Электронный предохранитель с регулировкой порога более 10 крат и падением от 50 мили Вольт до 0.5 В.

แชร์
ฝัง
  • เผยแพร่เมื่อ 5 ก.ย. 2024
  • Схемы две как с общим минусом так и с общим плюсом drive.google.c...
    При использовании транзистора с сопротивлением канала 2...4 мили Ом и установив порог 0.05 вольт вы будете ограничивать ток примерно 20...30А при таком токе тепловыделение будет от 800 до 2700 милливатт, что требует небольшого радиатора. время быстродействия будет миллисекунды при отсутствии ёмкости на входе С945. Иначе время быстродействия будет увеличено.
    Для изменения схемы с общим минусом, схема идентична, только полюсовка в схеме меняется и транзисторы, биполярные меняем местами C945 (NPN) и A733 (PNP). Полевой транзистор стуктктуры N IRFB640 (мощнее например IRF3205) или подобный заменяем на структуру P например IRF4905 (20 мили Ом)

ความคิดเห็น • 6

  • @user-nd4sl1lp9b
    @user-nd4sl1lp9b หลายเดือนก่อน

    Спасибо за хорошее разьеснение.Но вот только вопрос:- какой должен быть транзистор для запитки до 20 вольт(15ампер)?.Будет ли работать схема если ток будет импульсный,но при этом постоянный?

    • @xvv33g-_-
      @xvv33g-_-  21 วันที่ผ่านมา

      Добрый день. Транзистор выбираете из доступных, вам для 20 вольт и 15 ампер подойдет транзистор материнской платы (питание процессора). Мощность считайте так - квадрат тока, умножьте на сопротивление открытого канала транзистора. При Омах результат будет в Ваттах. При милиОмах - Миливатты. Импульсный ток требует фильтрации, самое простое на выходе поставить емкость. Емкость набирается с батареи - разделяя ток на количество емкостей.

  • @kreking39
    @kreking39 7 หลายเดือนก่อน +1

    С радиатором разобрались, нужно подумать переделку схемы с общим минусом.

    • @xvv33g-_-
      @xvv33g-_-  7 หลายเดือนก่อน

      Добрый вечер. Смотрите описание под видео, там ссылка на схемы с общим минусом и общим плюсом. Схема идентична, только полюсовка в схеме меняется диоды, светодиоды и транзисторы, биполярные меняем местами C945 (NPN) и A733 (PNP). Полевой транзистор стуктктуры N IRFB640 (мощнее например IRF3205) или подобный заменяем на структуру P например IRF4905 (20 мили Ом)

  • @kreking39
    @kreking39 7 หลายเดือนก่อน

    Нужно про радиатор упомянуть для полевого транзистора и времени срабатывания.

    • @xvv33g-_-
      @xvv33g-_-  7 หลายเดือนก่อน +1

      Радиатор не всегда необходим, при 4 милиомах и 10 амперах мощность будет 400 милливатт. Время срабатывания микросекунды. Открытие С945 и закрытие полевого. Наибольшее время закрытия, так как нет драйвера и закрытия в доли микросекунды не будет. При больших требованиях применяется драйверы и усилители интегральные. Эта схема рассчитана на случайные КЗ и переполюсовку