차세대 메모리 : PRAM RRAM STT-MRAM. 남이 알려주면 쉬운 면접준비

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  • เผยแพร่เมื่อ 11 พ.ย. 2024
  • 6분 00 초에 실수가 있어요! 결정질 저항이 낮고, 비결정질 저항이 높은거에요!!
    차세대 메모리들을 아주 짧고 간략하게 정리했어요!
    면접준비하다가 모르겠는 내용은 댓글로 질문해주세요.

ความคิดเห็น • 15

  • @sang-yeolshin6406
    @sang-yeolshin6406 4 ปีที่แล้ว +3

    PRAM 설명에서 오류가 있습니다. 결정질일때 저항이 낮기 때문에 전류가 통해서 1이고 거기에 on 동작시보다 더 높은 펄스전압을 줘서 유리를 만들듯 용융 시킨다음에 급냉해서 비결정질로 다시 환원시켜주는겁니다.

    • @namrnam5413
      @namrnam5413  4 ปีที่แล้ว +4

      해당 내용은 영상 올렸을 때 파악하여 영상설명칸에 작성해두었습니다 : )
      영상 봐주셔서 감사합니다. 틀린내용은 언제나 제보 부탁드립니다. 저도 배워가는 거니까요.

    • @sang-yeolshin6406
      @sang-yeolshin6406 4 ปีที่แล้ว +2

      @@namrnam5413 제가 설명을 제대로 읽지 않았네요 ^^

    • @namrnam5413
      @namrnam5413  4 ปีที่แล้ว +2

      아닙니다! 틀린게 있다면 언제든 말해주세요 : )

    • @wenf1456
      @wenf1456 3 ปีที่แล้ว

      저도 이 부분 이상하다 생각했는데 댓글 써주셔서 감사합니다!

    • @썬샤인-j5m
      @썬샤인-j5m 2 ปีที่แล้ว

      결정질일때는 왜 저항이 낮을까요...??

  • @최지원-l3u
    @최지원-l3u 3 ปีที่แล้ว +1

    이해하기 쉽게 설명해주셔서 많이 배우고 갑니다! 좋은 영상 감사합니다!

  • @이팝나무-t3i
    @이팝나무-t3i 3 ปีที่แล้ว

    감사합니다

  • @kjwu8536
    @kjwu8536 4 ปีที่แล้ว +2

    메모리 계층도가 뭘 나타낸 계층도인가요..? 그리고 플래쉬와 DRAM 사이에 병목현상이 발생한다는게 무슨뜻인지 모르겠는데 설명 부탁드려도 될까요!!

    • @namrnam5413
      @namrnam5413  4 ปีที่แล้ว +1

      메모리 계층도는 메모리가 얼마나 메인 컴퓨팅 유닛에 가까이 있는가를 따라 그린 구조도입니다. 메인컴퓨터에 가까울수록 빨라야 하는데, 그러려면 대면적이 되어 공간을 많이 먹게됩니다.
      플래시는 느리고 디램은 빠르죠, 그래서 디램에서 필요한 데이터를 플래시에서 빨리빨리 달라고 해도 플래시가 느리다보니 그걸 잘 못해줍니다. 그렇게 이해하시면 될 것 같아요~

    • @kimdaven525
      @kimdaven525 4 ปีที่แล้ว

      @@namrnam5413 현업 엔지니어인데 도움 많이받습니다 항상 감사드립니다

  • @황동민-j5q
    @황동민-j5q 2 ปีที่แล้ว

    STT Spin Transfer Torque 아닌가요? 오류가 있는 것 같습니다.

  • @이병관-u1g
    @이병관-u1g 3 ปีที่แล้ว

    안녕하세요 영상 보고 궁금한 점이 생겨서 댓글 남깁니다.
    이런 차세대 메모리가 디램을 대체한다는 말이 있는데, 낸드 플래시(플래시 메모리)를 대체할 가능성은 없는건가요??
    디램의 비휘발성이라는 단점을 개선하고 Cap을 대체하면 집적도도 높이고 단면적당 용량도 늘어날 수 있다고 생각해서 여쭤봅니다.

    • @been_jinu9965
      @been_jinu9965 3 ปีที่แล้ว

      MRAM이 DRAM 대체를 타겟으로 개발되고 있고, RRAM이 낸드플래시 대체를 위해 개발되고 있습니다