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I like the blend to those stories 😂
Glad that you like it as much as me!
TSMC 5nm SRAM&Core PMOS都是SiGe channel，3nm only Core device用到SiGe channel。目前Samsung 4nm，Intel 4/3nm没看到SiGe channel。
SiGe非常麻煩的，passivation Dit 很難，其他process 還有一堆問題(Ge diffusion, N/P boundaries, etc.)，所以Samsung 與 Intel 研究很久，但根本沒有真正用過，台積若真正能做，確實世界第一，沒話說，以下是個人臆測，純屬參考用:但台積沒有公開說3nm用SiGe，5nm/3nm 其實fin變化不太大，5nm能用，3nm應該都繼續用，如果台積3nm用SiGe，應該也會宣傳，大家必大大喊讚，但台積沒說，這就令人有些疑惑，因為一個新的，厲害的，大家都做不出來只有你會的，會形成一個new baseline, 若只用一代，那就怪怪的
@@王不老說半导台积一向不喜欢透漏细节，我是看到techinsights报告，TEM比IEDM paper透漏了更多细节。而且N3比N5 Ge concentration略低，可能是量产过程中碰到问题。N3采用了一种非常巧妙的方法来解决NP boundary问题，side effect就是SRAM面积几乎没有微缩。
@@王不老說半导 Finflex PPA足夠應該就不需要高風險的技術了XD
@@王不老說半导 想問老師 SiGe 的concern 主要會落在 long term reliability (BTI, TDDB..) 還是會落在Performance上(Dit SS Leak...)
SiGe 其实有利於reliability bc VBO better. IBM 有paper..他的主要问题在介面缺陷及SD必须上调Ge, 以保持strain, 但Ge 会熔点下降.. boron diffusion 也是问题.因为junction steepness 会出问题
你甚麼都想說 但越講越混亂 然後影片越做越長...最後有點不知所云 最常感覺的在不同主題 然後看到類似的內容
謝謝批評，我做視評，主要是自我學習，也是一種摸索的過程，必有自己一些不成熟的特色，所以有些自我感覺良好的缺點，但也是沒辦法，若想深入探討某課題，可以提出一個真正問題，例如以下讀者與我對CNL的細節討論:th-cam.com/video/n4R4rt7dLFg/w-d-xo.htmlsi=kuOkpE2jWC98i22n或者到清華大學選我的課，也無任任歡迎的
I like the blend to those stories 😂
Glad that you like it as much as me!
TSMC 5nm SRAM&Core PMOS都是SiGe channel，3nm only Core device用到SiGe channel。目前Samsung 4nm，Intel 4/3nm没看到SiGe channel。
SiGe非常麻煩的，passivation Dit 很難，其他process 還有一堆問題(Ge diffusion, N/P boundaries, etc.)，所以Samsung 與 Intel 研究很久，但根本沒有真正用過，台積若真正能做，確實世界第一，沒話說，以下是個人臆測，純屬參考用:
但台積沒有公開說3nm用SiGe，5nm/3nm 其實fin變化不太大，5nm能用，3nm應該都繼續用，如果台積3nm用SiGe，應該也會宣傳，大家必大大喊讚，但台積沒說，這就令人有些疑惑，因為一個新的，厲害的，大家都做不出來只有你會的，會形成一個new baseline, 若只用一代，那就怪怪的
@@王不老說半导台积一向不喜欢透漏细节，我是看到techinsights报告，TEM比IEDM paper透漏了更多细节。而且N3比N5 Ge concentration略低，可能是量产过程中碰到问题。N3采用了一种非常巧妙的方法来解决NP boundary问题，side effect就是SRAM面积几乎没有微缩。
@@王不老說半导 Finflex PPA足夠應該就不需要高風險的技術了XD
@@王不老說半导 想問老師 SiGe 的concern 主要會落在 long term reliability (BTI, TDDB..) 還是會落在Performance上(Dit SS Leak...)
SiGe 其实有利於reliability bc VBO better. IBM 有paper..
他的主要问题在介面缺陷及SD必须上调Ge, 以保持strain, 但Ge 会熔点下降.. boron diffusion 也是问题.因为junction steepness 会出问题
你甚麼都想說 但越講越混亂 然後影片越做越長...最後有點不知所云 最常感覺的在不同主題 然後看到類似的內容
謝謝批評，我做視評，主要是自我學習，也是一種摸索的過程，必有自己一些不成熟的特色，所以有些自我感覺良好的缺點，但也是沒辦法，若想深入探討某課題，可以提出一個真正問題，例如以下讀者與我對CNL的細節討論:
th-cam.com/video/n4R4rt7dLFg/w-d-xo.htmlsi=kuOkpE2jWC98i22n
或者到清華大學選我的課，也無任任歡迎的