좋은 강의영상 감사드립니다 ^^ 예전에도 궁금했는데 회로에서 트랜지스터 1개를 다이오드 2개로 대체해 사용할 수 있지 않을까 궁금해서 실험했는데 트랜지스터처럼 동작은 안되더라구요.. 겹치는 영역의 크기가 다르더라도 비슷한 동작은 될줄 알았는데.. 아직도 궁금한 부분이긴합니다.
좋은 영상 감사합니다! 한가지 추가적으로 궁금한게 있어...여쭤봅니다 베이스 영역이 좁아지면 베이스 전류는 감소하게 되어 컬랙터 전류가 증가한다까지는 이해가 되지만 왜 이미터 전자가 베이스 단자로 나가지 못하게 되는지가 궁금합니다.(줄어든 정공의 양 때문에 전자와 정공의 결합이 더 빨리 이루어지기 때문인지...어렵습니다ㅜ) 그리고 결국에 베이스 전류는 감소하고 컬랙터 전류는 증가하니 에미터 전류의 크기는 일정하다고 보는 것이 맞는지 궁금합니다. 감사합니다
안녕하세요, 아래와 같이 답변 드립니다. ========================================================== Q1. 베이스 영역이 좁아지면 베이스 전류는 감소하게 되어 컬랙터 전류가 증가한다까지는 이해가 되지만 왜 이미터 전자가 베이스 단자로 나가지 못하게 되는지가 궁금합니다. A1. 드리프트 전류를 이해하셔야 합니다. PN 접합에는 확산 전류와 드리프트 전류가 있습니다. 확산 전류는 도핑 농도 차이에 의한 전류이고, 드리프트 전류는 소수 캐리어가 공핍영역의 전기장에 의해서 움직이는 것을 말합니다. NPN 트랜지스터라면 이미터에서 베이스로 넘어가는 전자는 소수캐리어가 됩니다. (드리프트 전류 캐리어) 그리고 이미터에서 베이스로 넘어간 전자(소수캐리어)는 이미터와 컬렉터와의 역전압으로 생긴 공핍영역의 전기장에 휩쓸려서 컬렉터로 넘어가게 됩니다. 전기장에 휩쓸려서 대부분 컬렉터로 넘어가기 때문에 베이스 단자로 나가지 못하게 됩니다. ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------- Q2.그리고 결국에 베이스 전류는 감소하고 컬랙터 전류는 증가하니 에미터 전류의 크기는 일정하다고 보는 것이 맞는지 궁금합니다. A1. 전자를 기준으로 본다면 이미터에서 출발한 전자의 수는 베이스 단자와 컬렉터 단자 나가는 전자의 수와 같아야 합니다. (KCL) ========================================================== 감사합니다.
베이스와 컬렉터는 역방향 전압이 걸리게 되어 공핍영역이 생겨납니다. 베이스와 컬렉터 단자의 역전압이 더 세게 걸리게 되는 경우 베이스 영역의 폭이 더 좁아지게 되고, 이미터에서 베이스로 넘어온 전자는 재결합을 하지 못하고 컬렉터로 넘어가는 갯수가 늘어나게 됩니다. 이것을 얼리 이펙트라고 부릅니다. (Early Effect)
![[Full] 나의 두 번째 교과서 - 과학 3강 전자기학, 당신이 쓰는 전기는 자석에서 온다](/img/n.gif)
그림 위치 변경해서 NPN 접합 설명 하실 때 와 소리가 절로 나왔습니다. 덕분에 한번에 이해됐습니다. 감사합니다.
도움이 되었다니 저도 기분이 좋습니다. ^^ 감사합니다.
active영역의 설명 영상인가요?
전공자인 저도 감동하며 봤네요. 설명 굳
좋게 봐주셔서 감사해요!
설명 너무 잘 이해됩니다. 감사합니다.
시청해 주셔서 감사합니다. \^^/
좋은 강의영상 감사드립니다 ^^
예전에도 궁금했는데 회로에서 트랜지스터 1개를 다이오드 2개로 대체해 사용할 수 있지 않을까 궁금해서 실험했는데 트랜지스터처럼 동작은 안되더라구요.. 겹치는 영역의 크기가 다르더라도 비슷한 동작은 될줄 알았는데..
아직도 궁금한 부분이긴합니다.
다이오드로 트랜지스터를 만드실 생각을 하시다니 시도가 멋지십니다. ^^
차분한 목소리로 어려운 부분도 차근차근 설명해주시니 이해가 쏙쏙 됩니다. 앞으로 입문자들의 필수채널이 될듯 합니다. 대학교수님들은 위기감 좀 느껴셔야할듯..😂.
좋은 말씀 감사합니다.
좋은 영상 감사합니다!
한가지 추가적으로 궁금한게 있어...여쭤봅니다
베이스 영역이 좁아지면 베이스 전류는 감소하게 되어 컬랙터 전류가 증가한다까지는 이해가 되지만 왜 이미터 전자가 베이스 단자로 나가지 못하게 되는지가 궁금합니다.(줄어든 정공의 양 때문에 전자와 정공의 결합이 더 빨리 이루어지기 때문인지...어렵습니다ㅜ)
그리고 결국에 베이스 전류는 감소하고 컬랙터 전류는 증가하니 에미터 전류의 크기는 일정하다고 보는 것이 맞는지 궁금합니다.
감사합니다
안녕하세요,
아래와 같이 답변 드립니다.
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Q1. 베이스 영역이 좁아지면 베이스 전류는 감소하게 되어 컬랙터 전류가 증가한다까지는 이해가 되지만 왜 이미터 전자가 베이스 단자로 나가지 못하게 되는지가 궁금합니다.
A1. 드리프트 전류를 이해하셔야 합니다. PN 접합에는 확산 전류와 드리프트 전류가 있습니다.
확산 전류는 도핑 농도 차이에 의한 전류이고, 드리프트 전류는 소수 캐리어가 공핍영역의 전기장에 의해서 움직이는 것을 말합니다.
NPN 트랜지스터라면 이미터에서 베이스로 넘어가는 전자는 소수캐리어가 됩니다. (드리프트 전류 캐리어)
그리고 이미터에서 베이스로 넘어간 전자(소수캐리어)는 이미터와 컬렉터와의 역전압으로 생긴 공핍영역의 전기장에 휩쓸려서 컬렉터로 넘어가게 됩니다.
전기장에 휩쓸려서 대부분 컬렉터로 넘어가기 때문에 베이스 단자로 나가지 못하게 됩니다.
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Q2.그리고 결국에 베이스 전류는 감소하고 컬랙터 전류는 증가하니 에미터 전류의 크기는 일정하다고 보는 것이 맞는지 궁금합니다.
A1. 전자를 기준으로 본다면 이미터에서 출발한 전자의 수는 베이스 단자와 컬렉터 단자 나가는 전자의 수와 같아야 합니다. (KCL)
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감사합니다.
@@회로스쿨 정말 감사합니다. 그런데 한가지가 걸리는게..전기장에 의하여 컬렉터로 가게되는 전자는 그저 역전압의 크기에 따라 결정되는게 아닐까요?
베이스와 컬렉터는 역방향 전압이 걸리게 되어 공핍영역이 생겨납니다.
베이스와 컬렉터 단자의 역전압이 더 세게 걸리게 되는 경우 베이스 영역의 폭이 더 좁아지게 되고, 이미터에서 베이스로 넘어온 전자는 재결합을 하지 못하고 컬렉터로 넘어가는 갯수가 늘어나게 됩니다. 이것을 얼리 이펙트라고 부릅니다. (Early Effect)
@@회로스쿨 아! 완전히 이해되었습니다. 감사합니다
오 감사합니다. 정말 좋은 강의입니다.
좋게 봐주셔서 감사합니다. ^^
좋은 강의 감사합니다.. 쉽게는 들리는데.. 기초가 없어서인지 이해는 아직이네요 ㅠ 더 많이 들어보겠습니다.
PN 접합 관련한 내용도 보시면 도움이 될 수도 있습니다. BJT 는 다이오드 기반한 소자니까요. 화이팅!! ^^
이해하는데 도움이 많이 됐습니다.
시청해 주셔서 감사합니다.
큰 도움 받았습니다 감사합니다!
다만 노래 소리가 없으면 더 집중하기 좋을 거 같아요ㅠ
시청 감사합니다. 배경음악 볼륨은 방해되지 않도록 더 낮춰보겠습니다.^^;;
감사합니다. 자세한 설명이 제 수준에 딱 맞습니다. 하는 일마다 보람과 행복이 함께 하시길ᆢㆍ❤🎉❤🎉❤🎉❤🎉❤🎉
우리교수가 이렇게 설명하면 얼마나 좋을까
시청해 주셔서 감사합니다.
와 미쳤.. 엄청나네요..
감사합니다.^^a
와 ~ 해매던걸 한방에 이해가 됬습니다
도움이 되었다니 저도 기분이 좋습니다. ^^