ZIZ #50 Tranzystory polowe MOSFET [Kurs elektroniki dla początkujących]

แชร์
ฝัง
  • เผยแพร่เมื่อ 5 ก.พ. 2025
  • Tranzystory polowe MOSFET różnią się od omawianych dotąd tranzystorów bipolarnych. Poczynając od symbolu graficznym, przez inne nazewnictwo wyprowadzeń, na zasadzie działania kończąc. Warto je poznać.
    //Z E S T A W P O D Z E S P O Ł Ó W
    celtor.pl/6201...
    // I N F O
    zaprojektujizbu...
    // S O C I A L M E D I A
    facebook: / zaprojektujizbuduj
    instagram: / zaprojektujizbuduj
    // W S P A R C I E K A N A Ł U
    patronite.pl/Z...
    #MOSFET #tranzystorypolowe #BUZ11

ความคิดเห็น •

  • @rafaczechowicz6345
    @rafaczechowicz6345 5 ปีที่แล้ว +2

    Miło się słucha czekam na następne filmy 👍😁

  • @stefanskywalker336
    @stefanskywalker336 5 ปีที่แล้ว +2

    Super. bardzo pomocny film

  • @bobeldukla
    @bobeldukla 5 ปีที่แล้ว +2

    super. Dzieki

  • @pawekawka5339
    @pawekawka5339 ปีที่แล้ว +1

    Kuźwa włączyłem, myślę sobie czegoś się dowiem ale nie , Czarna magia dla mnie Ale dzięki za przekaz Ci co czają o co chodzi to pewnie to zrozumieli

  • @wojciechjaworski602
    @wojciechjaworski602 5 ปีที่แล้ว +8

    dioda diodą, ale jednym z najważniejszych wbudowanych elementów w tranzystor jest kondensator bramki. Nawet w schemacie tego tranzystora jest on widoczny. Prąd bramki wcale nie jest pomijalny bo jak zaczniemy szybko włączać i wyłączać napięcie na bramce to okaże się, że płynie tam całkiem duży prąd ładowania i rozładowania. Dla BUZ11 to aż 2000pF i może się okazać, że wyjście uC może być za słabe do szybkiego naładowania wejścia MOSFETa (trzeba stosować drivery bo jak nie to przy PWM może się on za bardzo grzać).
    Tranzystor ten jest sterowany napięciem pośrednio, a w zasadzie to jest on sterowany ładunkiem w bramce i najlepiej sobie zapamiętać, że włączenie tranzystora odbywa się po naładowaniu kondensatora bramki a wyłączenie po rozładowaniu. Jak się stosuje zwykłe włączniki na wejściu tranzystora albo wyjście z otwartym kolektorem, to trzeba wtedy zwierać np. bramkę do masy poprzez rezystor, żeby miała się ona jak rozładować.

    • @zaprojektujizbuduj5593
      @zaprojektujizbuduj5593  5 ปีที่แล้ว +2

      Pojemność jest bardzo istotna przy szybkich przełączeniach ale w naszym przypadku nie budujemy układu gdzie tranzystor używany do takich zastosowań. Odcinek ten to krótki wstęp teoretyczny.

    • @wojciechjaworski602
      @wojciechjaworski602 5 ปีที่แล้ว +3

      ok, to prawda ale chciałbym jeszcze popolemizować z tym. Wyobraźmy sobie prosty obwód:
      VCC---Rezystor---LED---dren_Q1_source---GND
      VCC---SW1---SW2---Rezystor---gateQ1
      dwa przełączniki na wejściu tworzą bramkę AND. Wyobraźmy sobie taką sekwencję:
      1. SW1=0 i SW2=0 => LED=off
      2. SW1=1 i SW2=0 => LED=off
      3. SW1=0 i SW2=1 => LED=off
      4. SW1=1 i SW2=1 => LED=on
      5. SW1=0 i SW2=0 => LED=on????!!!!
      dioda będzie ciągle świecić bo elektrony z bramki tranzystora zostały "wessane" do źródła zasilania i po rozwarciu przełączników nie mają tam jak wrócić. To jest prosty układ do zmontowania na płytce stykowej i nawet nie jest to szybki układ przełączający a niewiedza o ukrytym kondensatorze w bramce może spowodować że zbudujemy układ który nie będzie poprawnie funkcjonować.
      Gdyby to był tranzystor bipolarny to układ działałby zgodnie z tabelą prawdy bramki AND, a przy MOSFET tak nie jest. Moim zdaniem pojemność jakakolwiek by ona nie była jest istotna w tego typu tranzystorach i warto by było o nią informować.
      Zaprezentowany BUZ11 też sugeruje że będą budowane proste układy przełączające, bo powiedzmy sobie szczerze bardzo mała rezystancja Dred-Źródło powoduje że najlepiej się one do tych zadać nadają.

    • @zaprojektujizbuduj5593
      @zaprojektujizbuduj5593  5 ปีที่แล้ว +1

      @@wojciechjaworski602 W kursie mamy 1 taki tranzystor. Ponadto nie wyprzedzajmy faktów bo będzie jeszcze jeden odcinek na ten temat.

    • @zaprojektujizbuduj5593
      @zaprojektujizbuduj5593  5 ปีที่แล้ว +2

      Ponadto to nie jest celowo wbudowany kondensator bramki tylko efekt uboczny tego typu tranzystorów. W zależności od egzemplarza tranzystora wartość pojemności między złączowej może się znacznie różnić co mówi nam o tym do czego ten tranzystor zastosować. Duża pojemność - małe szybkości przełączeń, mała pojemność duże szybkości przełączeń. Tranzystory bipolarne również mają pojemności pasożytnicze co niestety powoduje, że danego typu tranzystor nie nadaje się np do zastosowań w układach RF itd ...

    • @wojciechjaworski602
      @wojciechjaworski602 5 ปีที่แล้ว +1

      nie żebym się czepiał ale wbudowana dioda też jest elementem pasożytniczym i została wspomniana a kondensator został zupełnie pominięty. Niestety dalej będę obstawać przy tym żeby wspominać i o tym pasożycie :D
      Co do pojemności to zależy ona on technologi i w głównej mierze od wielkości tranzystora. Np. w układach scalonych stosuje się różne rozmiary tranzystorów w zależności od ilości podłączonych wejść bramek. Każde dodatkowe wejście bramki logicznej to extra równoległy kondensator więc powiększa się tranzystor żeby zwiększyć jego wydajność prądową. Jak się go powiększy to wzrośnie jego pojemność bramki i będzie on bardziej obciążał inne wyjście. Chce przez to powiedzieć, że wiedza od tym pasożycie pomaga lepiej zrozumieć tego typu tranzystory i rozwiązania jakie trzeba przedsięwziąć żeby układy z mosfetem poprawnie działały.

  • @kraZZeman07
    @kraZZeman07 11 หลายเดือนก่อน

    Tylko nie zubożonym a zubożanym oraz nie wzbogaconym a wzbogacanym. Dlatego że ten proces nie dzieje się na etapie produkcji tranzystora a na etapie jego pracy w danej chwili. Pozdrawiam

    • @zaprojektujizbuduj5593
      @zaprojektujizbuduj5593  10 หลายเดือนก่อน

      Niestety poprawianie filmu jest bardzo czasochłonne i czasem drobne pomyłki przejęzyczenia się zdarzają. Myślę, że każdy się czasem przejęzyczy.

    • @kraZZeman07
      @kraZZeman07 10 หลายเดือนก่อน

      @@zaprojektujizbuduj5593 a to ja pretensji przecież nie mam. 😄 Sam się wiele nauczyłem z tego kanału. Napisałem tylko dla ludzi uczących się żeby wiedzieli.

  • @grzesiek1x
    @grzesiek1x 3 ปีที่แล้ว

    mam takie dwa pytanie tez: czy moge uzywac dwoch MOSFETow w ukladzie takim jak Darligton tylko zamiast tranzystorow bipolarnych uzyc mosfetow? Drugi pytanie , bo tez nie moglem tego znalezc w nocie katalogowej z jakimi czestotliwosciami moga pracowac MOSFETy (np. IRFZ44n i podobne) ? Nigdzie nie ma tego napisanego jak przy tranzyzstorach. Dzieki :)

    • @zaprojektujizbuduj5593
      @zaprojektujizbuduj5593  3 ปีที่แล้ว +1

      Nie ma takiej potrzeby bo braki nie są sterowane prądem tylko napięciem. Trzeba poszukać w karcie katalogowej czasów załączenia i wyłączenia, możesz wtedy policzyć orientacyjnie ile można z nich wyciągnąć f = 1/T gdzie T~=ton+toff. Paweł.

    • @grzesiek1x
      @grzesiek1x 3 ปีที่แล้ว

      @@zaprojektujizbuduj5593 dzieki :) btw czy to jest normalne , ze przy takich moich oscylatorach i generatorach fali sinusoidalnej baterie sie strasznei szybko wyeczrpuja. Niedawno kupilem 9 V baterie, troche eksperymentowalem z nadajnikami wczoraj i patrze juz 5 V 😮 tak sie zastanawiam jaki ma wplyw na baterie taki prad przemienny, ale znow przeciez nieraz z baterii zasilalem silniki w moim zdalnie sterowanym (wlasnej roboty) pojezdzie i jezdzil dosyc dlugo na jednej baterii. Dziwne :/

    • @grzesiek1x
      @grzesiek1x 3 ปีที่แล้ว +1

      @@zaprojektujizbuduj5593 policzylem i mi wyszlo prawie 18 MHz :) dzieki jeszcze raz naprawde doceniam pomoc :)

  • @marcinl4396
    @marcinl4396 4 ปีที่แล้ว +4

    20N to dioda a nie tranzystor

    • @andrzejgoata1508
      @andrzejgoata1508 3 ปีที่แล้ว +1

      A strzałka na schemacie- to nie dioda (y)

  • @andrzejgoata1508
    @andrzejgoata1508 3 ปีที่แล้ว +4

    Po co ta Pani mówi o tranzystorach?