Ich hatte in der Schule nie Halbleiter. Jetzt war ich im 5. Semester zum ersten Mal mit Festkörperphysik und Halbleitern konfrontiert und konnte mir einfach keine intuitive Vorstellung vom Verhalten an der Trennschicht bilden. Danke für dieses Video, war mein Aha-Moment der Woche :)
Eine Verständnis Frage habe ich: @3:30 ab dem Zeitpunkt ist die Diffusion abgschlossen und das elek. Feld in der RLZ steht. gut. In der n dotierten Schicht befindet sich die positive seite der RLZ, warum werden dort nicht mehr Elektronen von der n-Schicht angezogen? Ist es weil sich in der RLZ der driftstrom und der diffusionsstrom im Gleichgeicht befinden? Oder weil die RLZ nach außen keine elek. statische Wirkung hat?
Du musst dir das anders vorstellen. Die positive Seite der RLZ ist nicht wirklich positiv. Die RLZ ist elektrisch neutral durch die Rekombinationen. Sie wird nur "relativ" in positive und negative Teilzonen aufgeteilt. Der Teil der RLZ in der n-Schicht ist nur im Vergleich zu ihr "positiv". Und der Teil in der p-Schicht im Vergleich zu sich selbst "negativ".
Sehr gut erklärt. Eine Frage: Ab 5:30 wird ja gesagt, dass die Löcher in Richtung des negativen Pols abwandern. Das bedeutet ja, dass auf der p dotierten Seite ein Elektronenüberfluss in der Isolationsschicht ist. Auf der n dotierten Seite ist die Isolationsschicht positiv geladen. Warum wandern jetzt die Elektronen, die sich auf der p dotierten Seite der Isolationsschicht befinden nicht in die positiv geladene Isolationsschicht, die sich auf der n dotierten Seite befindet. Liegt das daran, dass das Valenzband energieärmer ist und das Leitungsband energetisch höher, sodass dort kein Fluss der Elektronen an diesem Übergang möglich ist, obwohl eigentlich nach meinem Verständnis zwischen den beiden Isolationsschichten ein E-Feld herrscht.
Stephan Mueller Das ist genau dann der Fall, wenn die Feldstärke der RLZ über die der Elektronen bzw. Löcher ist ( Wärmeenergie) . Dann schaffen diese den nicht mehr zu diffundieren . Ergänzung :)
Die Erklärung ist sehr sehr gut! Eine Frage stellt sich mir aber schon. Wenn die freien Elektronen nach Bildung der RLZ, aus der RLZ zurück ins n-Gebiet getrieben werden und die Löcher zurück ins p-Gebiet, dann ist doch das n-Gebiet (außerhalb der RLZ) negativ und das p-Gebiet positiv geladen, weil sich dort mehr freie als ortsfeste Ladungsträger befinden. Das hieße, es entsteht ein Feld, das der RLZ entgegenwirkt. Oder stellt sich gerade hier das statische Gleichgewicht her??
Hallo Herr Müller! Meiner Meinung nach, sollte man niemals behaupten, dass Löcher von irgendeinem Pol angeschoben oder abgesaugt werden. Diese Fehlstellen im Siliziumgitter haben ja die Ladung Null. Wenn Plus auf der P dotierten Seite angelegt wird, werden einfach die Elektronen, die vorher von der N Seite eingewandert sind, wieder "abgesaugt" und die Löcher sind wieder da. Leitfähigeit ist wiederhergestellt. Aber es werden da keine Löcher vom Pluspol angeschubst oder gestoßen. Löcher kann man nur auffüllen oder entlehren. Trotzdem gutes Video!
Sehr schön erklärt! Auch mein Professor bekommt das leider nich annähernd so gut hin... Leider wird bei der Spannung nicht sofort klar, ob es sich um die physikalische oder die technische Stromrichtung handelt. Einfach kurz erwähnen, wo der Elektronenüberschuss, und wo der Mangel herrscht wäre da enorm hilfreicht.
Finde es auch gut erklärt , man sollte vielleicht noch erwähnen , dass bei der Rekombination von El. und Loch die überschüssige Energie emittiert wird.
DANKE !!!!!!!! DANKE IHNEN HERR MÜLLER !! Endlich jemand ,der es einfach ,verständlich und vor allem angenehm erklärt . Sie haben mein Abo.
Ein JUWEL unter den Lehrvideos hier auf TH-cam - Tausend Dank!
Das best erkläte Video, das ich bisher auf TH-cam gefunden habe. Danke!
Ich hatte in der Schule nie Halbleiter. Jetzt war ich im 5. Semester zum ersten Mal mit Festkörperphysik und Halbleitern konfrontiert und konnte mir einfach keine intuitive Vorstellung vom Verhalten an der Trennschicht bilden. Danke für dieses Video, war mein Aha-Moment der Woche :)
Freut mich!
Extrem Gute Videos! Super verständlich! Danke!
+LongDong1234 Danke!!
GANZ großes Danke. Einfach und verständlich erklärt. Das gleicht die didaktische Inkompetenz unseres Profs super aus ;)
Vielen lieben Dank für die sehr übersichtliche und toll erklärte Aufarbeitung des Themas !!!!
Danke zurück! Ich freu mich über solche Rückmeldungen!
Das gute an diesen Videos ist die Klasse Veranschaulichung anhand der Münzen! Simpel aber sehr effektiv!
So gut und einfach erklärt. Wahnsinn! Vielen Dank
danke, freut mich 😄
Tolles Erklärungsvideo, VIELEN DANK HERR MÜLLER!
Besser als jeder Prof, 10 Minuten Videos gucken effektiver als 3x90 Minuten Vorlesung .
Sehr gut erklärt, schreibe morgen meine letzte Technik Klausur✊🏼
Unglaublich gut erklärt! Ich wünschte meine Profs würden sich wenigstens halb so viel Mühe geben.
Danke!
Super Video! Gute und leicht verständliche Erklärung.
Jetzt habe ich die "Isolatoin" endlich verstanden, danke!
Eine Verständnis Frage habe ich:
@3:30 ab dem Zeitpunkt ist die Diffusion abgschlossen und das elek. Feld in der RLZ steht. gut.
In der n dotierten Schicht befindet sich die positive seite der RLZ, warum werden dort nicht mehr Elektronen von der n-Schicht angezogen?
Ist es weil sich in der RLZ der driftstrom und der diffusionsstrom im Gleichgeicht befinden?
Oder weil die RLZ nach außen keine elek. statische Wirkung hat?
Du musst dir das anders vorstellen. Die positive Seite der RLZ ist nicht wirklich positiv. Die RLZ ist elektrisch neutral durch die Rekombinationen. Sie wird nur "relativ" in positive und negative Teilzonen aufgeteilt. Der Teil der RLZ in der n-Schicht ist nur im Vergleich zu ihr "positiv". Und der Teil in der p-Schicht im Vergleich zu sich selbst "negativ".
Vielen dank du hast mir sehr für meine Physik Vorabi Klausur geholfen :)
Sehr gut erklärt, Danke!
Wirklich gut erklärt. Vielen Dank dafür.
Gibt es auch Videos über die Schaltkreise von CMOS NOR und NAND ???
Das wäre echt super.
Danke, super Beitrag :)
Richtig gut erklärt!
Würde es der Prof nur auch so gut erklären können :P
Sehr gut erklärt. Eine Frage: Ab 5:30 wird ja gesagt, dass die Löcher in Richtung des negativen Pols abwandern. Das bedeutet ja, dass auf der p dotierten Seite ein Elektronenüberfluss in der Isolationsschicht ist. Auf der n dotierten Seite ist die Isolationsschicht positiv geladen. Warum wandern jetzt die Elektronen, die sich auf der p dotierten Seite der Isolationsschicht befinden nicht in die positiv geladene Isolationsschicht, die sich auf der n dotierten Seite befindet. Liegt das daran, dass das Valenzband energieärmer ist und das Leitungsband energetisch höher, sodass dort kein Fluss der Elektronen an diesem Übergang möglich ist, obwohl eigentlich nach meinem Verständnis zwischen den beiden Isolationsschichten ein E-Feld herrscht.
Ja Ihre Vermutung ist richtig. Das E-Feld ist auch der Grund, warum die Bewegung der Elektronen (ohne äussere Spannung) nach kurzer Zeit stoppt.
Stephan Mueller Das ist genau dann der Fall, wenn die Feldstärke der RLZ über die der Elektronen bzw. Löcher ist ( Wärmeenergie) . Dann schaffen diese den nicht mehr zu diffundieren .
Ergänzung :)
Klasse erklärt!!
super Erklärung😊
Top, vielen Dank, hilft selbst fürs Studium :D
Die Erklärung ist sehr sehr gut!
Eine Frage stellt sich mir aber schon. Wenn die freien Elektronen nach Bildung der RLZ, aus der RLZ zurück ins n-Gebiet getrieben werden und die Löcher zurück ins p-Gebiet, dann ist doch das n-Gebiet (außerhalb der RLZ) negativ und das p-Gebiet positiv geladen, weil sich dort mehr freie als ortsfeste Ladungsträger befinden. Das hieße, es entsteht ein Feld, das der RLZ entgegenwirkt.
Oder stellt sich gerade hier das statische Gleichgewicht her??
Top, Daumen hoch
hat mir sehr geholfen danke
Hallo Herr Müller! Meiner Meinung nach, sollte man niemals behaupten, dass Löcher von irgendeinem Pol angeschoben oder abgesaugt werden. Diese Fehlstellen im Siliziumgitter haben ja die Ladung Null. Wenn Plus auf der P dotierten Seite angelegt wird, werden einfach die Elektronen, die vorher von der N Seite eingewandert sind, wieder "abgesaugt" und die Löcher sind wieder da. Leitfähigeit ist wiederhergestellt. Aber es werden da keine Löcher vom Pluspol angeschubst oder gestoßen. Löcher kann man nur auffüllen oder entlehren. Trotzdem gutes Video!
Super!
Hallo, du musst sagen die Diode ist außer der Batterie. Es sieht aus inner der Batterie.
Sehr schön erklärt! Auch mein Professor bekommt das leider nich annähernd so gut hin...
Leider wird bei der Spannung nicht sofort klar, ob es sich um die physikalische oder die technische Stromrichtung handelt. Einfach kurz erwähnen, wo der Elektronenüberschuss, und wo der Mangel herrscht wäre da enorm hilfreicht.
Warum ist das 10 Cent Stück außen rechts, so weit von der Raumladungszone weg? Ist es höherwertig?
Nope
Saugut. 99 Daumen nach oben. Was ich immer noch nicht verstanden hab ist, warum nicht doch alle e- von der n-Seite in die Löcher der p-Seite fließen.
Ehrenmann!
Danke
Finde es auch gut erklärt , man sollte vielleicht noch erwähnen , dass bei der Rekombination von El. und Loch die überschüssige Energie emittiert wird.
Wurde erwähnt ;)
gut erklärt aber normal spricht man doch von einem pn übergang also wär es besser die seiten zu vertauschen, dannn ist das leichter zu verstehen.
Einverstanden. Würde das Verständnis möglicherweise vereinfachen...
Danke