Огромное Спасибо!!! Четко ясно лаконично кратко ёмко доходчиво. Огромная благодарность низкий поклон за ваш не оценимый труд.Светлые мысли во тьму моего серого вещества.
в первую очередь хочу сказать огромное СПАСИБО за Ваши видеолекции, мне кажется я бы сейчас работал на другой специальности если б мне так же в техникуме преподавали пром.электронику.В даташите на IRF3205PBF написано сопротивление в открытом состоянии 8мОм,на практике еще не замерял,но обязательно попробую. Правда весомый ток D - S для этого транзистора найти будет не так то просто....
для получения низкого сопротивления открытого канала силовые МОП транзисторы, тот же IRF3205PBF, представляют собой множество параллельно включенных транзисторов в одном корпусе. Тоже самое, как множество параллельно включенных сопротивлений дают более низкое эквивалентное сопротивление
Уважаемый Анатолий Борисович. Спасибо Вам за лекцию. Однако у меня есть вопрос. Подскажите пожалуйста, на 10:22 у Вас изображён верхний МОП p-канальный транзистор истоком к -27В. Однако было сказано, для p-канальных транзисторов Uds < 0, а в данном случае получается что S = -27, а D гипотетически будет замкнут на землю (когда откроется второй - нижний транзистор). Получается Uds = 0 - (-27) = +27В, что противоречит типу включения p-канального МОП транзистора. Так и должно быть, т.е. за счёт этого достигается необходимый номинал сопротивления, или на схеме ошибка ? Заранее, спасибо за ответ.
верхний транзистор подключен к цепи питания СТОКОМ(исток всегда расположен рядом с ЗАТВОРОМ_. Просто для формирования заданной величины сопротивления канала верхнего транзистора его подложка подключена к СТОКУ
@@Zefar91 Ага, понятно. Всё встало на свои места, Вы какраз вначале говорите что затвор изолирован от канала и транзистор управляется завтором и подложкой. Т.е. по сути, мы меняем сопротивление, подавая на подложку-затвор соответствующие напряжения. Спасибо что прояснили.
@@alexrus1324 В видео не оговорка, для получения низкого сопротивления открытого канала силовые МОП транзисторы, тот же irfz44 представляют собой множество параллельно включенных транзисторов в одном корпусе. Тоже самое, как множество параллельно включенных сопротивлений дают более низкое эквивалентное сопротивление
а я не понял! сопротивление открытого транзистора доли ома, откуда 4к ? "С помощью технологических изменений Uотс мы можем менять. Обычно его выбирают 1/3 Епит" Ну МЫ менять не можем, его обеспечивает производитель транзистора. К тому же откуда производитель знает, какое Епит мы будем использовать, чтобы 1/3 обеспечить?
Вот да, кто бы стал использовать мосфеты с сопротивлением в килоомы, тот же блок питания на мосфетах может выдавать 30 Ампер, этот транзистор превратился бы в звезду мнновенно
Всем привет. Я так же как и Вы изучаю электротехнику и электронику по этим видео, за что большое спасибо и мой поклон автору курса и его команде. В процессе изучения, многое проверяю на практике. Решил записывать на камеру практические работы и выкладывать у себя на канале. Если у Вас нет соответствующего оборудования, времени и т.д., что бы самостоятельно провести необходимые эксперименты. Или Вас одолевает любопытство, как это работает на практике, то добро пожаловать. Практика по данной лекции: th-cam.com/video/ZVM-UngBItU/w-d-xo.html
Та ну! Відкритий канал має опір декілька ом, а силові - декілька міліом. Різниця тільки в кількості носіїв зарядів та відповідно - у максимальному струмі. Логічні елементи: декілька міліампер, силові: декілька сотень ампер.
Фууууу!!! Бесполезная железяка. Нафиг он кому нужен с 4 кОм сопротивления при открытом состоянии? Этим током только нормальный биполярник открывать, больше никуда не годится.
![BOWKYLION - เจ้านายคะ (work-life imbalance) [Official MV]](http://i.ytimg.com/vi/6bFj8G2pOi4/mqdefault.jpg)
Спасибо большое профессору за такой замечательный канал! Какой труд!! Очень полезно!!! Еще раз спасибо!!
Огромное Спасибо!!! Четко ясно лаконично кратко ёмко доходчиво. Огромная благодарность низкий поклон за ваш не оценимый труд.Светлые мысли во тьму моего серого вещества.
Спасибо огромное за видео! Учусь на электронщика)) побольше бы просмотров этим роликам...
Профессор, спасибо :-) Три курса элтеха универа и 4 года практики электроником, а всё равно приятно ваши лекции смотреть.
Спасибо вам большое, благодаря вам поняла принцип работы
Отличный курс!
СПАСИБО!
Gracias!!!
Спасибо! А то на электронике не дают ничего, а спрашивают как с ученых
в первую очередь хочу сказать огромное СПАСИБО за Ваши видеолекции, мне кажется я бы сейчас работал на другой специальности если б мне так же в техникуме преподавали пром.электронику.В даташите на IRF3205PBF написано сопротивление в открытом состоянии 8мОм,на практике еще не замерял,но обязательно попробую. Правда весомый ток D - S для этого транзистора найти будет не так то просто....
для получения низкого сопротивления открытого канала силовые МОП транзисторы, тот же IRF3205PBF, представляют собой множество параллельно включенных транзисторов в одном корпусе. Тоже самое, как множество параллельно включенных сопротивлений дают более низкое эквивалентное сопротивление
от Бога
Мне кажется, что на 10:22 затвор изображен неправильно. Складывается ощущение, что подлодка связана со стоком, а не истоком.
Пжста не забывайте про правило относительности, когда говорите о напряжении в одной точке.
Уважаемый Анатолий Борисович. Спасибо Вам за лекцию. Однако у меня есть вопрос. Подскажите пожалуйста, на 10:22 у Вас изображён верхний МОП p-канальный транзистор истоком к -27В. Однако было сказано, для p-канальных транзисторов Uds < 0, а в данном случае получается что S = -27, а D гипотетически будет замкнут на землю (когда откроется второй - нижний транзистор). Получается Uds = 0 - (-27) = +27В, что противоречит типу включения p-канального МОП транзистора. Так и должно быть, т.е. за счёт этого достигается необходимый номинал сопротивления, или на схеме ошибка ?
Заранее, спасибо за ответ.
верхний транзистор подключен к цепи питания СТОКОМ(исток всегда расположен рядом с ЗАТВОРОМ_. Просто для формирования заданной величины сопротивления канала верхнего транзистора его подложка подключена к СТОКУ
@@Zefar91 Ага, понятно. Всё встало на свои места, Вы какраз вначале говорите что затвор изолирован от канала и транзистор управляется завтором и подложкой. Т.е. по сути, мы меняем сопротивление, подавая на подложку-затвор соответствующие напряжения. Спасибо что прояснили.
Разве R_ds_on не единицы Ом и меньше? 8:10
Думаю это просто оговорка, поправьте, если я не прав.
@@mika34444 irfz44 например. Его сопротивление открытого канала 0.0175 Ом... Так что в видео оговорка.
@@alexrus1324 В видео не оговорка, для получения низкого сопротивления открытого канала силовые МОП транзисторы, тот же irfz44 представляют собой множество параллельно включенных транзисторов в одном корпусе. Тоже самое, как множество параллельно включенных сопротивлений дают более низкое эквивалентное сопротивление
@@deusvecumest примерно 200 тысяч паралельных транзисторов в одном корпусе? 4к/0.0175= 228571 штук
Это вам не радиолюбитель tv. Старая школа.
а я не понял! сопротивление открытого транзистора доли ома, откуда 4к ? "С помощью технологических изменений Uотс мы можем менять. Обычно его выбирают 1/3 Епит" Ну МЫ менять не можем, его обеспечивает производитель транзистора. К тому же откуда производитель знает, какое Епит мы будем использовать, чтобы 1/3 обеспечить?
Вот да, кто бы стал использовать мосфеты с сопротивлением в килоомы, тот же блок питания на мосфетах может выдавать 30 Ампер, этот транзистор превратился бы в звезду мнновенно
Всем привет. Я так же как и Вы изучаю электротехнику и электронику по этим видео, за что большое спасибо и мой поклон автору курса и его команде. В процессе изучения, многое проверяю на практике. Решил записывать на камеру практические работы и выкладывать у себя на канале. Если у Вас нет соответствующего оборудования, времени и т.д., что бы самостоятельно провести необходимые эксперименты. Или Вас одолевает любопытство, как это работает на практике, то добро пожаловать.
Практика по данной лекции: th-cam.com/video/ZVM-UngBItU/w-d-xo.html
Как исправить автотитры? Это ж издевательство.
n-транзистор - это нормально запертый транзистор, а p-транзистор - это плохо запертый транзистор
О конденсаторе на затворе ничего не сказано.
Вообще не рассмотрены качественно процессы происходящие а МОП транзисторе. Физика работы МОП-транзистора вообще не раскрыта. Просто общая болтовня.
Та ну! Відкритий канал має опір декілька ом, а силові - декілька міліом. Різниця тільки в кількості носіїв зарядів та відповідно - у максимальному струмі. Логічні елементи: декілька міліампер, силові: декілька сотень ампер.
Фууууу!!! Бесполезная железяка. Нафиг он кому нужен с 4 кОм сопротивления при открытом состоянии? Этим током только нормальный биполярник открывать, больше никуда не годится.
Транзистор котэ315 может хорошо открытся при 40 кило, ну омах. Такой каскад влепить - мосфет котэ315 и силовой транзистор