Igbt классная штука. Я когда ещё с транзисторами был не знаком, моим первым транзистором был igbt, довольно мощный. Нужно было коммутировать большую нагрузку с напряжением от 300 до 600 вольт и от 10 до 50 ампер. Тогда пришлось ещё познакомиться с драйверами. Всей системой управлял микроконтроллер. Какую же радость я испытал когда это штука работала как часы и брала на себя любые нагрузки. Только вот сейчас приходится знакомиться с биполярными и мосфетами. Похоже я не с того конца подошёл знакомиться с транзисторами.
Я сначала начал изучать биполярные транзисторы, надо признаться очень тяжело доходило, так как не было интернета и литературы подходящей. В советских учебниках очень плохо объясняются эти вещи, со множеством формул. Потом дошел до полевых, которые мне казались чем-то очень сложным, я думал если не знаешь биполярный, то нечего суваться изучать полевой)
@@RS_83 если бы ты пошел в библиотеку и нашел там учебники 50х годов по полупроводникам и лампам, то без всяких видео и 3д графики понял бы из рисунков простым карандашом что да как
Хороший урок, но я сначала подумал что будет рассказано об igbt модулях, которые как раз и могут на себя взять киловольты и килоамперы. Но урок все равно полезный, как раз для новичков
страшно подумать куда бы шагнула электроника иэобрети лет 50 назад такие транзисторы.я уже их люблю хотя не разу с ними не сталкивался.лайк тебе и удачи с меня подписка.
ну почти тогда и изобрели. В СССР в 1977 году был предложен составной транзистор с изолированным затвором. в 1983 и 85 годах в США были первые промышленные образцы, но они имели низкую скорость переключения, Аббревиатура IGBT и нормальные параметры работы были в 1990-е годы. Короче этим транзисторам 30 лет уже, а изобрели их 43 года назад.
На счет отсутствия потребления тока на затворе немного неправильно , чем выше частота сигнала , тем больше будет потребление тока из-за переходных емкостей переходов через затвор начнет протекать высокочастотная составляющая.
Пожалуйста, покажите внешний вид IGBT транзистора 6 кВ х 2.5 кА =15 000 000 ватт = 15 мегаватт. Это постоянная или кратковременная мощность нагрузки? IGBT до 10 000 вольт 2500 ампер для систем предотвращения образования дуги рубильника силового высоковольтного трансформатора 6 КВ 100 КВА кратковременным шунтированием контактов в момент переключения.
Эквивалентная схема не является реальной структурой. Иначе не получились бы такие предельные параметры. Получите из двух транзисторов те же предельные токи и напряжения
Как я понял, все же можно к выходу микросхемы подключить мосфет, а уже к нему соответствующий биполярный транзистор? Плюс igbt в экономии места на плате, а также в одном кристалле полупроводника можно получить лучшие характеристики, чем используя дискретные элементы.
@@alexandrrivo1208 | Дискр. компоненты это транзисторы, резисторы, конденсаторы и т. д., которые сами по себе -- каждый из них в своём корпусе. Это в противовес тому, что микросхемы внутри содержат те же компоненты, но в "интегральном исполнении"
Здравствуйте, такой вопрос. Отдали горелый компьютерный блок питания в нем стоят полевики 30N60 4 штуки, они померли и стоят как крыло боинга. Но как раз в разборе не давно был сварочник из которого я выдрал транзисторы G50EH5. я так понял что это IGBT транзисторы 50А 650Вольт. Так вот вопрос можно ли поставить вот эти лгбтшные транзисторы вместо полевых, хотябы в PFC они же там просто включают и отключают цепь дросселя, заставляя его вырабатывать высокое напряжение
@@ДронКонищев и ещё реле хорошо коммутирует переменное напряжение, с транзисторами сложная схема, а симисторы по синусоиде не работают, с ними помехи в сеть идут. Ещё реле может коммутировать сразу несколько цепей - те же контакторы и магнитные пускатели, по сути реле большой мощности.
@@ДронКонищев но можно транзистор поставить в мост или встречно и запитать эту схем от отдельного БП (например на блокинг генераторе) и спомощью опто пары развязать гальванически. Выключать и включать можно при переходе в 0. а так же встроим ШИМ регулятор и контролер можно плавно нарастить и снять мощность. Не будет дребезга контактов и так же можно сигнализировать о ошибке, перегрузке, срабатывание защиты по КЗ и другие плюшки. Вопрос только в цене. А питание таких плат с развязкой может быть например специализированым БП с множеством обмоток для множественных подключений.
Привет, хотел спросить, есть у меня IGBT транзистор RJP63F3 630V 40A. Вместо него хочу поставить FGPF4536 360V 50A поставить можно? На плазменном телевизоре. Здесь транзистор различаются только вот ПО напряжениями, тот 630V, А который хочу ставить на 360V. Я думаю можно, так как на плате 250вольт коллектором соединен на конденсаторы параллельно 5штук ПО 220мкф*250вольт.
Ivan Ivanov яркий пример современные накамерные фотовспышки. Там мощность регулируется временем, которое разряжается кондер. И этим рулит мощный igbt транзюк. Может открыться совсем ненадолго и тогда накопительный кондер не успеет полностью разрядиться, а может и спустить весь накопленный на кондере заряд. Объяснил кривовато, но уж простите меня.
Сейчас в промышленности для регулирования оборотов трехфазных двигателей в основном используются частотные преобразователи, в которых силовая часть выполнена в виде IGBT-модуля. Благодаря ШИМ-модуляции можно регулировать скорость двигателя насоса или вентилятора, например.
@@belgsergey Ну это довольно объёмная тема,но если кратко то это импульсы определённой частоты. Например есть у нас какая нибудь лампочка,мы хотим плавно управлять её свечением.Берём транзистор,ставим к нему лампочку а на затвор или базу транзистора подают ШИМ сигнал. ШИМ сигнал то открывает,то закрывает тразнистор очень быстро,но так как это происходит очень быстро(от нескольких тысяч раз до до сотен тысяч раз в секунду),то глаз не замечаем мигания или мерцания,но мы можем увидеть что лампочка светится на половину. Половину свечение можно достигнуть если время открытия или закрытия равны по времени,то есть имеется меандр. Управляя шириной импульсов мы можем регулировать всякие двигатели,вентиляторы,лампочки,светодиоды. Почитай статьи и посмотри видео в интернете про ШИМ,особенно про такие понятия как скважность и коэффициент заполнения. ШИМ можно построить на всяких компараторах,логических схемах,но проще всего на микроконтроллере. Я сам делал не микроконтроллере. Тупо настраиваешь в программе модуль ШИМ,цыпляешь к ноге какой нибудь транзистор и он управляется ШИМом,а к транзистору уже нагрузку какую нибудь можно прицепить.Но можно и без транзистора,то есть напрямую подавать ШИМ,например если это светодиод,то есть просто чаще всего это делается с транзисторами,но не всегда.
Есть модуль двойной, SKM 145GB128D pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/217211/SEMIKRON/SKM145GB128D.html В нём запаяны 2 вывода, 4 и 5. Т.е. G и эмиттер. Это сделано для того, чтобы закрыть (исключить) один транзистор из работы?
Здравствуйте. Вопрос такой. 2500 Ампер???? Там ноги у транзистора из чего сделаны??? Вольфрам? Может молибден. У ВАС на автомобиле ЗИМОЙ СТАРТЕР КУШАЕТ 200 Ампер. Так ТАМ ПРОВОД КАКОГО ДИАМЕТРА????? Либо Вы забыли чего-то ДОБАВИТЬ
Что за чушь -- причем тут вольфрам и молибден? Медь на втором месте по проводимости после серебра, и то уступает совсем немного. 2500 А это не транзисторы в стандартных транзисторных корпусах типа TO220 или TO247, а так называемые igbt-модули в специальных больших корпусах с массивными контактами под винт
Rus Saitmametov Расчёт токовых способностей проводника без учёта его длины - пустое занятие. На электроавтомоделях повышенной мощности пиковые токи достигают 300А, а проводник всего лишь медь 6кв.мм длиной 5см.
@@nikola03077777777 , сравнение электроэнергии с потоком воды в трубе даёт не совсем полноценное представление - по гипотезе навстречу электронам устремлены электронные дырки то-есть двунаправленный вектор движения. Из одного полюса электронные дырки, а из другого электроны. Хотят третий полюс понять и открыть четырёх мерное измерение - не выходит ничего )))) , ведь для этого необходимо быть не просто одушевлённым предметом, а ещё и обладать наивысшим разумом.
2:50 "IGBT не требует энергии для открытия или закрытия" - Человек совершенно не понимает о чем говорит. IGBT не требуют энергии для удержания своего состояния, а вот для открытия или закрытия ему, как и полевику, требуется энергия для перезарядки емкости затвора. И чем мощнее транзистор - тем энергии требуется больше, потому что емкость затвора у него тоже больше. Иногда этой энергии требуется так много, что на драйверы управляющие затворами ставят радиаторы, чтобы не перегревались.
9:31 Я не проф в этом, но мне кажется было бы логичней если б затвор полевого транзистора находился в N зоне этой схемы чтоб нейтролизовывать запирающий слой. Как и в полевом транзисторе. Посмотрите, ведь у вас сейчас к N зоне ничего не подключено, получается диод неуправляемый снизу со стороны коллектора.
не очень понятно вы показываете что с эмиттера приходят электроны в р область от силового питания, и не могут пройти, а из цепи управления электроны через туже самую область проходят. имхо если рассказывать через бегущие электроны то стоит рассказывать через поведение через свободные электроны и дырки, как образуется обедненный слой на pn переходе и как напряжение затвора его разрушает. и по моему n область полевого транзистора(те два участка возле затвора) должны быть соединены с эмиттером, грубо говоря участок от эмиттера до синей линии - обычный проводник.
Весь ютюб забит одной и той же хернёй Что такое IGBT транзистор, это транзистор в котором соеденили би полярный и фет транзисторы и на этом всё обяснение. А где формулы где хотябы один даташиит? Не понмаю за что люди благодарят афтора?
И не понятно что такое средние частота, что такое малые частоты и высокие частоты. Я таких цифр не знаю. Так что тут тоже не согласен. Достаточно много высокочастотных биполярных транзисторов.
вы говорите, что полевик не требует тока. тут как раз наоборот. igbt транзисторы используют в ключевых схемах, где надо для заряда-разряда емкости обеспечить ахиренный импульсный ток. халявы нет нигде, даже в электронике. не дурите народ.
Пока мне в руки такие замечательные приборы не попадали!Подписывайтесь на мой канал Василий Барышев! Вот ссылка на него :th-cam.com/channels/7_B1HeileYxx5c95EtoTgA.html
Спасибо.Дохотчиво.Кратко по-сути.Методично.
Igbt классная штука. Я когда ещё с транзисторами был не знаком, моим первым транзистором был igbt, довольно мощный. Нужно было коммутировать большую нагрузку с напряжением от 300 до 600 вольт и от 10 до 50 ампер. Тогда пришлось ещё познакомиться с драйверами. Всей системой управлял микроконтроллер. Какую же радость я испытал когда это штука работала как часы и брала на себя любые нагрузки. Только вот сейчас приходится знакомиться с биполярными и мосфетами. Похоже я не с того конца подошёл знакомиться с транзисторами.
Я сначала начал изучать биполярные транзисторы, надо признаться очень тяжело доходило, так как не было интернета и литературы подходящей. В советских учебниках очень плохо объясняются эти вещи, со множеством формул. Потом дошел до полевых, которые мне казались чем-то очень сложным, я думал если не знаешь биполярный, то нечего суваться изучать полевой)
А есть схема для управления igbt?
А как насчет IGCT?
Pozdravlyayu . ti uye elektronsik.
@@RS_83 если бы ты пошел в библиотеку и нашел там учебники 50х годов по полупроводникам и лампам, то без всяких видео и 3д графики понял бы из рисунков простым карандашом что да как
Круто рассказываешь, спасибо
всё так просто, спасибо большое, вы класно обьясняете, легко, долго, не спеша
Очень грамотно объяснил!!! Мне вальту наконец то стало понятно!!! Большое спасибо!!
Хороший урок, но я сначала подумал что будет рассказано об igbt модулях, которые как раз и могут на себя взять киловольты и килоамперы. Но урок все равно полезный, как раз для новичков
страшно подумать куда бы шагнула электроника иэобрети лет 50 назад такие транзисторы.я уже их люблю хотя не разу с ними не сталкивался.лайк тебе и удачи с меня подписка.
ну почти тогда и изобрели. В СССР в 1977 году был предложен составной транзистор с изолированным затвором. в 1983 и 85 годах в США были первые промышленные образцы, но они имели низкую скорость переключения, Аббревиатура IGBT и нормальные параметры работы были в 1990-е годы. Короче этим транзисторам 30 лет уже, а изобрели их 43 года назад.
Спасибо, парень, разложил по полочкам.
Еще бы по остальным предельным характеристикам разложил типы транзисторов, цены бы тебе не было)
Стоит заметить, что сняв напряжение с затвора, IGBT не закроется, ток будет протекать в коллекторной цепи некоторое время.
Приложить другую полярность...закроется как миленький...а если не закроется то можно обратиться в суд!!!
На счет отсутствия потребления тока на затворе немного неправильно , чем выше частота сигнала , тем больше будет потребление тока из-за переходных емкостей переходов через затвор начнет протекать высокочастотная составляющая.
Дядя вы лучший!
Пожалуйста, покажите внешний вид IGBT транзистора 6 кВ х 2.5 кА =15 000 000 ватт = 15 мегаватт. Это постоянная или кратковременная мощность нагрузки?
IGBT до 10 000 вольт 2500 ампер для систем предотвращения образования дуги рубильника силового высоковольтного трансформатора 6 КВ 100 КВА кратковременным шунтированием контактов в момент переключения.
Эквивалентная схема не является реальной структурой. Иначе не получились бы такие предельные параметры. Получите из двух транзисторов те же предельные токи и напряжения
Как я понял, все же можно к выходу микросхемы подключить мосфет, а уже к нему соответствующий биполярный транзистор? Плюс igbt в экономии места на плате, а также в одном кристалле полупроводника можно получить лучшие характеристики, чем используя дискретные элементы.
Экономия места это ерунда. На дискретных компонентах таких характеристик как у igbt и близко не получишь
@@rasimbot братан, я выше это же и написал
... прошу прощения ... что такое "дискретный компонент" ?
( я новичок в этом ).
@@alexandrrivo1208 | Дискр. компоненты это транзисторы, резисторы, конденсаторы и т. д., которые сами по себе -- каждый из них в своём корпусе. Это в противовес тому, что микросхемы внутри содержат те же компоненты, но в "интегральном исполнении"
... понял. Спасибо за ответ.
Спасибо, все подробно и четка.
Очень грамотное объяснение
Говорит не видел с обратной полярностью картинки, и тут же показывает ее и далее на ней все объясняет) дислексия? не думаю, просто оговорился.
Ну насчёт высокой частоты биполярный тоже нормально работает.
Здравствуйте, такой вопрос. Отдали горелый компьютерный блок питания в нем стоят полевики 30N60 4 штуки, они померли и стоят как крыло боинга. Но как раз в разборе не давно был сварочник из которого я выдрал транзисторы G50EH5. я так понял что это IGBT транзисторы 50А 650Вольт. Так вот вопрос можно ли поставить вот эти лгбтшные транзисторы вместо полевых, хотябы в PFC они же там просто включают и отключают цепь дросселя, заставляя его вырабатывать высокое напряжение
Внутринеее сопротивление открытого канала?
отключением от затвора не отключится, полевик в насыщении надо или минус или смещение отриц.
Получается, что реле уйдут в прошлое благодаря igbt ?
Реле гораздо дешевлее и практичнее,смотря, где применять ещё.
Реле исчезнут когда вымрет последний электрик и останутся только электронщики...
@@ДронКонищев и ещё реле хорошо коммутирует переменное напряжение, с транзисторами сложная схема, а симисторы по синусоиде не работают, с ними помехи в сеть идут. Ещё реле может коммутировать сразу несколько цепей - те же контакторы и магнитные пускатели, по сути реле большой мощности.
@@ДронКонищев но можно транзистор поставить в мост или встречно и запитать эту схем от отдельного БП (например на блокинг генераторе) и спомощью опто пары развязать гальванически. Выключать и включать можно при переходе в 0. а так же встроим ШИМ регулятор и контролер можно плавно нарастить и снять мощность. Не будет дребезга контактов и так же можно сигнализировать о ошибке, перегрузке, срабатывание защиты по КЗ и другие плюшки. Вопрос только в цене. А питание таких плат с развязкой может быть например специализированым БП с множеством обмоток для множественных подключений.
Да никогда...у Маска Илона спросите...он подтвердит...
Молодэц !!!
Непонятно, почему полевик закрывается. Там же ёмкость затвора. Само не должно закрываться...
Привет, хотел спросить, есть у меня IGBT транзистор RJP63F3 630V 40A. Вместо него хочу поставить FGPF4536 360V 50A поставить можно? На плазменном телевизоре. Здесь транзистор различаются только вот ПО напряжениями, тот 630V, А который хочу ставить на 360V. Я думаю можно, так как на плате 250вольт коллектором соединен на конденсаторы параллельно 5штук ПО 220мкф*250вольт.
В электронике движение электронов принято считать от + к минусу
Нет. От минуса к плюсу. Навстречу току.
Неважно...в последних исследованиях... никакие электроны ток не переносят...
Можно включать igbt в обратном направлении?
а разве транзюк обратной проводимости не npn структуры? а вы рисуете pnp
10:12 сам себе противоречит с движением электронов на базе и на затвор. А вообще ты классно объясняешь.
у меня тоже возникло недопонимание с тем где эмиттер и где коллектор
Принято от "+" к "-". Но потом поняли, что ошиблись. На самом деле от "-" к "+", но признавать ошибку и исправлять - не стали. Пора бы эту инфу знать.
Spasiba korotko i yasno.layk ot menya.
А где такое в жизни применяется - чтобы микросхема управляла такими огромными токами?
Ivan Ivanov яркий пример современные накамерные фотовспышки. Там мощность регулируется временем, которое разряжается кондер. И этим рулит мощный igbt транзюк. Может открыться совсем ненадолго и тогда накопительный кондер не успеет полностью разрядиться, а может и спустить весь накопленный на кондере заряд. Объяснил кривовато, но уж простите меня.
Инверторная сварка!
Преобразователь частоты переменного тока, работающие в промышленности(например для угольных комбайнов)
Сейчас в промышленности для регулирования оборотов трехфазных двигателей в основном используются частотные преобразователи, в которых силовая часть выполнена в виде IGBT-модуля. Благодаря ШИМ-модуляции можно регулировать скорость двигателя насоса или вентилятора, например.
Понятно. Спасибо всем за объяснения. Действительно умное решение 👍
а много ли видел Автор: PNP мощных транзисторов быстрых и высоковольтных .классических биполярников?
Классно рассказываешь . Тебе в школу надо - учителем.
добрый день у меня транзистор 2H33FM что-то ишу не как не могу наити может ест какото номер напиши пожалуста
Спосибо за видос!!
Норм. Лайк и подписка
Признательности благодарен вам!
Igbt могут плавно управлять нагрузкой ? Пропускным током?
В зависимости от напряжения на базе
более вероятно с помощью широтно-импульсной модуляции,как и со всеми остальными транзисторами
@@николай-г7ю3з ШИМ .... Что это?)
@@belgsergey Ну это довольно объёмная тема,но если кратко то это импульсы определённой частоты. Например есть у нас какая нибудь лампочка,мы хотим плавно управлять её свечением.Берём транзистор,ставим к нему лампочку а на затвор или базу транзистора подают ШИМ сигнал. ШИМ сигнал то открывает,то закрывает тразнистор очень быстро,но так как это происходит очень быстро(от нескольких тысяч раз до до сотен тысяч раз в секунду),то глаз не замечаем мигания или мерцания,но мы можем увидеть что лампочка светится на половину. Половину свечение можно достигнуть если время открытия или закрытия равны по времени,то есть имеется меандр. Управляя шириной импульсов мы можем регулировать всякие двигатели,вентиляторы,лампочки,светодиоды. Почитай статьи и посмотри видео в интернете про ШИМ,особенно про такие понятия как скважность и коэффициент заполнения. ШИМ можно построить на всяких компараторах,логических схемах,но проще всего на микроконтроллере. Я сам делал не микроконтроллере. Тупо настраиваешь в программе модуль ШИМ,цыпляешь к ноге какой нибудь транзистор и он управляется ШИМом,а к транзистору уже нагрузку какую нибудь можно прицепить.Но можно и без транзистора,то есть напрямую подавать ШИМ,например если это светодиод,то есть просто чаще всего это делается с транзисторами,но не всегда.
@@николай-г7ю3з спасибо ) большое
@@belgsergey как я понимаю, расшифровка такова - широтно - импульсный модулятор! Получается ШИМ!
Есть модуль двойной, SKM 145GB128D pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/217211/SEMIKRON/SKM145GB128D.html В нём запаяны 2 вывода, 4 и 5. Т.е. G и эмиттер. Это сделано для того, чтобы закрыть (исключить) один транзистор из работы?
iz igbt tranzistora mojno li propustit + fazu emitor kollektor
. ili nelzya. tolko massa.???
Здравствуйте. Вопрос такой. 2500 Ампер???? Там ноги у транзистора из чего сделаны??? Вольфрам? Может молибден. У ВАС на автомобиле ЗИМОЙ СТАРТЕР КУШАЕТ 200 Ампер. Так ТАМ ПРОВОД КАКОГО ДИАМЕТРА????? Либо Вы забыли чего-то ДОБАВИТЬ
Что за чушь -- причем тут вольфрам и молибден? Медь на втором месте по проводимости после серебра, и то уступает совсем немного.
2500 А это не транзисторы в стандартных транзисторных корпусах типа TO220 или TO247, а так называемые igbt-модули в специальных больших корпусах с массивными контактами под винт
Rus Saitmametov
Расчёт токовых способностей проводника без учёта его длины - пустое занятие. На электроавтомоделях повышенной мощности пиковые токи достигают 300А, а проводник всего лишь медь 6кв.мм длиной 5см.
У нас в электровозе в цепях стоят транзысторне сборки IGBT, коммутируют 3кВ с током до 1000А. th-cam.com/video/RqTigTp6SZY/w-d-xo.html
в момент пуска стартера да еще зимой токи достигают 400-1000А
А что по поводу обратных паразитных диодов?
Если они не нужны... их можно всегда выковырять...
направление тока в цепи от "+" к "-" а внутри батарейки от минуса к плюсу!!! ток направлен от положительного потенциала к отрицательному.
DEV code Так точно! При этом электроны перемещаются в противоположном направлении
@@user-wr9gl7pn2p электрон это и есть ток
@@nikola03077777777 , сравнение электроэнергии с потоком воды в трубе даёт не совсем полноценное представление - по гипотезе навстречу электронам устремлены электронные дырки то-есть двунаправленный вектор движения. Из одного полюса электронные дырки, а из другого электроны. Хотят третий полюс понять и открыть четырёх мерное измерение - не выходит ничего )))) , ведь для этого необходимо быть не просто одушевлённым предметом, а ещё и обладать наивысшим разумом.
нет. Ток идет по контуру и непрерывен. Вы спутали ЭДС и падение напряжения в цепи.
И да электроны (физически) двигаются от - к + но это не важно
Устаревшее утверждение. Менять и признавать ошибку не стали. Читай интернет, подсказки- не жди, трудись, ответ находи.😊
2:50 "IGBT не требует энергии для открытия или закрытия" - Человек совершенно не понимает о чем говорит. IGBT не требуют энергии для удержания своего состояния, а вот для открытия или закрытия ему, как и полевику, требуется энергия для перезарядки емкости затвора. И чем мощнее транзистор - тем энергии требуется больше, потому что емкость затвора у него тоже больше. Иногда этой энергии требуется так много, что на драйверы управляющие затворами ставят радиаторы, чтобы не перегревались.
Что докопался? Сам то ничего не можешь😅😂😅. Где ТВОИ ПРАВИЛЬНЫЕ ВИДЕО? Вот и молчи в тряпочку.
заряд базы считают в кулонах заряд базы про плато муллера забыл сказать )
9:31 Я не проф в этом, но мне кажется было бы логичней если б затвор полевого транзистора находился в N зоне этой схемы чтоб нейтролизовывать запирающий слой. Как и в полевом транзисторе. Посмотрите, ведь у вас сейчас к N зоне ничего не подключено, получается диод неуправляемый снизу со стороны коллектора.
не очень понятно
вы показываете что с эмиттера приходят электроны в р область от силового питания, и не могут пройти, а из цепи управления электроны через туже самую область проходят.
имхо если рассказывать через бегущие электроны то стоит рассказывать через поведение через свободные электроны и дырки, как образуется обедненный слой на pn переходе и как напряжение затвора его разрушает.
и по моему n область полевого транзистора(те два участка возле затвора) должны быть соединены с эмиттером, грубо говоря участок от эмиттера до синей линии - обычный проводник.
транзистор *ЗЭК* - Затвор,Эмиттер, Коллетктор.
Есть n-канальные и p-канальные
Не понятно, как и что там открывается если у тебя диэлектрик.
Электроны притягиваются ближе к изолятору полем и возникает n-канал. Как-то так.
Elias Vas ilex спасибо
Подписка
Весь ютюб забит одной и той же хернёй Что такое IGBT транзистор, это транзистор в котором соеденили би полярный и фет транзисторы и на этом всё обяснение. А где формулы где хотябы один даташиит? Не понмаю за что люди благодарят афтора?
За объяснение принципа.
Учись в ВУЗе по электронике. Не ленись. Иш, на всё готовенькое.😅😂😅
А нашел ок :))
и забыл сказать что солнечная радиация убивает высоковольтный полупроводниковые приборы на земле )))))))))))))
Да это противозаконно....ст 45 закона РФ...
И не понятно что такое средние частота, что такое малые частоты и высокие частоты. Я таких цифр не знаю. Так что тут тоже не согласен. Достаточно много высокочастотных биполярных транзисторов.
вы говорите, что полевик не требует тока. тут как раз наоборот. igbt транзисторы используют в ключевых схемах, где надо для заряда-разряда емкости обеспечить ахиренный импульсный ток. халявы нет нигде, даже в электронике. не дурите народ.
Сильно перемудрил и все запутал.
умных теток не бывает , они ни чего не изобрели
Есть) , а вообще изобретений нет, а есть лишь открытие., тех возможностей , которые изначально заложены в ,,материю,, Творцом .Бог всё сотворил.
Кюри...
Составной транзистор.
Лучше бы схему реальную на столе собрал.. и показал как она работает...
Вам надо, вот и собирайте, проверяйте. Лишь бы ничего не делать.😅😂😅
@@Игорь-м5с2ф опыт сын ошибок трудных... думаю вы понимаете....
игнитрон принцып )))))
читайте правильно маркировку LGBT -спаренные транзисторы, один свой коллектор воткнул другому в базу.
Пхахахахаххаха
ВСЕ!
Понял, беру напильник, синюю изоленту, батарейки, электрончики... и приступаю к изготовлению igbt транзюка.
На счёт тока затвора не согласен. Ёмкость затвора чем то нужно заряжать. Почитайте внимательно даташит. Прозрение сразу настанет.
Пока мне в руки такие замечательные приборы не попадали!Подписывайтесь на мой канал Василий Барышев! Вот ссылка на него :th-cam.com/channels/7_B1HeileYxx5c95EtoTgA.html
Не давите на массы...а то жалобами засыпят...
Да хреново работает если честно...
прям ЛГБТ серед транзисторов 😄
Да просто но не правильно
лгбт транзисторы что то новое
тетки не могут быть умными
тётки разные бывают ))
Слово транзюк - слух режет, хочется назвать автора подобно - п... дюк
бред для школьников
а может лгбт написано ? когда разберёте там внутри два кристала а он мужского рода!
два транзистора в одном ФЛАКОНЕ. оговорка по Фрейду. рашист и сразу ассоциация с флаконом