravo a quelli di elevata potenza, ma non potevo permettermeli, e notai che con dei Baxandall ben calcolati si poteva avere una ottima qualità audio e soddisfazioni, anche da amplificatori di poca potenza. Secondo me, dovrebbero metterli anche tra le relazioni di laboratorio degli istituti tecnici scolastici, per farli conoscere anche alle future generazioni. Grazie per l'attenzione, alla prossima live 👍
Ciao Pier. Ottimo video. Una domanda. Come mai nei datasheet dei mosfet é sempre dato grande risalto alla Zth_j-c (giunzione-case) mentre la resistenza (o impedenza) termica tra case e ambiente o non viene data o le informazioni sono sempre limitate. La sola Zth_j-c non permette di capire il delta di temperatura a cui possiamo portare il mosfet (data una certa temperatura ambiente TA) se non conosciamo la resistenza termica case-ambiente (pensa al classico modellino termico con il generatore di corrente, che simula la potenza, e le resistenze termiche giunzione-case-ambiente, le cui cadute di tensione simulano i gradienti di temperatura su ciascun punto del transistor). Spesso viene data direttamente la resistenza termica giunzione-ambiente (Rth_ja) il cui valore é notevolmente più elevato e il suo utilizzo mi sembra un over-killing di design. La mia domanda é: nel fare un corretto dimensionamento termico di un mosfet (per applicazioni switching), ti limiti ad usare la sola Zth_j-c (trascurando la Zth_c-a) oppure consideri più correttamente la Zth_j-a? E se utilizzi la Zth_j-a, il suo valore dove lo vai a pescare? Grazie per il chiarimento.
Grazie. La Rth viene spesso "standardizzata" ad un valore che dipende praticamente solo dal tipo package. Ad esempio nel caso che abbiamo visto ieri di IRFZ44 con TO-220, nel grafico della Zth viene riportato il valore di Rth scritto in piccolo nel riquadro dove si vede l'onda quadra pario a 1,67 °C/W. Sono d'accordo con te che serivirebbe il dato riportato in maniera più esplicita.
Giunzione-ambiente ti dice come si comporta quando lo usi senza dissipatori. Giunzione-case per quando metti un dissipatore in mezzo, cosa che si dovrebbe praticamente sempre fare se spingi con la corrente, sennò è sovradimensionato.
Ciao, quando ti riferisci alla capacità parassita citi anche l'induttanza , più veloce sono le commutazioni di pilotaggio meno induzione si crea. Ma più veloce è la variazione di flusso non si ottiene maggior corrente indotta? In un core magnetico anche di silicio non è cosi? . Forse mi confondo con una spira immersa in un campo magnetico
Esatto, infatti bisogna cercare di tenere il più basso possibile le induttanze disperse Lgs Lds Lgd. Addirittura Lgs potrebbe reinnewcare il mosfet durante il suo spegnimento a causa della sovratensione che si crea ai suoi capi
Grazie Pier, spiegazione super dettagliate, soprattutto quando parli di transistor parassiti che possono innescarsi dovute a quelle componenti parassite sia di capacità che induttanza.
Ciao Pier, grazie per questi interessantissimi approfondimenti! Per caso hai trattato in qualche video dei circuiti per il gate-drive nei dei mosfet ? mi interesserebbe capire e approfondire le caratteristiche principali di questa tecnica. Grazie e ciaoooo!!!
In diversi video ho utilizzato circuiti per pilotare mosfet & igbt in maniera efficiente ad esempio con circuiti commerciali come ir2110. Ti consiglio di approfondire questo tema i migliori articoli li trovi su questo testo, il databook HEXFET della IR anni 1982 e 1984 archive.org/details/bitsavers_internatioernationalRectifierHexfetDatabook_39901986
Buongiorno Sign Pier Aisa, le vorrei fare una domanda un po strana e molto complessa per me😮.. L'altro giorno mio figlio di 14 anni mi poneva e che non ho saputo rispondere lasciandomi spiazzato😮... . Mentre pulivo il mio NAD mod200 che ogni tanto dopo mesi e mesi lo smonto per pulirlo con il pennello togliendogli la polvere e che un amplificatore audio da 100w a canale, che porta 4 finali a Dx, e 4 Sx in pnp e npn che ogni finale è 100W l'uno, la domanda che mi fece è:Se è tale potenza, perché non è 400w a canale sommando i 4 finali di dx e i 4 di Sx dovrebbe essere 800 W in totale, visto che alcuni A. hanno 2 finali a canale avendo la stessa potenza? Spero che sia stato chiaro visto la complessità in questione😮😮😮 La seguo sempre, e cerco di arrampicarmi apprendendo quel che posso😅😅😅. SEI UN GRANDE ED IL NUMERO UNO.
Dallo schema di NAD 200 si vedono appunto gli stadi finali SX DX ognuno costituito da 4 transistor disposti 2 a 2 in parallelo. Come detto durante la diretta,l la potenza utilizzabile da un singolo transistor non è mai quella dichiarata a datasheet, perchè con i bipolari per evitare la fuga termica e il fenomeno del second breakdown si prende sempre un abbondante margine, tipicamente lavorano al 60% della loro massima prestazione. Ecco perchè se hai 100W di potenza erogata dichiarata questa viene in realtà gestita dai finali in parallelo. Inoltre la potenza dichiarata coinvolge i transistor "in alternativa", ossia le semionde positive vedranno la conduzione degli NPN, le semionde negative la conduzione dei PNP. Molto dipende poi da come sono dissipati i finali, cioè dalla resistenza termica del dissipatore e dalla presenza di eventuale raffreddamento ad aria.
@@PierAisaBuonasera Sign. Pier Aisa, i dissipatori sono belli grossi e pesanti visto che ho anche i ricambi tra cui i due dissipatori, quindi non lavorano al massimo regime, visto che lo stesso A. che era di mio padre porta ancora il tagliando che sull'etichetta originale fatto di cartoncino e attaccato con dello spago sul cavo di rete 220V, è dichiarata 110W. Grazie molto gentile, e ora so come dire a mio figlio che mi aveva posto questa domanda abbastanza logica da farmi mettere in ngolo 😐😐🙄🤔, Grazie Sign. Pier👍🖐️🖐️
@@lucasallustio7817 bene, faccia un elogio al figlio perché la domanda non ha una risposta scontata, ma come detto sui bipolari rispetto ai dati di targa si progetta vicino alla metà... per tenere margine, proprio come nel caso del calcolo della potenza sui resistori. Su una resistenza d 5W nominali non su usano 5W... ma sempre meno
Grazie se ti interessano gli altri episodi su bjt, valvole e altri dispositivi li trovi nella mia videolist www.pieraisa.it/videolist cercando nella casella. di ricerca con parole di ricerca Live o decalogo
Quindi, correggetemi se sbaglio, il gate si comporta in maniera simile ad una capacità. Una volta caricate le placche non assorbe più, ma le cariche accumulate formano l'effetto di campo che permette il passaggio di tensione D-S.
Proprio così infatti nella trattazione approfondita del dispositivo NMOS, di solito si parte dalle equazione del Condensatore MOS. Ieri però con 2 ore a disposizione abbiamo dovuto correre ....
Ciao, puoi fare un video in cui rendi un led prioritario ad un secondo in modo che quando appunto viene chiuso il circuito del primo led il secondo anche se viene chiuso non fa accendere il secondo led. Ma quando viene aperto il primo circuito, se il secondo è chiuso esso fa accendere il secondo led.
si può fare con un transistor BJT o anche MOSFET, attaccato al primo led. Se passa corrente nel primo led si aziona il transistor, che inibisce il secondo indipendentemente dalla sua sorgente
L'etimologia della parola che si trova più frequentemente è quella che hai detto, ma io preferisco l'espressione usata dagli stessi inventori cioè transconductance varistor. Ad ogni modo entrambe esprimono la capacità del dispositivo di cambiare la propria conduttanza o resistenza in base al segnale in ingresso.
💚 Un ringraziamento particolare ai donatori in Superchat:
- Vincenzo Falce
- Salvo Marchese
- L Fogli
- Argo16x
- Alessio Podda
- Giuliano Speziali
📌Grazie a Tormy Van Cool per il rendering
📣Grazie a tutti per la partecipazione !
Grazie a te per tutte le nozioni che metti a disposizione..... Manna dal cielo...
Ciao, molto dettagliata la descrizione che hai fatto. E' grazie ai mosfet che sono in circolazione dispositivi eccezionali, io per esempio ho un inverter cinese ad onda quadra da 8 kw continui e 16 kw di picco a 12V, indispensabile per attivare il compressore da 1,4 kw 230V in campagna. Sull'impiego in bf vá detto che dissipano molto calore, tantè che il mio 20+20W classe A di NE ha la protezione termica che interviene spesso a volume max, ma il 100+100W cinese, anch'esso con 4 mosfet per canale al volume max raggiunge i 75° in due minuti. Le alette abbondanti e le ventole non sono stati sufficienti, ho installato due celle di peltier e finalmente sono riuscito ad ascoltare i miei 200W, solo il giorno di pasquetta in campagna. Saluti e buon lavoro
Grazie per l'interessante commento, anche io avevo sperimentato il mosfet in zona dissipativa usati per il carico elettronico
th-cam.com/video/axLE6TqoMZw/w-d-xo.html
Ciao Pier, grande live ieri sera, nonostante i problemi tecnici. Sicuramente andrò a rivedere alcuni passaggi che tra l'età che avanza.e l' ora non mi sono chiari. Comunque grazie, sentirti parlare di Elettronica è sempre un piacere. Un saluto e un abbraccio da Alessandro da ROVIGO.
Grazie per il commento. Per quanto riguarda il collegamento mi sono reso conto troppo tardi che avevo come frequenza di frame 60 fps che non ha senso per una diretta YT... questo faceva lavorare sotto sforzo inutilmente la macchina e dopo un po' si è manifestato il collo di bottiglia. Per quanto riguarda la diretta conviene guardarla con calma perché è veramente compressa
Una live veramente molto interessante, non ho potuto seguirla in diretta, ma l'ho recuperata tutta appena potevo.
Sono anni che lavoro nel campo della microelettronica e quindi di mos ne ho visti e usati direttamente di tutti i tipi e posso dire che hai fatto un ottimo lavoro di sintesi in modo tale che tutti possono capire.
Grazie gentilissimo come sempre. Spero di non aver semplificato troppo per chi come te conosce bene i semiconduttori.... ho dovuto sorvolare e approssimare su molte questioni.... penso ad esempio alle modulazioni della lunghezza del canale, le dipendenze quadratiche e non lineari della corrente nelle varie zone e per forza di cose non siamo andati ai piccoli segnali. Diciamo che ho cercato di dare una vista pragmatica, per chi li deve usare.... ma da un punto di vista di microelettronica siamo veramente alla punta dell'iceberg. Anche io seguo sempre i tuoi video e sono perfetti da un punto di vista didattico!!!!
@@PierAisa grazie, nei miei video sicuramente non sono paragonabili ai tuoi, ma la tua considerazione per me ha un grande valore 😁 La live secondo me era al giusto livello, andare troppo nel dettaglio penso che l'avrebbe resa troppo pesante ai più. Per chi come me ci lavora in questo campo è stata comunque una bella ripassata da seguire. In futuro si farà sempre a tempo ad approfondire 😁
Grande Pier una Live davvero corposa si imparano in sacco di cose
Il fattore di compressione era spinto... abbiamo avuto qualche problemino tecnico all'inizio.... mi ero dimenticato di calare la frequenza di quadro... era impostata a 60 fps!!
Ciao Pier, molto interessante e altrettanto ostica, tranquillo, me la rivedro' almeno un paio di volte. Complimenti.
Grazie perdonate se ho compresso molto la trattazione e a volte ho dovuto accelerare e sorvolare sul significato di qualche formula... ma due ore è un tempo sfidante per questo tipo di temi. La parte pratica finale comunque dovrebbe dare evidenza delle cose viste in teoria.
Buonasera Pier, ottima la live, anche io sono tra quelli che dovrò rivedere con calma la parte finale del video, e con questo messaggio, riguardo all'approfondimento di un tema in particolare, volevo suggerire una diretta, o un video, sui controlli di tono Baxandall attivi bass treble, su Nuova Elettronica ce ne erano molti, perché quando ero ragazzo, avevo amplificatori audio di poca potenza, aspiravo a quelli di elevata potenza, ma non potevo permettermeli, e notai che con dei Baxandall ben calcolati si poteva avere una ottima qualità audio e soddisfazioni, anche da amplificatori di poca potenza. Secondo me, dovrebbero metterli anche tra le relazioni di laboratorio degli istituti tecnici scolastici, per farli conoscere anche alle future generazioni.
Grazie per l'attenzione, alla prossima live 👍
Grazie per il supporto in LIVE, per il commento e per il suggerimento molto interessante ed effettivamente anche molto utile.. messo in lista
Grazie Pier, video molto apprezzato. Ciao.
...il numero uno di tutto il multiverso! TOP!
Grazie ragazzi sempre sul pezzo
Ciao Pier. Ottimo video. Una domanda. Come mai nei datasheet dei mosfet é sempre dato grande risalto alla Zth_j-c (giunzione-case) mentre la resistenza (o impedenza) termica tra case e ambiente o non viene data o le informazioni sono sempre limitate. La sola Zth_j-c non permette di capire il delta di temperatura a cui possiamo portare il mosfet (data una certa temperatura ambiente TA) se non conosciamo la resistenza termica case-ambiente (pensa al classico modellino termico con il generatore di corrente, che simula la potenza, e le resistenze termiche giunzione-case-ambiente, le cui cadute di tensione simulano i gradienti di temperatura su ciascun punto del transistor). Spesso viene data direttamente la resistenza termica giunzione-ambiente (Rth_ja) il cui valore é notevolmente più elevato e il suo utilizzo mi sembra un over-killing di design. La mia domanda é: nel fare un corretto dimensionamento termico di un mosfet (per applicazioni switching), ti limiti ad usare la sola Zth_j-c (trascurando la Zth_c-a) oppure consideri più correttamente la Zth_j-a? E se utilizzi la Zth_j-a, il suo valore dove lo vai a pescare? Grazie per il chiarimento.
Grazie. La Rth viene spesso "standardizzata" ad un valore che dipende praticamente solo dal tipo package. Ad esempio nel caso che abbiamo visto ieri di IRFZ44 con TO-220, nel grafico della Zth viene riportato il valore di Rth scritto in piccolo nel riquadro dove si vede l'onda quadra pario a 1,67 °C/W. Sono d'accordo con te che serivirebbe il dato riportato in maniera più esplicita.
Giunzione-ambiente ti dice come si comporta quando lo usi senza dissipatori. Giunzione-case per quando metti un dissipatore in mezzo, cosa che si dovrebbe praticamente sempre fare se spingi con la corrente, sennò è sovradimensionato.
Ciao, quando ti riferisci alla capacità parassita citi anche l'induttanza , più veloce sono le commutazioni di pilotaggio meno induzione si crea. Ma più veloce è la variazione di flusso non si ottiene maggior corrente indotta? In un core magnetico anche di silicio non è cosi? . Forse mi confondo con una spira immersa in un campo magnetico
Esatto, infatti bisogna cercare di tenere il più basso possibile le induttanze disperse Lgs Lds Lgd. Addirittura Lgs potrebbe reinnewcare il mosfet durante il suo spegnimento a causa della sovratensione che si crea ai suoi capi
Grazie Pier, spiegazione super dettagliate, soprattutto quando parli di transistor parassiti che possono innescarsi dovute a quelle componenti parassite sia di capacità che induttanza.
Ciao Pier, grazie per questi interessantissimi approfondimenti! Per caso hai trattato in qualche video dei circuiti per il gate-drive nei dei mosfet ? mi interesserebbe capire e approfondire le caratteristiche principali di questa tecnica. Grazie e ciaoooo!!!
In diversi video ho utilizzato circuiti per pilotare mosfet & igbt in maniera efficiente ad esempio con circuiti commerciali come ir2110. Ti consiglio di approfondire questo tema i migliori articoli li trovi su questo testo, il databook HEXFET della IR anni 1982 e 1984 archive.org/details/bitsavers_internatioernationalRectifierHexfetDatabook_39901986
Buongiorno Sign Pier Aisa, le vorrei fare una domanda un po strana e molto complessa per me😮.. L'altro giorno mio figlio di 14 anni mi poneva e che non ho saputo rispondere lasciandomi spiazzato😮... . Mentre pulivo il mio NAD mod200 che ogni tanto dopo mesi e mesi lo smonto per pulirlo con il pennello togliendogli la polvere e che un amplificatore audio da 100w a canale, che porta 4 finali a Dx, e 4 Sx in pnp e npn che ogni finale è 100W l'uno, la domanda che mi fece è:Se è tale potenza, perché non è 400w a canale sommando i 4 finali di dx e i 4 di Sx dovrebbe essere 800 W in totale, visto che alcuni A. hanno 2 finali a canale avendo la stessa potenza? Spero che sia stato chiaro visto la complessità in questione😮😮😮 La seguo sempre, e cerco di arrampicarmi apprendendo quel che posso😅😅😅. SEI UN GRANDE ED IL NUMERO UNO.
Dallo schema di NAD 200 si vedono appunto gli stadi finali SX DX ognuno costituito da 4 transistor disposti 2 a 2 in parallelo. Come detto durante la diretta,l la potenza utilizzabile da un singolo transistor non è mai quella dichiarata a datasheet, perchè con i bipolari per evitare la fuga termica e il fenomeno del second breakdown si prende sempre un abbondante margine, tipicamente lavorano al 60% della loro massima prestazione. Ecco perchè se hai 100W di potenza erogata dichiarata questa viene in realtà gestita dai finali in parallelo. Inoltre la potenza dichiarata coinvolge i transistor "in alternativa", ossia le semionde positive vedranno la conduzione degli NPN, le semionde negative la conduzione dei PNP. Molto dipende poi da come sono dissipati i finali, cioè dalla resistenza termica del dissipatore e dalla presenza di eventuale raffreddamento ad aria.
@@PierAisaBuonasera Sign. Pier Aisa, i dissipatori sono belli grossi e pesanti visto che ho anche i ricambi tra cui i due dissipatori, quindi non lavorano al massimo regime, visto che lo stesso A. che era di mio padre porta ancora il tagliando che sull'etichetta originale fatto di cartoncino e attaccato con dello spago sul cavo di rete 220V, è dichiarata 110W. Grazie molto gentile, e ora so come dire a mio figlio che mi aveva posto questa domanda abbastanza logica da farmi mettere in ngolo 😐😐🙄🤔, Grazie Sign. Pier👍🖐️🖐️
@@lucasallustio7817 bene, faccia un elogio al figlio perché la domanda non ha una risposta scontata, ma come detto sui bipolari rispetto ai dati di targa si progetta vicino alla metà... per tenere margine, proprio come nel caso del calcolo della potenza sui resistori. Su una resistenza d 5W nominali non su usano 5W... ma sempre meno
Well done !
Se hai tolto il router e vai di wifi (per spendere meno) devi mettere baud rate al minimo
Molto Bravo
Grazie se ti interessano gli altri episodi su bjt, valvole e altri dispositivi li trovi nella mia videolist www.pieraisa.it/videolist cercando nella casella. di ricerca con parole di ricerca Live o decalogo
@@PierAisa GRAZIE 🙂
Quindi, correggetemi se sbaglio, il gate si comporta in maniera simile ad una capacità. Una volta caricate le placche non assorbe più, ma le cariche accumulate formano l'effetto di campo che permette il passaggio di tensione D-S.
Proprio così infatti nella trattazione approfondita del dispositivo NMOS, di solito si parte dalle equazione del Condensatore MOS. Ieri però con 2 ore a disposizione abbiamo dovuto correre ....
Ciao, puoi fare un video in cui rendi un led prioritario ad un secondo in modo che quando appunto viene chiuso il circuito del primo led il secondo anche se viene chiuso non fa accendere il secondo led. Ma quando viene aperto il primo circuito, se il secondo è chiuso esso fa accendere il secondo led.
si può fare con un transistor BJT o anche MOSFET, attaccato al primo led. Se passa corrente nel primo led si aziona il transistor, che inibisce il secondo indipendentemente dalla sua sorgente
@@PierAisa grazie e dove collego i 3 pin del mosfet?
@@vitodipierro4538 scrivimi a pieraisaforum@gmail.com
Nel video hai pubblicizzato la migliore azienda che produce mosfet. La P. A. il top in alta tensione per gestire bobine di tesla😂
Si potrebbe pensare a un episodio, dedicato ai semiconduttori di potenza in ambito bobina Tesla... Tip and tricks
io ho sempre saputo che transistor deriva da tranferring-resistor.
L'etimologia della parola che si trova più frequentemente è quella che hai detto, ma io preferisco l'espressione usata dagli stessi inventori cioè transconductance varistor. Ad ogni modo entrambe esprimono la capacità del dispositivo di cambiare la propria conduttanza o resistenza in base al segnale in ingresso.