Всё конечно очень интересно. Сейчас в массовой продаже уже 7е поколение мосфетов. Так что удачи с импортозамещением заморской диковины на отечественный аналог из говна и палки.
Вопрос: Чем плохо поставить 150 ом затворный резистор, только увеличением времени? Чем плохо завысить затворный резистор? Ответ: 1. Большие динамические потери, может греться как не в себя; 2. Есть риск обсчитаться с мёртвым временем и тогда получить сквозняки; 3. Большой риск поиметь паразитное отпирание на включении противоположного ключа и опять же сквозняки; 4. Транзистор в самом худшем случае может просто "по-человечески" не включиться и не выключиться, если не хватит тока пройти плато Миллера. Но это всё страшно, если не принять спец мер. У нас есть заказчик, у него в затворе на выключении около 200 Ом, фронт 10...20 мкс и отлично работает, от обратных выбросов так спаслись. Потому что одиночный ключ и скважность под 100 ))
Был вопрос: "если мы к одному драйверу подключаем несколько транзисторов номинал затворного резистора нужно уменьшать?" Ответ: если через один резистор, то нужно. Но это неправильно. Затворный резистор должен стоять у каждого транзистора свой (а не один общий для всех), тогда номинал не меняем
На мой взгляд оптимальная методика определения величины затворного резистора должна опираться на эксперимент. Для начала устанавливаем заведомо большее чем надо сопротивление и проверяем тепловыделение на заданном режиме работы устройства. Затем постепенно уменьшаем сопротивление и добиваемся приемлемого КПД. Когда тепловыделение на транзисторе сокращается до приемлемых величин, на этом останавливаемся и фиксируем достигнутый результат.
Ещё не успел ответить: "???какие конструктивы резисторов предпочтительнее - чип, млт, угольные, нихром?" Ответ: с минимальной паразитной индуктивностью, т.е. из списка чип или угольные. МЛТ и нихром очень не советую
Забыли сказать что транзисторы могут иметь разброс емкости затвора и иметь разный заряд базы ,и зависит от чистоты и построение драйвера ,обычно в дата шите указывает производитель график зависимости тока комутации и затворного резистора
Вопрос: если мы подключаем несколько транзисторов к одному драйверу как считать затворный резистор? Ответ: не принципиально. Может посчитать как для одного модуля, а потом поделить (стоит 5 ключей по 100 А, т.е. "модуль" на 500 А, нужно 10 Ом, значит по 50 Ом на ключ), а можно для каждого транзистора отдельно (ключ 100 А, нужно 50 Ом на ключ, тогда общее сопротивление 10 Ом)
31:00 у меня выходит максимальное значение затворного резистора в половину Ома. Что я считаю не так? Пороговое напряжение открытия 4 вольта, скорость нарастания 10 кВ за мкс, ёмкость затвора 1 нФ.
@@oleksiikharkov1816 Если вы тем самым методом считаете, то результат у вас правильный (около 1 Ом), по этому методу-критерию всегда такие маленькие сопротивления выходят. Т.е. чтобы не было паразитного отпирания, вполне может быть такой резистор. Но я и говорил, что этот метод расчёта плохой, однобокий и много не учитывает. Не равняйтесь на него. Лучше выберите драйвер с функцией миллер кламп или отрицательного напряжения в затвор дайте, тогда и методом этим считать не надо будет
не, это номинал встроенного резистора (если он есть). Минимальное сопротивление как параметр не нормируется, смотрите по динамическим характеристикам даташита (там в режимах считай минимальное значение Rg и указывается) или по графику потерь от номинала резистора
Добрый день! с затворным резистором все как бы понятно. Но вот вопрос: часто применяется, как Вы и показывали, диод, который шунтирует резистор в обратном направлении. То есть ускоряя тем самым закрытие ключа. Какое должно быть время закрытия, к примеру если открытие 1 микросекунда. Если слишком быстро закрыть, то это приведет к выбросу индуктивности и, как следствие, к дополнительным помехам? Я имею ввиду для IGBT.
диоды ставятся в разные стороны просто для разделения тока заряда и разряда; можно с резистором, можно и без. Диоды без резистора ставят, но это не здорово, те самые потери и помехи, я бы не рекомендовал
@@ЭлектрумАВ-н3т Спасибо за ответ! Но тогда получается к примеру восходящий фронт 1 мкс, и нисходящий 1мкс. И dedteim нужно делать больше, а при обратном диоде нисходящий фронт будет быстрее и dedteim можно уменьшить. Как найти золотую середину, последовательно диода ставить резистор, или это все не так и важно ?
@@ОлегАсмолов-й5н тут всё не так линейно и однозначно. Например, если фронт затянут, то не возникает ударных токов на обратном диоде и, следовательно, он восстанавливается быстрее, т.е. при заваленном фронте мёртвое время может быть меньше, чем при крутом фронте в затворе. А может и наоборот, если завалить слишком сильно. На то она и золотая середина, которая в каждом конкретном случае своя и универсального чудо-метода здесь нет
@@ЭлектрумАВ-н3т Христос Воскрес! Вобщем-то запаял я модуль (FP50R12KT4). Он даже проработал на тестах (пытаюсь векторный преобразователь построить), но вот пришёл его час и он умер. Причём умер при ударных реверсивных токах, что как бы не должно было произойти. И да, из строя вышел именно обратный диод, а все транзисторы целые. Как Вы думаете, могла стать причиной именно установка обратных диодов в управлении затворами и, как следствие, слишком быстрое запирание ключей?
@@ЭлектрумАВ-н3т Христос Воскрес! Тестил я модуль FP50R12KT4. Прожил он около недели в моих тестах (разрабатываю векторное управление асинхронным двигателем). Резистор затвора 20 Ом плюс обратный диод без резистора. Защита клампер-ключ присутствует. В итоге восходящий фронт в районе микросекунды, нисходящий ок. 200 наносекунд. При последних тестах (между транз. мостом и DC звеном была подключена электропечка для ограничения тока в случае КЗ, т.е. электролит был подключён перед электропечкой, а пленочный конденсатор 0,1 мКф был запаян непосредственно на сам транзисторный мост) произошёл выход из строя обратного диода на IGBT транспорте. Как вы считаете, причиной послужили обратные диоды в цепи управления затвора или нет?
Так, получается для открытия нужно оптимальное сопротивление, а для закрытия максимальное - при котором: обратному диоду "хорошо", и произвольные открытия транзистора НЕ происходят ?
Тут не так всё однозначно. Я любитель на отпирание поставить побольше (дабы не пальнуть ударными токами), а на запирание поменьше, но обязательно со снабберами. Но многие делают именно так - на запирание по максимуму, тогда и без снабберов норм, только не забыть мёртвое время увеличить. Так что на вкус и цвет все фломастеры разные ))
большое спасибо за лекции и видео! многое стало понятно. к сожалению большинство спецов не могут рассказать о этих вещах простыми словами. хуже всего специально мудрят и усложняют что бы никто ничего не понял. очень часто такое наблюдаю. у вас все четко. и главное без понта. многие вещи мне казались нелогичными. к примеру тот же резистор последовательно с конденсатором в снаббере. всегда думал на кой хрен он там нужен. и вы подтвердили мои догадки и так еще несколько примеров из ваших видео. сейчас пытаюсь разработать мощное высоквольтное ЗУ. на 3000ватт. выход от 150-до400в. Зу для зарядки электромобилей. так как в силовой электронике я ноль. да в электронике в целом не очень. ищу информацию про силовую электронику. если точнее топологию не могу выбрать. подскажите. можно ли сделать нормальное ЗУ до 3квт используя косой полумост? очень понравилась это топология. это однотактная система но с рекуперацией. . в чем может быть изъян?
вполне можно косой полумост, и на гораздо большие мощности так делают. А по поводу изъянов - у вас преобразователь относительно безболезненно можно отладить: пониженное напряжение/нагрузка и далее частотой/скважностью подбираете оптимальный режим, даже с расчётом особо заморачиваться не надо
@@ЭлектрумАВ-н3т спасибо за ответ. в целом наверное лучше делать на полном мосте? с косым мостом я так понял что бы получить ту же мощность что на Н мосте надо увеличить частоту в 2 раза или амплитуду вторички? щас попытался рассчитать трансформатор в программе старичка. но там к сожалению только 2 тактные топологии. есть такой параметр как габаритная мощность трансформатора. в однотактной системе она станет в 2 раза меньше? чем в Н мосте?
@@GANYBEISENOV габаритная мощность - да, в два раза меньше, но тут уже вопрос как вы феррит греть будете; т.к. он всё равно будет перегреваться, вы 100% мощи с него не снимете без спецсредств. И при прочих равных для увеличения мощности частоту надо снижать, чтобы петля побольше была (больше феррит насыщать). Я, например, больше сторонник двухтактных схем, с них и мощи больше и в отладке попроще, но и косой мост тоже вариант, тут уже вам по месту смотреть надо
@@ЭлектрумАВ-н3т благодарю за ответ!. будем смотреть. скорее всего буду делать на Н мосте. но щас для интереса хочу попробовать косой мост. просто все это для меня новое. в смысле силовая импульсная электроника. раньше был лишь один опыт. делал электротормоз для своего электровелосипеда. и он чудом заработал после того как я сжег 7 ключей. на этом все. и там схема слишком банальная видимо поэтому получилось.
@@ЭлектрумАВ-н3т приветствую Павел. на скорую руку собрал схему косого моста и трансформатор. сердечник вытащил из другой зарядки от сервера. 59х31х22 эпкос 97. ETD. на холостую при скважности 45% жрет ватт 100. но схема не взорвалась уже неплохо для меня. :) хотел спросить. для однотактной системы типа косой мост можно делать скважность ШИМ больше 50%. ? и нужен ли зазор в сердечнике для косого моста? там есть диоды размагничивания. или это не поможет и все равно нужен зазор?
Вопрос был: ???проверяем осцилом -фронты на затворе, если они соответствует желаниям, то угадали? Ответ: совершенно верно, для начала именно так. А там потом преобразователь покажет, хватает ему или нет ))
Грамотно, доступно и правильно всё вы поясняете свой огромный опыт.
На таких людях стоит мир, ждём новых вебинаров.
Спасибо огромное за ваш труд.
Спасибочки на добром слове ))
Хорошая лекция. Ценный материал. Спасибо.
Очень полезные объяснения ! Подписался. Буду дальше изучать. ( делаю для двигателя самодельный контроллер)
Очень просто и доходчиво !
Всё конечно очень интересно. Сейчас в массовой продаже уже 7е поколение мосфетов. Так что удачи с импортозамещением заморской диковины на отечественный аналог из говна и палки.
Спасибо большое автору!
Вопрос: Чем плохо поставить 150 ом затворный резистор, только увеличением времени? Чем плохо завысить затворный резистор?
Ответ: 1. Большие динамические потери, может греться как не в себя; 2. Есть риск обсчитаться с мёртвым временем и тогда получить сквозняки; 3. Большой риск поиметь паразитное отпирание на включении противоположного ключа и опять же сквозняки; 4. Транзистор в самом худшем случае может просто "по-человечески" не включиться и не выключиться, если не хватит тока пройти плато Миллера. Но это всё страшно, если не принять спец мер. У нас есть заказчик, у него в затворе на выключении около 200 Ом, фронт 10...20 мкс и отлично работает, от обратных выбросов так спаслись. Потому что одиночный ключ и скважность под 100 ))
Был вопрос: "если мы к одному драйверу подключаем несколько транзисторов номинал затворного резистора нужно уменьшать?"
Ответ: если через один резистор, то нужно. Но это неправильно. Затворный резистор должен стоять у каждого транзистора свой (а не один общий для всех), тогда номинал не меняем
Большое спасибо
СЛИШКОМ ЗАТЯНУТО, я заснул и не помню на каком месте ).
Ещё и тут обещанные ссылки по затворному резистору:
power-e.ru/design/zatvornyj-r...
power-e.ru/components/zatvorn...
Спасибо !
На мой взгляд оптимальная методика определения величины затворного резистора должна опираться на эксперимент. Для начала устанавливаем заведомо большее чем надо сопротивление и проверяем тепловыделение на заданном режиме работы устройства. Затем постепенно уменьшаем сопротивление и добиваемся приемлемого КПД. Когда тепловыделение на транзисторе сокращается до приемлемых величин, на этом останавливаемся и фиксируем достигнутый результат.
полностью согласный ))
Ещё не успел ответить: "???какие конструктивы резисторов предпочтительнее - чип, млт, угольные, нихром?"
Ответ: с минимальной паразитной индуктивностью, т.е. из списка чип или угольные. МЛТ и нихром очень не советую
Забыли сказать что транзисторы могут иметь разброс емкости затвора и иметь разный заряд базы ,и зависит от чистоты и построение драйвера ,обычно в дата шите указывает производитель график зависимости тока комутации и затворного резистора
Хотелось бы узнать как организуется управление драйвера например такого модуля PM300DSA120. Можете порекомендовать какую либо документацию.
так в этом же модуле драйверы встроены, просто подаёте питания и логический сигнал
Вопрос: если мы подключаем несколько транзисторов к одному драйверу как считать затворный резистор?
Ответ: не принципиально. Может посчитать как для одного модуля, а потом поделить (стоит 5 ключей по 100 А, т.е. "модуль" на 500 А, нужно 10 Ом, значит по 50 Ом на ключ), а можно для каждого транзистора отдельно (ключ 100 А, нужно 50 Ом на ключ, тогда общее сопротивление 10 Ом)
31:00 у меня выходит максимальное значение затворного резистора в половину Ома. Что я считаю не так?
Пороговое напряжение открытия 4 вольта, скорость нарастания 10 кВ за мкс, ёмкость затвора 1 нФ.
пороговое напряжение это когда транзистор только начинает открываться а нам нужно взять напряжение уже открытого на максимум, тоесть 13-15В
@@serhiifediakov8171 ну выйдет не половина Ома, а несколько ом. Не похоже на максимум.
@@oleksiikharkov1816 Откуда требование 10 кВ/мкс? По логике вещей для такого транзистора надо 50...100 Ом
@@ЭлектрумАВ-н3т то ж в ролике было названо 10 кВ / мкс
@@oleksiikharkov1816 Если вы тем самым методом считаете, то результат у вас правильный (около 1 Ом), по этому методу-критерию всегда такие маленькие сопротивления выходят. Т.е. чтобы не было паразитного отпирания, вполне может быть такой резистор. Но я и говорил, что этот метод расчёта плохой, однобокий и много не учитывает. Не равняйтесь на него. Лучше выберите драйвер с функцией миллер кламп или отрицательного напряжения в затвор дайте, тогда и методом этим считать не надо будет
👍
Спасибо ! Как раз пытаюсь рассчитать резистор для модуля IGBT ;)
Минимальное значение резистора это то самое из даташита RGint?
не, это номинал встроенного резистора (если он есть). Минимальное сопротивление как параметр не нормируется, смотрите по динамическим характеристикам даташита (там в режимах считай минимальное значение Rg и указывается) или по графику потерь от номинала резистора
Ставил 390 Ом на затвор irf3205 в преобразователь 12-220в , работает збс, частота 50гц.
если частота низкая, транзистор не под потолок нагружен и теплоотвод нормальный, то хоть 1 кОм можно поставить, ничего ему не будет
@@ЭлектрумАВ-н3тЯ это написал к тому что вы не сказали про это условие
@@vinzentkassl9466 согласный, предельные условия обозначил не очень
Добрый день! с затворным резистором все как бы понятно. Но вот вопрос: часто применяется, как Вы и показывали, диод, который шунтирует резистор в обратном направлении. То есть ускоряя тем самым закрытие ключа. Какое должно быть время закрытия, к примеру если открытие 1 микросекунда. Если слишком быстро закрыть, то это приведет к выбросу индуктивности и, как следствие, к дополнительным помехам? Я имею ввиду для IGBT.
диоды ставятся в разные стороны просто для разделения тока заряда и разряда; можно с резистором, можно и без. Диоды без резистора ставят, но это не здорово, те самые потери и помехи, я бы не рекомендовал
@@ЭлектрумАВ-н3т Спасибо за ответ! Но тогда получается к примеру восходящий фронт 1 мкс, и нисходящий 1мкс. И dedteim нужно делать больше, а при обратном диоде нисходящий фронт будет быстрее и dedteim можно уменьшить. Как найти золотую середину, последовательно диода ставить резистор, или это все не так и важно ?
@@ОлегАсмолов-й5н тут всё не так линейно и однозначно. Например, если фронт затянут, то не возникает ударных токов на обратном диоде и, следовательно, он восстанавливается быстрее, т.е. при заваленном фронте мёртвое время может быть меньше, чем при крутом фронте в затворе. А может и наоборот, если завалить слишком сильно. На то она и золотая середина, которая в каждом конкретном случае своя и универсального чудо-метода здесь нет
@@ЭлектрумАВ-н3т Христос Воскрес! Вобщем-то запаял я модуль (FP50R12KT4). Он даже проработал на тестах (пытаюсь векторный преобразователь построить), но вот пришёл его час и он умер. Причём умер при ударных реверсивных токах, что как бы не должно было произойти. И да, из строя вышел именно обратный диод, а все транзисторы целые. Как Вы думаете, могла стать причиной именно установка обратных диодов в управлении затворами и, как следствие, слишком быстрое запирание ключей?
@@ЭлектрумАВ-н3т Христос Воскрес! Тестил я модуль FP50R12KT4. Прожил он около недели в моих тестах (разрабатываю векторное управление асинхронным двигателем). Резистор затвора 20 Ом плюс обратный диод без резистора. Защита клампер-ключ присутствует. В итоге восходящий фронт в районе микросекунды, нисходящий ок. 200 наносекунд. При последних тестах (между транз. мостом и DC звеном была подключена электропечка для ограничения тока в случае КЗ, т.е. электролит был подключён перед электропечкой, а пленочный конденсатор 0,1 мКф был запаян непосредственно на сам транзисторный мост) произошёл выход из строя обратного диода на IGBT транспорте. Как вы считаете, причиной послужили обратные диоды в цепи управления затвора или нет?
Так, получается для открытия нужно оптимальное сопротивление, а для закрытия максимальное - при котором: обратному диоду "хорошо", и произвольные открытия транзистора НЕ происходят ?
Тут не так всё однозначно. Я любитель на отпирание поставить побольше (дабы не пальнуть ударными токами), а на запирание поменьше, но обязательно со снабберами. Но многие делают именно так - на запирание по максимуму, тогда и без снабберов норм, только не забыть мёртвое время увеличить. Так что на вкус и цвет все фломастеры разные ))
большое спасибо за лекции и видео! многое стало понятно. к сожалению большинство спецов не могут рассказать о этих вещах простыми словами. хуже всего специально мудрят и усложняют что бы никто ничего не понял. очень часто такое наблюдаю. у вас все четко. и главное без понта. многие вещи мне казались нелогичными. к примеру тот же резистор последовательно с конденсатором в снаббере. всегда думал на кой хрен он там нужен. и вы подтвердили мои догадки и так еще несколько примеров из ваших видео. сейчас пытаюсь разработать мощное высоквольтное ЗУ. на 3000ватт. выход от 150-до400в. Зу для зарядки электромобилей. так как в силовой электронике я ноль. да в электронике в целом не очень. ищу информацию про силовую электронику. если точнее топологию не могу выбрать. подскажите. можно ли сделать нормальное ЗУ до 3квт используя косой полумост? очень понравилась это топология. это однотактная система но с рекуперацией. . в чем может быть изъян?
вполне можно косой полумост, и на гораздо большие мощности так делают. А по поводу изъянов - у вас преобразователь относительно безболезненно можно отладить: пониженное напряжение/нагрузка и далее частотой/скважностью подбираете оптимальный режим, даже с расчётом особо заморачиваться не надо
@@ЭлектрумАВ-н3т спасибо за ответ. в целом наверное лучше делать на полном мосте? с косым мостом я так понял что бы получить ту же мощность что на Н мосте надо увеличить частоту в 2 раза или амплитуду вторички? щас попытался рассчитать трансформатор в программе старичка. но там к сожалению только 2 тактные топологии. есть такой параметр как габаритная мощность трансформатора. в однотактной системе она станет в 2 раза меньше? чем в Н мосте?
@@GANYBEISENOV габаритная мощность - да, в два раза меньше, но тут уже вопрос как вы феррит греть будете; т.к. он всё равно будет перегреваться, вы 100% мощи с него не снимете без спецсредств. И при прочих равных для увеличения мощности частоту надо снижать, чтобы петля побольше была (больше феррит насыщать). Я, например, больше сторонник двухтактных схем, с них и мощи больше и в отладке попроще, но и косой мост тоже вариант, тут уже вам по месту смотреть надо
@@ЭлектрумАВ-н3т благодарю за ответ!. будем смотреть. скорее всего буду делать на Н мосте. но щас для интереса хочу попробовать косой мост. просто все это для меня новое. в смысле силовая импульсная электроника. раньше был лишь один опыт. делал электротормоз для своего электровелосипеда. и он чудом заработал после того как я сжег 7 ключей. на этом все. и там схема слишком банальная видимо поэтому получилось.
@@ЭлектрумАВ-н3т приветствую Павел. на скорую руку собрал схему косого моста и трансформатор. сердечник вытащил из другой зарядки от сервера. 59х31х22 эпкос 97. ETD. на холостую при скважности 45% жрет ватт 100. но схема не взорвалась уже неплохо для меня. :) хотел спросить. для однотактной системы типа косой мост можно делать скважность ШИМ больше 50%. ? и нужен ли зазор в сердечнике для косого моста? там есть диоды размагничивания. или это не поможет и все равно нужен зазор?
В формуле разве на заряд должен быть?
это не критично, можно ёмкость, можно заряд, по сути одно и то же
краткое содержание урока о выборе затворного резистора: берем резистор 30 Ом. смотрим осциллограмму, и берем тот который надо.
ну вот, заспойлерели (((
Что такое dV/dt?
скорость нарастания напряжения (изменение напряжения за какое-то время)
Вопрос был: ???проверяем осцилом -фронты на затворе, если они соответствует желаниям, то угадали?
Ответ: совершенно верно, для начала именно так. А там потом преобразователь покажет, хватает ему или нет ))
Да, с математикой у лектора не важно😢
У него своя математика в голове.
Ни хера непонял, ибо я эталон тормозов :)) Но мне понравилось, чую что-то в этом есть, - верю :)) хочу поиграться с генераторами:)