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3D封裝堆疊的對位問題已IC半導體廠曝光設備而言問題不大，因為位置及孔尺寸都是用micron單位來計算的，真正的問題是在製程的繁瑣上，以矽穿孔(Through Silicon Veil;TSV)為例，他要經過 1. 曝光，顯影，剝離開孔位加工位置。 2. 再以硫化氟，硫化碳氣體電將以具有方向性往孔位處轟打掉矽，且邊打邊在孔壁形成鈍化層，防止over-etching，這步驟是關鍵，孔壁扇形波紋不能出現，否則會有漏電，氣泡在後面出現。 3. 用SACVD或是更好的ALD在整個孔內敷上一層介質層。 3. 再以PVD敷上一層阻隔層Ti或Ta，或用更好的ALD敷上一層TiN，TaN。 4. 用奈米級顆粒金或鈀無電解方式把種晶鍍上孔壁。 5. 再用 Conformal或是Bottum-up把銅鍍入孔內並填滿孔。 6.用CMP磨掉孔上多餘的銅頭及阻隔層。 這裏面為鑽一個矽穿孔，算一下共用了多少不同的製程，耗時又耗工，成本是很高的。 更重要的是這些孔都是高Aspec Ratio，天生就與以上製程很相剋，所以台積電能給AMD做出來，實力及製程控制已達到相當高的火侯。
謝謝您，念本系又有人肯帶或分享，彼此互勉，一定更棒啊啊❤
曲博能不能把这个3D TSV的影片翻拍一下，最近因为HBM记忆体，这个工艺变得很重要，应该会有很多人感兴趣的
有人帶！真的可以讓外行人，或想知道的人更容易理解。
謝謝你～
您的獵戶座能比高通華為穩嗎？？
建議影片資訊可以簡單列個時間標籤Ex:00:30 HBM10:07 RISC-VThanks!
這個我們來研究看看怎麼做，謝囉！
請問老師如何看待HBM散熱跟封裝良率問題？
就是良率目前偏低，所以價格很高，市場上的接受度還要觀察。
畫質有待提升 錄製的網頁文字模糊 看得好難受
抱歉，這個是之前在臉書的直播，轉下來畫質會變差，我們也都陸續會出新影片，畫質就會是比較好的！
請問12層3D封裝，會打敗LTCC嗎? 在未來三年內哪個比較有優勢? 麻煩解惑，謝謝。
我們這裡講的3D封裝主要是針對記憶體，應用在處理器整合，低溫共燒陶瓷(LTCC)主要是針對被動元件，應用在射頻元件，兩者並沒有競爭關係唷！
@@Ansforce 曲博謝謝您回覆我。
12層io超難對準 8層就很厲害了
是的，困難度極高。
我是外行人 想問一個笨問題DRAM 堆疊到12層超難對準 那 NAND Flash 128 層 三星 海力士 美光 等...代表可能已經掌握相關堆疊技術隨時可以結合在DRAM上嗎? ^^
@@qqq2843 你指的NAND Flash 128層應該是3D NAND,, 他的層數是在單顆Die上的線路層做蝕刻/曝光/顯影往上長, 不是封裝的 Die疊Die+TSV
@Eugen 謝謝您的回覆 原來如此^.^我會在您提供的關鍵字上 google 補足相關資訊的謝謝 ^^矽穿孔 Through Silicon Via (稍微看了一下果然是 笨蠢的問題 竟然還有人願意回覆好感動~ 再次感謝~)
其實我覺得對位反而不難，最難的應該是在電鍍頭髮1/20（5微米）的孔，縱橫比36還要鍍成銅柱...
請問這個跟64層128層堆疊有相關嗎，謝謝
有關係呀！這些都是最新的記憶體堆疊技術。
請問中國宣稱自己可以做到128堆疊，跟三星的差距是多少？真的快追上了嗎？謝謝
@@TPM188 3D NAND基本上是在晶片上製作128層元件，當然也可以用封裝的方式把二個64層元件的晶片堆疊起來，有一種說法是中國目前的3D NAND是用二個64層元件的晶片堆疊起來，不論是不是真的，這種技術想出來的人真的是天才，但是只要把晶片切開看一下就知道原理了，大陸的廠商遲早會追上來的。
@@Ansforce 大陸的廠商遲早會追上來的........但是為何晶圓代工感覺追不上TSMC? 台灣過去苦追DRAM卻很困難? 謝謝
@@TPM188 這個比的當然是財力呀！大陸隨便都能丟個幾億人民幣給小公司發展技術，像中芯這種重點扶持對象每年拿個上百億人民幣是一定的，再加上內需市場支持，當然能夠追得上。反觀我們自己呢？台灣第一家高功率雷射公司申請幾個政府補助寫了一堆報告，兩年總共才拿2000萬台幣而已，這像是要打國際杯的嗎？
良率和散熱不知道怎樣
坦白說，據業界朋友說HBM的良率很低，所以價格一直下不來，當然散熱是另外一個問題。
當初聽說AMD RVII上面那顆16GB HBM2價格超過300美以上
孔是一次打720um 不大可能一層一層打啦............
你说的刚好相反 朋友
穿孔初期成本肯定很高....因為其中只要失敗一片就是報廢了
穿孔方法只有雷射
@@Hiritsuki 穿孔方法不會是靠雷射...60000個孔你要用雷射射到哪時?
矽穿孔可以用蝕刻或雷射，60000個孔當然用蝕刻成本較低。
磨一磨就裂了，還100微米
100微米會裂？現在昇陽半導體的晶圓薄化都做到50微米了唷！
Samsung1125又再說大話了 先搞好自己手機的CPU吧
都去年的新聞...
這是去年10/10臉書的直播唷！
3D封裝堆疊的對位問題已IC半導體廠曝光設備而言問題不大，因為位置及孔尺寸都是用micron單位來計算的，真正的問題是在製程的繁瑣上，以矽穿孔(Through Silicon Veil;TSV)為例，他要經過 1. 曝光，顯影，剝離開孔位加工位置。 2. 再以硫化氟，硫化碳氣體電將以具有方向性往孔位處轟打掉矽，且邊打邊在孔壁形成鈍化層，防止over-etching，這步驟是關鍵，孔壁扇形波紋不能出現，否則會有漏電，氣泡在後面出現。 3. 用SACVD或是更好的ALD在整個孔內敷上一層介質層。 3. 再以PVD敷上一層阻隔層Ti或Ta，或用更好的ALD敷上一層TiN，TaN。 4. 用奈米級顆粒金或鈀無電解方式把種晶鍍上孔壁。 5. 再用 Conformal或是Bottum-up把銅鍍入孔內並填滿孔。 6.用CMP磨掉孔上多餘的銅頭及阻隔層。 這裏面為鑽一個矽穿孔，算一下共用了多少不同的製程，耗時又耗工，成本是很高的。 更重要的是這些孔都是高Aspec Ratio，天生就與以上製程很相剋，所以台積電能給AMD做出來，實力及製程控制已達到相當高的火侯。
謝謝您，念本系又有人肯帶或分享，彼此互勉，一定更棒啊啊❤
曲博能不能把这个3D TSV的影片翻拍一下，最近因为HBM记忆体，这个工艺变得很重要，应该会有很多人感兴趣的
有人帶！真的可以讓外行人，或想知道的人更容易理解。
謝謝你～
您的獵戶座能比高通華為穩嗎？？
建議影片資訊可以簡單列個時間標籤
Ex:
00:30 HBM
10:07 RISC-V
Thanks!
這個我們來研究看看怎麼做，謝囉！
請問老師如何看待HBM散熱跟封裝良率問題？
就是良率目前偏低，所以價格很高，市場上的接受度還要觀察。
畫質有待提升 錄製的網頁文字模糊 看得好難受
抱歉，這個是之前在臉書的直播，轉下來畫質會變差，我們也都陸續會出新影片，畫質就會是比較好的！
請問12層3D封裝，會打敗LTCC嗎? 在未來三年內哪個比較有優勢? 麻煩解惑，謝謝。
我們這裡講的3D封裝主要是針對記憶體，應用在處理器整合，低溫共燒陶瓷(LTCC)主要是針對被動元件，應用在射頻元件，兩者並沒有競爭關係唷！
@@Ansforce 曲博謝謝您回覆我。
12層io超難對準 8層就很厲害了
是的，困難度極高。
我是外行人 想問一個笨問題
DRAM 堆疊到12層超難對準 那 NAND Flash 128 層 三星 海力士 美光 等...
代表可能已經掌握相關堆疊技術隨時可以結合在DRAM上嗎? ^^
@@qqq2843 你指的NAND Flash 128層應該是3D NAND,, 他的層數是在單顆Die上的線路層做蝕刻/曝光/顯影往上長, 不是封裝的 Die疊Die+TSV
@Eugen 謝謝您的回覆 原來如此^.^
我會在您提供的關鍵字上 google 補足相關資訊的謝謝 ^^
矽穿孔 Through Silicon Via
(稍微看了一下果然是 笨蠢的問題 竟然還有人願意回覆好感動~ 再次感謝~)
其實我覺得對位反而不難，最難的應該是在電鍍頭髮1/20（5微米）的孔，縱橫比36還要鍍成銅柱...
請問這個跟64層128層堆疊有相關嗎，謝謝
有關係呀！這些都是最新的記憶體堆疊技術。
請問中國宣稱自己可以做到128堆疊，跟三星的差距是多少？真的快追上了嗎？謝謝
@@TPM188 3D NAND基本上是在晶片上製作128層元件，當然也可以用封裝的方式把二個64層元件的晶片堆疊起來，有一種說法是中國目前的3D NAND是用二個64層元件的晶片堆疊起來，不論是不是真的，這種技術想出來的人真的是天才，但是只要把晶片切開看一下就知道原理了，大陸的廠商遲早會追上來的。
@@Ansforce 大陸的廠商遲早會追上來的........但是為何晶圓代工感覺追不上TSMC? 台灣過去苦追DRAM卻很困難? 謝謝
@@TPM188 這個比的當然是財力呀！大陸隨便都能丟個幾億人民幣給小公司發展技術，像中芯這種重點扶持對象每年拿個上百億人民幣是一定的，再加上內需市場支持，當然能夠追得上。反觀我們自己呢？台灣第一家高功率雷射公司申請幾個政府補助寫了一堆報告，兩年總共才拿2000萬台幣而已，這像是要打國際杯的嗎？
良率和散熱不知道怎樣
坦白說，據業界朋友說HBM的良率很低，所以價格一直下不來，當然散熱是另外一個問題。
當初聽說AMD RVII上面那顆16GB HBM2價格超過300美以上
孔是一次打720um 不大可能一層一層打啦............
你说的刚好相反 朋友
穿孔初期成本肯定很高....因為其中只要失敗一片就是報廢了
穿孔方法只有雷射
@@Hiritsuki 穿孔方法不會是靠雷射...60000個孔你要用雷射射到哪時?
矽穿孔可以用蝕刻或雷射，60000個孔當然用蝕刻成本較低。
磨一磨就裂了，還100微米
100微米會裂？現在昇陽半導體的晶圓薄化都做到50微米了唷！
Samsung1125又再說大話了 先搞好自己手機的CPU吧
都去年的新聞...
這是去年10/10臉書的直播唷！