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動画見て頂きありがとうございます。何かと廃れていきそうなハンコ文化の最先端技術です!
され続けていますよなあるかもです
ハーフピッチでいえば14nmまでできるので解像度に限ればeuvに追い付けそうですが、やはり歩留まりは課題ですね。ニコンの仇をキヤノンが取ってくれると信じてます。
EUVで10nmを切る加工をはじめています。14nmだとDUV液浸との競争。ナノインプリントは20年以上前から現実的なスピード検査技術がないという理由で盛り上がってはポシャるのを繰り返している。40nmくらいの時代からです。
IBMはシリコン原子一個・一個制御して回路を作ろうとしています。日本ははるかに遅れています。
わかりやすい説明ありがとうございます。最初日経でこのニュースを知ってとても興奮しました。あとはいつまでに実用化、製品化してくれるかですよね。技術動向の進展を今後も是非トレースしてほしいです。ただキヤノンさんは過去に最先端技術のチャレンジして途中で頓挫したような記憶があるのでちょっと心配ですが、国家プロジェクトでやってでも成功してほしいと思いました。
コメントありがとうございます!チャレンジする企業をサポートできる国・社会になってほしいと思います。
納得し、理解しました!ただ、押し付けただけではレジストを押しのけるの困難なエリアも出てくるでしょう、その場合の剥離は簡単に出来るのですか?他の残ったレジストに影響が出なければよいのですが。
ナノインプリントは20年以上前から検査で関わってきました。この技術はオリンピックと同じような周期盛り上がり、同じ理由で収束する。現実的なスピードの検査技術が一つのボトムネックで毎回終わる。
コメントありがとうございます!フォトリソグラフィ以外にも半導体製造プロセスが存在することを初めて知りました。個人的には、半導体を作る最適な技術ではないにしても、別の分野の技術に応用される可能性も含めて存続してほしいなと思います。
@@gokubinoshiya さん その程度の知識でネットで発信するのは害悪でかない。エッチング、CVD,、PVD、洗浄、イオン注入、CMPなどの工程があり、その概要は本でもネットでもいくらでも情報はある。ナノインプリントは半導体以外で実用化されていますが、最先端の半導体でナノインプリントはマスク検査がボトムネックになるので、そこがボトムネックになっています。3D NANDはそこまで微細加工は必要がないですが、競争相手はArF DraやKrFのリソです。EUVは競争相手にならないので、十分実績のあるプロセスとの競争になり、勝ち目はない。
ネットで情報発信するために必要な知識量等あるのでしょうか?Hasebeさんはよく現状をご存じかと思いますが、今まで知らなった人が新たに知り、今後を考えることにも意味はあるのではないでしょうか?私は半導体業界での勝ち負けを決める立場ではないので、あくまで中立的ですが、Hasebeさんのように現場に関わるコメントはとても嬉しく思います。
@@gokubinoshiya さん 一知半解な素人意見、特に日本の優位性を過大に評価意見に乗せられる人多い。この手の動画には、そういう傾向が強い。実際、そういう動画のコメント欄は、そうしたミスリードにつられた自己満足コメントばかり。なるべく事実をコメントするようにしていますが、多勢に無勢。正直、ミスリードになることがあるのを自覚してほしい
EUV露光装置を要求するようなら最先端半導体プロセスにはナノインプリントはかなわないしかしそこまでの微細化プロセスを要求する半導体製品はごくわずか。普及半導体の大半はナノインプリントでカバー可能。かつ低コスト、短期間でチップ製造可能 この解釈であってるかな?
そうですね。EUVにはやはり性能的にはかなわないので最先端にはなれない現状ですが、電磁波使わない技術として紹介してみました。
@@gokubinoshiya ありがとうございます。TSMC熊本工場で最先端技術を使わないことに対して様々な憶測呼んでますが、単純にオーバースペックすぎる微細化技術は日本では要求されていないだけの事なんですけどね日本にとってはナノインプリント技術は福値ですね これに気づかない政材界人ばかりでうーん。 EUV露光装置は電力バカぐいなのに。台湾全土におけるTSMC電力使用量は12パーセント期待のもてる技術ですね
これを開発できる技術を全部持っている国は日本位でしょう。
スパイ防止法がないので、盗まれないようお願いします。
捲土重来。
微細化が高性能化になる理由がわかりません。そこが大事なんだが
だから産官学がそろって10兆円代の投資をせねばならないでしょう。もともと原理は日本人のアイデアだったのですから・・・・・。
動画見て頂きありがとうございます。
何かと廃れていきそうなハンコ文化の最先端技術です!
され続けていますよなあるかもです
ハーフピッチでいえば14nmまでできるので解像度に限ればeuvに追い付けそうですが、やはり歩留まりは課題ですね。ニコンの仇をキヤノンが取ってくれると信じてます。
EUVで10nmを切る加工をはじめています。14nmだとDUV液浸との競争。ナノインプリントは20年以上前から現実的なスピード検査技術がないという理由で盛り上がってはポシャるのを繰り返している。40nmくらいの時代からです。
IBMはシリコン原子一個・一個制御して回路を作ろうとしています。
日本ははるかに遅れています。
わかりやすい説明ありがとうございます。最初日経でこのニュースを知ってとても興奮しました。あとはいつまでに実用化、製品化してくれるかですよね。技術動向の進展を今後も是非トレースしてほしいです。ただキヤノンさんは過去に最先端技術のチャレンジして途中で頓挫したような記憶があるのでちょっと心配ですが、国家プロジェクトでやってでも成功してほしいと思いました。
コメントありがとうございます!
チャレンジする企業をサポートできる国・社会になってほしいと思います。
納得し、理解しました!
ただ、押し付けただけではレジストを押しのけるの困難なエリアも出てくるでしょう、その場合の剥離は簡単に出来るのですか?他の残ったレジストに影響が出なければよいのですが。
ナノインプリントは20年以上前から検査で関わってきました。この技術はオリンピックと同じような周期盛り上がり、同じ理由で収束する。現実的なスピードの検査技術が一つのボトムネックで毎回終わる。
コメントありがとうございます!
フォトリソグラフィ以外にも半導体製造プロセスが存在することを初めて知りました。
個人的には、半導体を作る最適な技術ではないにしても、別の分野の技術に応用される可能性も含めて存続してほしいなと思います。
@@gokubinoshiya さん その程度の知識でネットで発信するのは害悪でかない。エッチング、CVD,、PVD、洗浄、イオン注入、CMPなどの工程があり、その概要は本でもネットでもいくらでも情報はある。ナノインプリントは半導体以外で実用化されていますが、最先端の半導体でナノインプリントはマスク検査がボトムネックになるので、そこがボトムネックになっています。3D NANDはそこまで微細加工は必要がないですが、競争相手はArF DraやKrFのリソです。EUVは競争相手にならないので、十分実績のあるプロセスとの競争になり、勝ち目はない。
ネットで情報発信するために必要な知識量等あるのでしょうか?
Hasebeさんはよく現状をご存じかと思いますが、今まで知らなった人が新たに知り、今後を考えることにも意味はあるのではないでしょうか?
私は半導体業界での勝ち負けを決める立場ではないので、あくまで中立的ですが、Hasebeさんのように現場に関わるコメントはとても嬉しく思います。
@@gokubinoshiya さん 一知半解な素人意見、特に日本の優位性を過大に評価意見に乗せられる人多い。この手の動画には、そういう傾向が強い。実際、そういう動画のコメント欄は、そうしたミスリードにつられた自己満足コメントばかり。なるべく事実をコメントするようにしていますが、多勢に無勢。正直、ミスリードになることがあるのを自覚してほしい
EUV露光装置を要求するようなら最先端半導体プロセスにはナノインプリントはかなわない
しかしそこまでの微細化プロセスを要求する半導体製品はごくわずか。
普及半導体の大半はナノインプリントでカバー可能。かつ低コスト、短期間でチップ製造可能 この解釈であってるかな?
そうですね。EUVにはやはり性能的にはかなわないので最先端にはなれない現状ですが、電磁波使わない技術として紹介してみました。
@@gokubinoshiya ありがとうございます。TSMC熊本工場で最先端技術を使わないことに対して様々な憶測呼んでますが、単純にオーバースペックすぎる微細化技術は日本では要求されていないだけの事なんですけどね
日本にとってはナノインプリント技術は福値ですね これに気づかない政材界人ばかりでうーん。 EUV露光装置は電力バカぐいなのに。台湾全土におけるTSMC電力使用量は12パーセント
期待のもてる技術ですね
これを開発できる技術を全部持っている国は日本位でしょう。
スパイ防止法がないので、盗まれないようお願いします。
捲土重来。
微細化が高性能化になる理由がわかりません。そこが大事なんだが
だから産官学がそろって10兆円代の投資をせねばならないでしょう。
もともと原理は日本人のアイデアだったのですから・・・・・。