Il progresso tecnologico questa volta ha dimostrato che non sempre fa danni... Encomiabile spiegazione, puntuale e dettagliata con tanto di prove reali. D'altronde Pier la tua forza risiede proprio in questo, la chiarezza e la semplicità(non approssimazione) in cui esponi tutto, l'uso della carta e delle penne colorate denota la volontà di non perdere tempo, poco e prezioso, concentrandosi sul contenuto. Le mirabolanti presentazioni si lasciano a chi ha contenuti deboli, scarsi. Come diceva Paolo Cevoli: fatti non pugnexxe... a presto.
Grazie Enzo per il commento. Chi progetta i sistemi di potenza e conversione di energia, in questi ultimi anni ha diverse armi in più per aumentare la densità di potenza. Si era partiti qualche anno fa con gli IGBT, che hanno coperto molte fasce nelle alte potenze, specialmente nella trazione elettrica, ma inizialmente con frequenze abbastanza basse. Nelle ultime versioni si trovano anche IGBT a frequenze più elevate ma con l'avvento di SiC and GAN, il paradigma cambia completamente, perché sono intrinsecamente veloci. Qui si parla di fattori di riduzione veramente notevoli e si usa il semiconduttore al massimo delle proprie potenzialità. Oramai il segmento delle auto elettriche, delle ricariche ad alta corrente e della conversione di potenza è invaso da questi nuovi dispositivi.
@@PierAisa Certo, la platea degli utilizzi si è enormemente ampliata e la ricerca e sviluppo di prodotti sempre più performanti lavora alacremente. Buon per noi e per tutti coloro che si "accontentano" della generazione precedente, si trovano stock di componenti di potenza a prezzi ora molto appetibili.
Interessantissimi! Mi solleticano idee malsane in classe C, HF, magari con tensioni superiori ai 12V.. Grazie Pier, sempre piacevolissima elegante professionalità!
Interessanti questi mosfet, che capacità di sostenere alte tensioni e correnti di peso mantenendo basse temperature. Grazie per i tuoi test e la parte teorica/tecnica introduttiva. C'è sempre da imparare guardandoti in laboratorio 🙂👍
Il finale con le scintille mi ha fatto ricordare esperimenti che facevo da ragazzetto con i trasformatori eat delle TV a CRT, archi voltaici a gogò! All'epoca però usavo ne555 e il 2n3055 ( il tutto fare). Come sempre complimenti per i video pratico/ teorici .
Quando ho letto SiC mi aspettavo anche qualcuno marchiato STMicroelectronics, essendo io coinvolto nella construction del grande impianto SiC di Catania. 😅 Sarà per la prossima. Grazie cmq per avere messo in pratica il potenziale del SiC
Fra i vari seminari, riuscirò a recuperare anche campioni ST, per una parte due. A Catania ci fu un periodo in cui sarebbe stata possibile una mia partecipazione.
Bellissime le scariche al finale del video qui ci vorrebbe un bel e nuovo video sulla bobina di Tesla che sarebbe ganzo vederlo in funzione Anche se ho gia visto alcuni video tuoi sulla bobina di Tesla Ottimo video dei MOSFET Sic e bellissime scariche elettriche grande Pier 😃😃 e buon weekend
Grazie Riccardo, sarebbe bello utilizzarli per un controller serio per Drsstc... se non lo conosci cerca Fabricio Franzoli... il teslaro numero uno al mondo!
Ciao Pier, come sempre prove utilissime, c'è da considerare un altro aspetto, il trr del diodo che è quasi inesistente e non rompe più di tanto rispetto ad un MOSFET al silicio.
Ottimo video complimenti, personalmente sto utilizzando i SIC mos in un progetto iniziato un paio d’anni fa e devo confessarti che è stata un’avventura 😂😂😂
Bisogna prenderci le misure... esiste anche il tema fondamentale del loro pilotaggio. Ci sono molte tecniche e dispositivi driver da analizzare. In bocca al lupo!
Ciao Pier! Bel video. Per quanto riguarda le tensioni in gioco, si avvicinano alle valvole ma con correnti da capogiro. Beliisiimi componenti che credo troveremo anche nei prossimi ampli hf e non solo. A quando un bel ampli hf con questi componenti? Grazie e, alla prossima!
Grazie, esatto con la tecnologia SiC ci spostiamo in un'area della curva V-I centrale... alte V, alte I e anche alte f!! Per l'ampli si potrebbe provare a partire modificando un amplificatore che usi mosfet, come il mitico di Nuova Elettronica a Hexfet
Video per me veramente interessante, nel mio lavoro, automazione industriale, si trovano ormai un po' dappertutto e hanno portato ad una riduzione notevole delle dimensioni, l'ultima saldatrice ad induzione da 50kw (made in Arezzo) che ho montato è poco più grande di una lavatrice, cosa impensabile fino a qualche anno fa, dove per potenze simili ci voleva un quadro di due metri per due e fra l'altro con un flusso di acqua per il raffreddamento ridicolo rispetto alle macchine a mosfet, senza parlare di quelle a triodo dove era quasi più la potenza dispersa di quella resa...😅 Una curiosità su alcune saldatrici cinesi a mosfet ho visto che per spegnere più rapidamente e in modo sicuro il semiconduttore viene utilizzato un circuito di pilotaggio push pull che va a polarizzare negativamente il gate di circa 4-5 volt, mi chiedevo se questo possa portare dei benefici anche sui dispositivi SIC...🤔
Si hanno vantaggi misurabili nella riduzione degli ingombri, grazie alla compattezza, sia del sistema di potenza, che del sistema di raffreddamento. Per quanto riguarda i Gate drive assolutamente si, anche per i SiC è previsto il pilotaggio del Gate con tensione bipolare. Ad esempio in questo modello di Infineon 1ED314xMU12F, viene gestito lo spegnimento con tensioni leggermente negative. Vedi il nodo VEE2, che può essere alimentato con tensione negativa, rif pag. 27 del datasheet. www.infineon.com/dgdl/Infineon-1ED314xMU12F-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185e8c38e856d7e
È abbastanza difficile da rompere il suo tallone d'Achille è il gate ovviamente che essendo realizzato con sottilissimi strati di ossido si può facilmente bucare se si eccede la massima tensione di 20 V e quindi opportuno prevedere delle protezioni per evitare i rimonti dalla potenza
Non pensavo fossero così resistenti, c'è proprio tanta differenza.. probabilmente in futuro saranno tutti SiC (ad es nel fotovoltaico, per gestire le stringhe)
Ciao Pier, questi componenti avranno anche costo superiore riguardo ai convenzionali, il loro utilizzo e per potenze elevate, sia per alimentatori e anche per l'audio? Buon weekend.
Una domanda, a 15:20 quando la tensione di polarizzazione viene aumentata sopra i 10V la corrente in uscita aumenta anch'essa, ma i mosfet non dovrebbero *non* assorbire corrente dal gate?
Ottima osservazione! In DC il gate essendo perfettamente isolato non deve assorbire corrente! Sospetto un contatto del positivo oltre che al gate del mosfet ad un altro punto del circuito... avevo i coccodrilli vicini perché attaccati ai terminali del mosfet
A livello tecnologico la loro produzione richiede soluzioni particolari che implichino un costo maggiore, o è solo legato al fatto che è una tecnologia relativamente nuova? da cui si può ipotizzare che in futuro, dopo l'ammortamento dei costi iniziali, si avrà un costo simile alla tecnologia al silicio ?
Il costo è più elevato, ma a fronte di performances più elevate. Chiaramente possiamo prevedere che, come è avvenuto per altri semiconduttori, come ad esempio per gli IGBT, negli ultimi anni ad esempio, l'aumento dei volumi di vendita favorirà ad abbassare i costi.
Ciao, appena riesco a riprendere le normali attività mi ci metto. Ora abbiamo la Maker Faire questo fine settimana. Ad ogni modo se te ne sei persa qualcuna le puoi trovare in questa lista cercando con la parola ripara www.pieraisa.it/videolist
🤔🤔🤔🤗💯👍💪Con questo video Pier mi hai risvegliato il mio vecchio sogno assopito di realizzare le reti di distribuzione elettrica in MT cittadine in Corrente Continua.💯👍🤔 Cosa ne pensi se questi nuovi dispositivi possano, con le loro caratteristiche decisamente migliori rispetto MOSFeT tradizionali attualmente utilizzati negli inverter degli impianti di trasformazione AC/DC per le reti in cavo di altissima tensione in corrente continua a 200/500 kV, portare anche ad un vantaggio economico tale da poter estendere l'attuale tecnologia dell'altissima tensione in cc HVCC anche nei cavi e nei sistemi per le reti cittadine in MT quindi 10/25 kV CA in modo da portare all'eliminazione dei trasformatori MT/BT nelle cabine secondarie cittadine, e contestualmente utilizzare in un futuro gli stessi cavi in CA per 25 kV CA riclassati a 30/35 kV in CC senza sostituirli e realizzare gli inverter da 35 kVDC/230/410 V in CA a 50 hz ? Io credo e spero di sì, il risparmio energetico sarebbe cospicuo sia per la minor dissipazione per irradiazione EMI sia per l'aumento della portata dei cavi con la riclassificazione, sia per la possibilità di eliminare le macchine di trasformazione elettromagnetiche con la loro grande dissipazione termica e le correnti di magnetizzazione che si ripercuotono sulle sezioni dei cavi sempre insufficienti....forse oserei dire 1/10 se non oltre di vantaggio economico......🤔🤔🤔
@@PierAisa Si, Pier, ovviamente facendo opportuni collegamenti serie, già si arriva con la vecchia tecnologia ad oltre 500 kV anche se secondo AI copilota di Bing, da me adesso interpellata, questi sistemi sarebbero già supportati da MOSFFET al carburo di silicio per la funzione di convertire energia da e per linee in cavo sottomarine di svariate centinaia di km. Il Tirrhenyan link di TERNA a 500 kV nel quale ho un microscopico suggerimento di ideazione in quanto ne parlai come suggerimento, con il mio ing. Capo allora direttore tecnico della UNARETI ( quando ne ero dipendente nella sede di Milano) poi Direttore di TERNA, mi risulta essere progettato in questo modo..... la cosa mi intriga.....💪👍💯🤔
@@robertoburrati2758 Insomma se vedo una grossa nuvola di fumo e sento un grosso boato in direzione nord qui da Bologna ... potrei avere un indizio sul fatto che stai facendo delle prove 😉
Salve Posso usarlo per pilotare una vecchia bobina accensione 12V da auto ? Oppure basta qualcosa di più semplice utilizzando come segnale una centralina creata x ingannare una ECU che suppongo non sia adatta a pilotare direttamente una bobina come farebbero le puntine ??? GRAZIE a chi risponde al mio PROBLEMINO ...
Puo' bastare anche un MOSFET a tensione più bassa perchè siamo al lato primario a bassa tensione 12V, come mostrato in questo video (th-cam.com/video/CAZ3ZGgZUxY/w-d-xo.html) e nonostante che ci sia un riferimento in comune non ci sono ritorni di extratensione. Per il pilotaggio del MOSFET si potrebbe usare un semplice Arduino e piccolo driver, per bypassare la centralina e la complessità dipende molto dal tipo di veicolo.
@@PierAisa Alfetta GTV2000 1980 sostituito le puntine con accensione elettronica e bobina potenziata, spara delle scariche KABAMMM ;-) l'idea è montare che ho già iuno centralina che nasce x lunch control e Bang BANG che mi serve durante la cambiate a fare un pochino di taglio accensione x agevolare a scendere giri motore in aiuto alla cambiata ! Purtroppo solo dopo ho scoperto che è specifico per ingannare impulso segnale accensione verso ECU e poiché dal filo accensione elettronica alla bobina ho sperimentato sulla mia pelle che interrompere la connessione TI SPARA una certa scossa, IMMAGINO CHE LA CENTRALINA nata x usare un semplice segnale mi sa che la friggo ....
Sono andato a vedermi il video ma onestamente non ho capito come potrei utilizzarlo con il problema che ti ho esposto nel precedente SPIGONE . GRAZIE comunque della risposta e prossimamente metterò in pratica qualche test Ciao PIER
@@PierAisa grazie comunque e sempre complimenti x il tuo IMMENSO LAVORO anche se molto complessi ma sicuramente di aiuto a cercare di capirne di più;-)
quando ho visto che sei andato fuori portata con l''oscilloscopio, mi sono chiesto come mai non fanno gli oscilloscopi col cambio di portata automatico come i multimetri, considerando che hanno gia' il tasto auto ma lo devi fare manualmente ...
Potrebbe risultare un po' scomodo, ad esempio immaginiamo un segnale con disturbi e spikes veloci, sarebbe continuamente in commutazione. Secondo me è meglio lasciare la regolazione all'utente che decide quale tipo di lente è meglio adottare per i suoi "occhiali" ad ogni occasione.
Da 50 previsti a 350 milliohm mi sembra tanto e' normale che datascheet differisca così tanto, non penso che aumentando corrente drain o aumentando tensione di gate possa dare i 50 milliohm previsti, quindi come interpretare datascheet e misure reali ???
La mia prova ha una polarizzazione diversa rispetto alla caratterizzazione del datasheet che è fatta a 25A e altre condizioni al contorno. Questo dispositivo è al Carburo di Silicio e quando viene portato vicino alla velocità di saturazione degli elettroni la RDS on arriverà al valore previsto. Non ho la stessa attrezzatura che usano per questo tipo di prova. Vedi ad esempio th-cam.com/video/3BIpCOOiHKw/w-d-xo.htmlsi=VJx2E5WTvSe-hoEv
@@PierAisa grazie dalla tua risposta mi viene da pensare che tu ritieni che esattamente quel componente che tu hai testato potrebbe realmente dare i 50milliohm dichiarati. Ti credo nonostante dalla mia poca esperienza avrei giurato che non potrebbe mai arrivare ai 50 milliohm dichiarati....
Il progresso tecnologico questa volta ha dimostrato che non sempre fa danni... Encomiabile spiegazione, puntuale e dettagliata con tanto di prove reali. D'altronde Pier la tua forza risiede proprio in questo, la chiarezza e la semplicità(non approssimazione) in cui esponi tutto, l'uso della carta e delle penne colorate denota la volontà di non perdere tempo, poco e prezioso, concentrandosi sul contenuto. Le mirabolanti presentazioni si lasciano a chi ha contenuti deboli, scarsi. Come diceva Paolo Cevoli: fatti non pugnexxe... a presto.
Grazie Enzo per il commento. Chi progetta i sistemi di potenza e conversione di energia, in questi ultimi anni ha diverse armi in più per aumentare la densità di potenza. Si era partiti qualche anno fa con gli IGBT, che hanno coperto molte fasce nelle alte potenze, specialmente nella trazione elettrica, ma inizialmente con frequenze abbastanza basse. Nelle ultime versioni si trovano anche IGBT a frequenze più elevate ma con l'avvento di SiC and GAN, il paradigma cambia completamente, perché sono intrinsecamente veloci. Qui si parla di fattori di riduzione veramente notevoli e si usa il semiconduttore al massimo delle proprie potenzialità. Oramai il segmento delle auto elettriche, delle ricariche ad alta corrente e della conversione di potenza è invaso da questi nuovi dispositivi.
@@PierAisa Certo, la platea degli utilizzi si è enormemente ampliata e la ricerca e sviluppo di prodotti sempre più performanti lavora alacremente. Buon per noi e per tutti coloro che si "accontentano" della generazione precedente, si trovano stock di componenti di potenza a prezzi ora molto appetibili.
Ciao Pier, grazie per l'ampia presentazione\Conto di vederne prossime applicazioni pratiche!
Argomento e video molto interessante come sempre! 😁
Interessantissimi! Mi solleticano idee malsane in classe C, HF, magari con tensioni superiori ai 12V.. Grazie Pier, sempre piacevolissima elegante professionalità!
Grazie questa tecnologia è tutta da scoprire in tanti ambiti!! Ci vediamo alla prossima!
Interessanti questi mosfet, che capacità di sostenere alte tensioni e correnti di peso mantenendo basse temperature. Grazie per i tuoi test e la parte teorica/tecnica introduttiva. C'è sempre da imparare guardandoti in laboratorio 🙂👍
Grazie Walter, la cosa ancora più bella (e non accade sempre) è quando la pratica conferma la teoria.
👍👍👍 spettacolo la prova pratica finale con quella scarica!!!
⚡⚡
Il finale con le scintille mi ha fatto ricordare esperimenti che facevo da ragazzetto con i trasformatori eat delle TV a CRT, archi voltaici a gogò! All'epoca però usavo ne555 e il 2n3055 ( il tutto fare).
Come sempre complimenti per i video pratico/ teorici .
Il trasformatore di riga e 2N3055.... una coppia intramontabile
Pier, grazie!
Aspettavo un bell'esame approfondito sui SiC che mi serviranno in un prossimo progetto!
tanta potenza!
Quando ho letto SiC mi aspettavo anche qualcuno marchiato STMicroelectronics, essendo io coinvolto nella construction del grande impianto SiC di Catania. 😅 Sarà per la prossima. Grazie cmq per avere messo in pratica il potenziale del SiC
Fra i vari seminari, riuscirò a recuperare anche campioni ST, per una parte due. A Catania ci fu un periodo in cui sarebbe stata possibile una mia partecipazione.
Caspita che Super Mosfet, grazie Pier per l'esaustiva teroria e pratica. 🙂
Grazie!!
Bellissime le scariche al finale del video qui ci vorrebbe un bel e nuovo video sulla bobina di Tesla che sarebbe ganzo vederlo in funzione
Anche se ho gia visto alcuni video tuoi sulla bobina di Tesla
Ottimo video dei MOSFET Sic e bellissime scariche elettriche grande Pier 😃😃 e buon weekend
Grazie Riccardo, sarebbe bello utilizzarli per un controller serio per Drsstc... se non lo conosci cerca Fabricio Franzoli... il teslaro numero uno al mondo!
@@PierAisa ok lo cercherò questo Fabricio Franzoli 😃
Bellissimo test e ottima tecnologia. 👍Adesso aspettiamo un bella comparativa con dei GaN (Nitruro di Gallio)👋
Grazie! Con l'occasione potremmo fare un tracciacurve differenziale, così vediamo le curve V-I in differenza
Ciao Pier, complimenti ora ci aspettiamo un bel kit amplificatore con questi SIC così da apprezzarli anche in campo audio.Salutoni
Tutti da scoprire
Si in effetti Yamaha è Sony avevano una cinquantina di anni fa fatto dei ampli al carburo di silicio chiamati V-Fet. Con curve belle dritte 😂
@emanueledionisi855 da approfondire... Io rimasi molto colpito tanti anni fa quando uscì l'ampli Nuova Elettronica a IGBT...
Interessante esperimento. Molto professionale
Ciao Pier, come sempre prove utilissime, c'è da considerare un altro aspetto, il trr del diodo che è quasi inesistente e non rompe più di tanto rispetto ad un MOSFET al silicio.
Esatto... spesso questo diodo ricavato dallo stesso silicio del mosfet è troppo lento e richiede che esternamente esista un diodo veloce in parallelo
Interessante ! In questi utilizzi strani a volte trovare i componenti che reggano non è scontato , sinceramente non sapevo neanche che esistessero !
Grazie per il commento, fra po' guarderemo anche i cuginetti... i GaN
Ottimo video complimenti, personalmente sto utilizzando i SIC mos in un progetto iniziato un paio d’anni fa e devo confessarti che è stata un’avventura 😂😂😂
Bisogna prenderci le misure... esiste anche il tema fondamentale del loro pilotaggio. Ci sono molte tecniche e dispositivi driver da analizzare. In bocca al lupo!
@@PierAisaGrazie ma oramai è troppo tardi visto che ho già sbattuto più volte la testa 😂😂😂 La vera rogna è stata la protezione dai cc…
@@72ricci eh già... le protezioni sono sempre una croce e possono determinare il successo di un'applicazione
Ciao Pier! Bel video. Per quanto riguarda le tensioni in gioco, si avvicinano alle valvole ma con correnti da capogiro. Beliisiimi componenti che credo troveremo anche nei prossimi ampli hf e non solo. A quando un bel ampli hf con questi componenti? Grazie e, alla prossima!
Grazie, esatto con la tecnologia SiC ci spostiamo in un'area della curva V-I centrale... alte V, alte I e anche alte f!! Per l'ampli si potrebbe provare a partire modificando un amplificatore che usi mosfet, come il mitico di Nuova Elettronica a Hexfet
Molto interessante Pier, grazie mille 💯👏🤗
Si aprono nuovi scenari
Bravo Pier , spiegato molto bene
Grazie, sono dispositivi molto interessanti. Sarebbe interessanti valutarlo anche in un bell'ampli audio
Ho rivisto il video troppo interessante... Complimenti Grazie 😍😍
Bellissimo video!!!👏👏👏😮😮
Video per me veramente interessante, nel mio lavoro, automazione industriale, si trovano ormai un po' dappertutto e hanno portato ad una riduzione notevole delle dimensioni, l'ultima saldatrice ad induzione da 50kw (made in Arezzo) che ho montato è poco più grande di una lavatrice, cosa impensabile fino a qualche anno fa, dove per potenze simili ci voleva un quadro di due metri per due e fra l'altro con un flusso di acqua per il raffreddamento ridicolo rispetto alle macchine a mosfet, senza parlare di quelle a triodo dove era quasi più la potenza dispersa di quella resa...😅 Una curiosità su alcune saldatrici cinesi a mosfet ho visto che per spegnere più rapidamente e in modo sicuro il semiconduttore viene utilizzato un circuito di pilotaggio push pull che va a polarizzare negativamente il gate di circa 4-5 volt, mi chiedevo se questo possa portare dei benefici anche sui dispositivi SIC...🤔
Si hanno vantaggi misurabili nella riduzione degli ingombri, grazie alla compattezza, sia del sistema di potenza, che del sistema di raffreddamento. Per quanto riguarda i Gate drive assolutamente si, anche per i SiC è previsto il pilotaggio del Gate con tensione bipolare. Ad esempio in questo modello di Infineon 1ED314xMU12F, viene gestito lo spegnimento con tensioni leggermente negative. Vedi il nodo VEE2, che può essere alimentato con tensione negativa, rif pag. 27 del datasheet. www.infineon.com/dgdl/Infineon-1ED314xMU12F-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185e8c38e856d7e
bravissimo Pier! molto bello!!!!
Questa è una tecnologia molto promettente e già adesso è impiegata molto nell'ambito delle ricariche elettriche
@@PierAisa impressionante l’incremento di prestazioni …
Ciao Pier ,un mosfet bello tosto un Buldozer direi ahahahahahahah da tenere in considerazione se servono alte potenze .......
È abbastanza difficile da rompere il suo tallone d'Achille è il gate ovviamente che essendo realizzato con sottilissimi strati di ossido si può facilmente bucare se si eccede la massima tensione di 20 V e quindi opportuno prevedere delle protezioni per evitare i rimonti dalla potenza
Non pensavo fossero così resistenti, c'è proprio tanta differenza.. probabilmente in futuro saranno tutti SiC (ad es nel fotovoltaico, per gestire le stringhe)
Se guardiamo oggi in ambito auto elettriche, conversione di potenza, fotovoltaico, eolico... hanno invaso il mercato come fecero gli IGBT 20 anni fa
Ciao Pier, questi componenti avranno anche costo superiore riguardo ai convenzionali, il loro utilizzo e per potenze elevate, sia per alimentatori e anche per l'audio? Buon weekend.
Si esatto non affrontato il tema costi, in proporzione ai vecchi mosfet costano di più... ma offrono molto di più!
Una domanda, a 15:20 quando la tensione di polarizzazione viene aumentata sopra i 10V la corrente in uscita aumenta anch'essa, ma i mosfet non dovrebbero *non* assorbire corrente dal gate?
Ottima osservazione! In DC il gate essendo perfettamente isolato non deve assorbire corrente! Sospetto un contatto del positivo oltre che al gate del mosfet ad un altro punto del circuito... avevo i coccodrilli vicini perché attaccati ai terminali del mosfet
Ciao Pier, una curiosità, la voce robotica femminile alla fine del video è tratta da "Alien Breed" gioco Amiga? :)
.... devo verificare, ma potrebbe essere
Il sadico Pier che tortura dei semiconduttori ;-)
Non ditelo alla "Lega per la protezione dei diritti del MOSFET", 😉
A livello tecnologico la loro produzione richiede soluzioni particolari che implichino un costo maggiore, o è solo legato al fatto che è una tecnologia relativamente nuova? da cui si può ipotizzare che in futuro, dopo l'ammortamento dei costi iniziali, si avrà un costo simile alla tecnologia al silicio ?
Il costo è più elevato, ma a fronte di performances più elevate. Chiaramente possiamo prevedere che, come è avvenuto per altri semiconduttori, come ad esempio per gli IGBT, negli ultimi anni ad esempio, l'aumento dei volumi di vendita favorirà ad abbassare i costi.
Novità assoluta per me. Grazie pier, come sempre esaustivo e completo.
consigliatissimi i SiC.
buonasera Pier quanto fai le riparazioni
Ciao, appena riesco a riprendere le normali attività mi ci metto. Ora abbiamo la Maker Faire questo fine settimana. Ad ogni modo se te ne sei persa qualcuna le puoi trovare in questa lista cercando con la parola ripara www.pieraisa.it/videolist
🤔🤔🤔🤗💯👍💪Con questo video Pier mi hai risvegliato il mio vecchio sogno assopito di realizzare le reti di distribuzione elettrica in MT cittadine in Corrente Continua.💯👍🤔 Cosa ne pensi se questi nuovi dispositivi possano, con le loro caratteristiche decisamente migliori rispetto MOSFeT tradizionali attualmente utilizzati negli inverter degli impianti di trasformazione AC/DC per le reti in cavo di altissima tensione in corrente continua a 200/500 kV, portare anche ad un vantaggio economico tale da poter estendere l'attuale tecnologia dell'altissima tensione in cc HVCC anche nei cavi e nei sistemi per le reti cittadine in MT quindi 10/25 kV CA in modo da portare all'eliminazione dei trasformatori MT/BT nelle cabine secondarie cittadine, e contestualmente utilizzare in un futuro gli stessi cavi in CA per 25 kV CA riclassati a 30/35 kV in CC senza sostituirli e realizzare gli inverter da 35 kVDC/230/410 V in CA a 50 hz ? Io credo e spero di sì, il risparmio energetico sarebbe cospicuo sia per la minor dissipazione per irradiazione EMI sia per l'aumento della portata dei cavi con la riclassificazione, sia per la possibilità di eliminare le macchine di trasformazione elettromagnetiche con la loro grande dissipazione termica e le correnti di magnetizzazione che si ripercuotono sulle sezioni dei cavi sempre insufficienti....forse oserei dire 1/10 se non oltre di vantaggio economico......🤔🤔🤔
A dream comes true... i costruttori Rohm e Wolfspeed propongono SiC con tensioni fino a 10 kV
@@PierAisa Si, Pier, ovviamente facendo opportuni collegamenti serie, già si arriva con la vecchia tecnologia ad oltre 500 kV anche se secondo AI copilota di Bing, da me adesso interpellata, questi sistemi sarebbero già supportati da MOSFFET al carburo di silicio per la funzione di convertire energia da e per linee in cavo sottomarine di svariate centinaia di km. Il Tirrhenyan link di TERNA a 500 kV nel quale ho un microscopico suggerimento di ideazione in quanto ne parlai come suggerimento, con il mio ing. Capo allora direttore tecnico della UNARETI ( quando ne ero dipendente nella sede di Milano) poi Direttore di TERNA, mi risulta essere progettato in questo modo..... la cosa mi intriga.....💪👍💯🤔
@@robertoburrati2758 Insomma se vedo una grossa nuvola di fumo e sento un grosso boato in direzione nord qui da Bologna ... potrei avere un indizio sul fatto che stai facendo delle prove 😉
Salve
Posso usarlo per pilotare una vecchia bobina accensione 12V da auto ?
Oppure basta qualcosa di più semplice utilizzando come segnale una centralina creata x ingannare una ECU che suppongo non sia adatta a pilotare direttamente una bobina come farebbero le puntine ???
GRAZIE a chi risponde al mio PROBLEMINO ...
Puo' bastare anche un MOSFET a tensione più bassa perchè siamo al lato primario a bassa tensione 12V, come mostrato in questo video (th-cam.com/video/CAZ3ZGgZUxY/w-d-xo.html) e nonostante che ci sia un riferimento in comune non ci sono ritorni di extratensione. Per il pilotaggio del MOSFET si potrebbe usare un semplice Arduino e piccolo driver, per bypassare la centralina e la complessità dipende molto dal tipo di veicolo.
@@PierAisa Alfetta GTV2000 1980 sostituito le puntine con accensione elettronica e bobina potenziata, spara delle scariche KABAMMM ;-)
l'idea è montare che ho già iuno centralina che nasce x lunch control e Bang BANG che mi serve durante la cambiate a fare un pochino di taglio accensione x agevolare a scendere giri motore in aiuto alla cambiata !
Purtroppo solo dopo ho scoperto che è specifico per ingannare impulso segnale accensione verso ECU e poiché dal filo accensione elettronica alla bobina ho sperimentato sulla mia pelle che interrompere la connessione TI SPARA una certa scossa, IMMAGINO CHE LA CENTRALINA nata x usare un semplice segnale mi sa che la friggo ....
Sono andato a vedermi il video ma onestamente non ho capito come potrei utilizzarlo con il problema che ti ho esposto nel precedente SPIGONE .
GRAZIE comunque della risposta e prossimamente metterò in pratica qualche test
Ciao PIER
@@TTTEMPESTTT nel tuo caso non è applicabile, non avevo inteso prima della tua risposta il tuo obiettivo
@@PierAisa grazie comunque e sempre complimenti x il tuo IMMENSO LAVORO anche se molto complessi ma sicuramente di aiuto a cercare di capirne di più;-)
quando ho visto che sei andato fuori portata con l''oscilloscopio, mi sono chiesto come mai non fanno gli oscilloscopi col cambio di portata automatico come i multimetri, considerando che hanno gia' il tasto auto ma lo devi fare manualmente ...
Potrebbe risultare un po' scomodo, ad esempio immaginiamo un segnale con disturbi e spikes veloci, sarebbe continuamente in commutazione. Secondo me è meglio lasciare la regolazione all'utente che decide quale tipo di lente è meglio adottare per i suoi "occhiali" ad ogni occasione.
😀😀😀
Da 50 previsti a 350 milliohm mi sembra tanto e' normale che datascheet differisca così tanto, non penso che aumentando corrente drain o aumentando tensione di gate possa dare i 50 milliohm previsti, quindi come interpretare datascheet e misure reali ???
La mia prova ha una polarizzazione diversa rispetto alla caratterizzazione del datasheet che è fatta a 25A e altre condizioni al contorno. Questo dispositivo è al Carburo di Silicio e quando viene portato vicino alla velocità di saturazione degli elettroni la RDS on arriverà al valore previsto. Non ho la stessa attrezzatura che usano per questo tipo di prova. Vedi ad esempio th-cam.com/video/3BIpCOOiHKw/w-d-xo.htmlsi=VJx2E5WTvSe-hoEv
@@PierAisa grazie dalla tua risposta mi viene da pensare che tu ritieni che esattamente quel componente che tu hai testato potrebbe realmente dare i 50milliohm dichiarati. Ti credo nonostante dalla mia poca esperienza avrei giurato che non potrebbe mai arrivare ai 50 milliohm dichiarati....
@antonioprevitali4758 Si si ci arriva, è un componente originale Infineon. Il limite è il mio. Ma vedo come posso fare per arrivarci
@@PierAisa urka che laboratorio! 😱😱
Domanda: lo userai sulla Tesla per far cantare a suon di musica? 🙂
Plasma Tweeter.... perfetti con i SiC.... sappiamo che tagliano in basso, ma è comunque molto suggestivo
praticamente la resistenzina funge da bleeder per saricare la capacita' del gate,
Sì esatto metodo primitivo ma efficace
Woww hai un BOTtto di pubblico nei commenti
i BOT ti seguono dovunque... come le email 😉