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目前看到说的最规范的视频。
小姊姊又回來了 ^___^
俺一直在
非常好的视频简单的介绍了gaa
好可愛的音樂和動畫🎉
超赞
超清楚
一開始的畫面,只有我想到炸彈魔的生命之音嗎/ ?
👍 👍
我对GAAFET也有点疑问,在MOSFET和FINFET的演示图中,沟道和衬底是一个整体,栅极加正电压,衬底加负电压,整个衬底中的电子就全被吸到沟道里了,所以能导通。而在GAAFET的演示图中,三个小沟道是互相隔离开的,并且跟下面的大衬底也不相连,这样即便栅极加电,衬底中的电子也不会被吸入三个小沟道中,要想让三个小沟道导通,必须有额外的通道给它们注入电子才行啊所以我猜在GAAFET中,D和S是不是也应该是管状结构才对
下面的那一大块衬底是不参与导电的,三条通道中间都有P型半导体,这样三条通道直接参与导电!
DS 各自是一整块
不是用来吸引衬底的电子,而是抵消np半导体的电场差,才会由有自由电子导电,电子一直存在,只是材料的电压差导致无法自由移动
高質量的視頻內容!我還有一個問題:有人給我轉了点usdt,我有恢復短語。『pride』-『pole』-『obtain』-『together』-『second』-『when』-『future』-『mask』-『review』-『nature』-『potato』-『bulb』 我怎麼把它們變現呢?
看不太懂你在说什么?
@@idiode 那是虛擬貨幣詐騙,不用去看懂
有GAAFET通電之後的動畫嗎?360環繞,那電子往哪裡跑?
在通道里面跑啊
同求。 GAAFET没看懂
就在那三个通道里面啊,那个中空的绝缘体里面就是通道啊
在那三条通道里,电子从中间相对均匀分布,转变成集中到管状通道壁上
应该是说,不通电的情况下,p通道里没有足够聚集的电子浓度;通电后,电子聚中p通道壁上足以形成两个N直接的电子流动
為什麼FinFET、GAAFET比較能應對短通道效應
从横向电流变垂直电流 D级和S级FET到22nm距离太短容易漏电。FinFET、GAAFETD级和S级的距离实际比FET的22nm长只是摆放位置改变,节省了面积。
@@王志超-x5f 原來如此,恍然大悟了
尬gate
中文对科技术语的翻译简直就是灾难
换英文你更理解不动
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而在GAAFET的演示图中,三个小沟道是互相隔离开的,并且跟下面的大衬底也不相连,这样即便栅极加电,衬底中的电子也不会被吸入三个小沟道中,要想让三个小沟道导通,必须有额外的通道给它们注入电子才行啊
所以我猜在GAAFET中,D和S是不是也应该是管状结构才对
下面的那一大块衬底是不参与导电的,三条通道中间都有P型半导体,这样三条通道直接参与导电!
DS 各自是一整块
不是用来吸引衬底的电子,而是抵消np半导体的电场差,才会由有自由电子导电,电子一直存在,只是材料的电压差导致无法自由移动
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看不太懂你在说什么?
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有GAAFET通電之後的動畫嗎?360環繞,那電子往哪裡跑?
在通道里面跑啊
同求。 GAAFET没看懂
就在那三个通道里面啊,那个中空的绝缘体里面就是通道啊
在那三条通道里,电子从中间相对均匀分布,转变成集中到管状通道壁上
应该是说,不通电的情况下,p通道里没有足够聚集的电子浓度;通电后,电子聚中p通道壁上足以形成两个N直接的电子流动
為什麼FinFET、GAAFET比較能應對短通道效應
从横向电流变垂直电流 D级和S级FET到22nm距离太短容易漏电。FinFET、GAAFETD级和S级的距离实际比FET的22nm长只是摆放位置改变,节省了面积。
@@王志超-x5f 原來如此,恍然大悟了
尬gate
中文对科技术语的翻译简直就是灾难
换英文你更理解不动