GIDL 설명 감사합니다. 그리고, GIDL 완화 방법으로 Underlap 구조로 하면, Source/drain 이 연결되지 않기 때문에 MOSFET이 아니라 MOS 일 뿐이지 않을까요? MOSFET이 되기 위해서는 Overlap은 필수입니다 (조금이라도 반드시 Overlap 되어야 MOSFET입니다). BCAT Cell Tr. 그림에서 S/D과 Gate는 Overlap 되어 있습니다. BCAT에서 Gate 전극을 Recess 해서 SiN 으로 채워서 Buried Gate로 만든 이유는 Underlap을 만들기 위함이 아닙니다. Gate 전극을 Buried 형대로 하면, Word Line과 Bit Line 간의 물리적인 거리가 멀어지기 때문에 Bit Line과 Word line 간의 기생 Cap 이 현저히 줄어 듭니다. Bit Line의 기생 Cap이 줄어 들면 Sensing Margin이 현저히 개선되기 때문에 Cell Cap 값이 크지 않아도 DRAM을 동작시킬 수 있습니다 (즉, Buried Gate를 사용하면 Cell Capacitor 만드는 사람들이 고생을 덜 해도 됩니다) Qimonda 에서 2008년 IEDM에서 발표한 "A 6F2 Buried Wordline DRAM Cell for 40nm and Beyond" 참고 하시기 바랍니다. Saddle-Fin 채널 구조는 Hynix에서 2006년 VLSI에 발표한 "Highly scalable saddle-fin (S-Fin) transistor for sub-50nm DRAM technology" 참고하시면 됩니다.
안녕하세요. 강의 너무 잘 들었습니다. GIDL이 뭔지 여러 자료를 찾아봤지만 전공자가 아니라서 이해가 잘 안되었는데 많은 도움이 되었습니다. 질문이 하나 있는데.. NAND 에 대해서도 알고 계신지 모르겠지만.. 이 GIDL 현상을 3D NAND에서는 ERASE 동작에 활용하고 있는데 왜 3D 에서는 GIDL ERASE가 유리한 방식인지 궁금합니다. GIDL 현상을 이용해서 정공을 형성해서 채널로 주입한다고 하는데.. 그냥 ERASE 하는 방식과 어떤차이가 있는지.. 설명되어 있는 자료를 못찾겠네요 ㅜㅜ 혹시 아신다면 답변주시면 감사하겠습니다!!
overlap 을 준 mosfet 보다 on-current는 감소하고 vt는 증가합니다 ㅎㅎ 작동은 정상적으로 됩니다. 저도 어느정도 영향이 있는지 수치적으로는 분석해본 적이 없네요.. 구글에 "mosfet underlap vt" 로 이미지 검색하시면 측정이나 시뮬레이션 결과가 있을겁니다
ㅇㅇ 애초에 반도체에 도핑할 수 밖에 없을 뿐더러 반도체의 농도를 10^18 cm^-3 이상으로 한 것이 highly degenerated semiconductor 인데 이러면 페르미준위가 딱 거의 E_c 또는 E_v에 딱 붙고 그래프는 극적으로 변하게 됨. 이런 극적인 그래프에 다른 물질 접합하다보면 valence band와 conduction band의 간격이 좁아질텐데 valence band에 많이 있는 전자가 조금만 에너지 받아도 conduction band 로 넘어오는데 이게 터널링임. 이런 터널링을 Gidl의 하나로 본다고 강의에서 언급하신 것도 있음
![[개념 잡기] Short Channel Effects, 단채널 효과 (feat. 반도체 면접/반도체 취업)](http://i.ytimg.com/vi/bV6puf0xrpA/mqdefault.jpg)
![[개념 잡기] Short Channel Effects, 단채널 효과 (feat. 반도체 면접/반도체 취업)](/img/tr.png)
![[개념 잡기] MOSFET, FinFET, GAA 비교 (feat. 반도체 취업/반도체 강의)](http://i.ytimg.com/vi/liJVL8k5BWc/mqdefault.jpg)
![[반도체 소자] DRAM 동작원리](/img/n.gif)
GIDL 설명 감사합니다. 그리고, GIDL 완화 방법으로 Underlap 구조로 하면, Source/drain 이 연결되지 않기 때문에 MOSFET이 아니라 MOS 일 뿐이지 않을까요? MOSFET이 되기 위해서는 Overlap은 필수입니다 (조금이라도 반드시 Overlap 되어야 MOSFET입니다). BCAT Cell Tr. 그림에서 S/D과 Gate는 Overlap 되어 있습니다. BCAT에서 Gate 전극을 Recess 해서 SiN 으로 채워서 Buried Gate로 만든 이유는 Underlap을 만들기 위함이 아닙니다. Gate 전극을 Buried 형대로 하면, Word Line과 Bit Line 간의 물리적인 거리가 멀어지기 때문에 Bit Line과 Word line 간의 기생 Cap 이 현저히 줄어 듭니다. Bit Line의 기생 Cap이 줄어 들면 Sensing Margin이 현저히 개선되기 때문에 Cell Cap 값이 크지 않아도 DRAM을 동작시킬 수 있습니다 (즉, Buried Gate를 사용하면 Cell Capacitor 만드는 사람들이 고생을 덜 해도 됩니다) Qimonda 에서 2008년 IEDM에서 발표한 "A 6F2 Buried Wordline DRAM Cell for 40nm and Beyond" 참고 하시기 바랍니다. Saddle-Fin 채널 구조는 Hynix에서 2006년 VLSI에 발표한 "Highly scalable saddle-fin (S-Fin) transistor for sub-50nm DRAM technology" 참고하시면 됩니다.
설명 대박이세요.머리에 쏙쏙입니다. 명강의 좋아요눌렀습니다! 반도체 소자에 대해 다른 강의도 가능하시면 부탁드립니다💙
진짜 잘 가르치신다...
cell tr 관련해서 공부하고 잇는 사람입니다. GIDL에 대해 다루어 주셔서 감사해요ㅎㅎ 전자과가 아니여서 이해안되엇는데 이해가 되엇네요... ㅎㅎ 다음에 시간이 되시면 Cell Tr의 트랩 특성에 대해 아신다면 부탁합니다.
감사합니다!
도움이 되었다니 정말 다행입니다 ㅎㅎㅎ
안녕하세요 질문이 있는데 GIDL은 Gate 전압이 꼭 0V여야할 때 발생하는 건가요 아니면 Gate 전압이 양전압이어도 B2B Tunneling이 일어날 만큼 Energy bending을 발생시킬 수 있는 Vgd 조건이라면 일어날 수 있는건가요?
후자가 맞아요. 꼭 0볼트에서 나타나는건 아닙니다 ㅎㅎ
0볼트 이상에서도 관찰되기도 하고, 게이트에 음전압 걸어도 관찰 안 될 수도 있어요.
다만 nmos기준 게이트 전압이 낮아질수록(음의 방향으로 커질수록) gidl이 더 심하게 일어납니다
안녕하세요. 강의 너무 잘 들었습니다. GIDL이 뭔지 여러 자료를 찾아봤지만 전공자가 아니라서 이해가 잘 안되었는데 많은 도움이 되었습니다.
질문이 하나 있는데.. NAND 에 대해서도 알고 계신지 모르겠지만..
이 GIDL 현상을 3D NAND에서는 ERASE 동작에 활용하고 있는데 왜 3D 에서는 GIDL ERASE가 유리한 방식인지 궁금합니다.
GIDL 현상을 이용해서 정공을 형성해서 채널로 주입한다고 하는데.. 그냥 ERASE 하는 방식과 어떤차이가 있는지.. 설명되어 있는 자료를 못찾겠네요 ㅜㅜ
혹시 아신다면 답변주시면 감사하겠습니다!!
좋은 강의 감사합니다!
underlap을 진행할 경우 Gate에 Vth 이상의 전압을 인가하였을 때 채널의 형성에는 문제가 없나요??
drain과 gate가 저렇게 떨어져 있을 경우 채널이 정상적으로 형성되는지가 궁금해서 질문남깁니다!
overlap 을 준 mosfet 보다
on-current는 감소하고 vt는 증가합니다 ㅎㅎ
작동은 정상적으로 됩니다.
저도 어느정도 영향이 있는지 수치적으로는 분석해본 적이 없네요..
구글에 "mosfet underlap vt" 로 이미지 검색하시면 측정이나 시뮬레이션 결과가 있을겁니다
@@KoreanChipmaker 감사합니다 찾아보겠습니다!
08:33 doping concentration을 낮춘다는것이 drain쪽의 도핑농도를 낮춘다는 말씀이신건가요?
ㅇㅇ 애초에 반도체에 도핑할 수 밖에 없을 뿐더러 반도체의 농도를 10^18 cm^-3 이상으로 한 것이 highly degenerated semiconductor 인데 이러면 페르미준위가 딱 거의 E_c 또는 E_v에 딱 붙고
그래프는 극적으로 변하게 됨. 이런 극적인 그래프에 다른 물질 접합하다보면 valence band와 conduction band의 간격이 좁아질텐데 valence band에 많이 있는 전자가 조금만 에너지 받아도 conduction band 로 넘어오는데 이게 터널링임. 이런 터널링을 Gidl의 하나로 본다고 강의에서 언급하신 것도 있음
Underlap을 적용할 경우 단점은 저항성분 증가로 볼 수 있겠죠??
네. 해서 현업에서는 underlap이 존재하지 않습니다.
안녕하세요. DRAM에대하여 처음부터 차분히 공부해보고싶은데 혹시 추천해주실만한 교재나 자료가있을까요?ㅠ 부탁드립니다
저도 특정 책을 보고 공부한건 아니라 잘 모르겠습니다만..
Springer사에서 나온 책 중에 논문을 편집해놓은 책들이 있습니다. "Springer DRAM" 으로 구글 검색 하셔서 나오는 책들 학교 도서관이나 이런데 가서 보시면 될겁니다. ㅎㅎ
gidl이 drain2drain 전자이동인데 I_bulk로 측정되는 이유는 무엇인가요?
생성된 정공은 바디로 나옵니다