DRAM 밀도, 10나노 대에서 계속 줄어들기 힘든 이유... HBM이 답인가 | 3D DRAM과 Processing-in-Memory
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- เผยแพร่เมื่อ 17 พ.ย. 2024
- 무어의 법칙을 따라 10년 동안 100배 밀도 증가해온 DRAM은 최근 10년동안 2배밖에 증가하지 못했는데요. 1T1C 구조에서 특히 캐패시터의 경우 길죽한 모양으로 미세화가 더욱 어려운 지경입니다. 더군다나 DRAM 특성 상 30~40ms 마다 끊임없이 refresh를 해야 데이터가 지속 저장되기 때문에 이를 잘 Control하기 위해 가장 널리 사용되는 Sense Amplifier의 미세화도 어려운 상황인데요. DRAM이 현재 만난 한계점, 10나노대에서 아주 조금씩 줄어드는 상황을 정리하며 향후 DRAM 개발 방향에 대해 정리해보았습니다.
#무어의법칙 #DRAM #HBM
이전 영상 ㅡ 디램 역사 원리
• HBM은 비효율적... 그러나 이렇게라도...
Written by Error
Edited by 이진이
unrealtech2021@gmail.com - วิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี
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TH-cam 채널 커뮤니티를 통해 빅테크, AI, 반도체를 비롯한
다양한 테크 소식과 함께 제 개인적인 생각을 간략히 전달드리고 있는데요.
이와 관련된 내용을 일목요연하게 정리해서 보는 동시에
향후 안될공학 굿쯔나 기타 다양한 소식을 함께 전달하는 채널로서
Instagram 채널을 활용하고자 합니다.
많은 관심과 사랑, 팔로우 부탁드립니다!
10:23 자세가 범상치 않사옵니다..
흐물흐물해진놈을 딱 세우는걸 보면, SA는 섹시하겠군요
??? : (에코들어간)야하죠
온세상이 백아무개..!!
쉽게 설명해주실려고 노력을 하시지만 어려운 개념은 역시 잘 모르겠네요... 항상 수고가 많으십니다...
HBM이 미래는 아닐 겁니다. 뭔가 새로운 게 나올 타임이긴합니다....구조상 HBM은 상당히 비효율적이긴 하지요 ^^
디램보다는 꼭지 문제 해결이 더 시급해 보입니다.
삼성에서 EUV 장비로 DDR5를 만드나본데 1a 디램의 로직문제로 재설계를 고심 한다는 말이 있더군요.
HBM3E 속도 문제도 결국은 코어다이 때문이라는데 결국은 재설계 쪽으로 갈것 같은 느낌입니다.
암튼 어서 문제를 해결해서 삼성의 위상을 되찾기를 기원해 봅니다
디램이고 나발이고 운동 브이로그 찍어줘잉
말씀은 참 쉽게 하시는데 현재의 기술의 방향이 바뀌려면, 시행착오의 시간이 좀 필요할 거 같네요.
궁금했던 부분인데 감사합니다
요즘도 특정분야에서는 HBM도 성능면에서 노답이라는데 다음 스텝이 무엇일지 궁금하네요.
다음은 cxl
유리기판
cxl기술 그다음은 실리콘반도체말고 그래핀반도체가 들어갈듯
간간히 2030년까지 공정도 유지한다는 이런저런 얘기를 들은 적이 있는데 이게 30년도 후에 뭔가 특별한 뭔가가 나올거 같은 이스터 에그 같네요 ㅋㅋㅋㅋ
HBM 은 제조원가가 너무 비싸서 답이 될 수 없음. 그나마 단기적으로 가능한 건 GDDR 을 DRAM으로 쓰는 방법. GDDR 은 DDR 보다 2배 가량 latcncy 가 길지만 그대신 대용량 (
원가가 비싸서 안된다는것 자체가 편견임. 지금시대는 성능이 비용을 압도함.
HBM은 완전 고객 맞춤형이라
AI유행이 지나가면 다시 다른 신기술을 담은 제품이 나오겠죠.
암튼 메모리쪽 기술 발전이 젤 더디다는 것은 펙트
@@cmslgisj돈 싸들고 얼마가 됐든 GPU만 달라고 애원해도 못주고 있음. ㅎ
비싸다고? 그럼 미친듯잉 양산하면 싸지겠군.
hey Im impressed by the breath of your knowledge. keep it up man!
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메모리쪽 일했던 사람처럼 잘 설명해주네요 ㅋㅋㅋ
삼전 연구원 그만뒀나요?
안될 공학 - 애로❤ 였습니다 ^^
삼성이 스마트폰에서 애플을 누룰려면 HBM을 써서 온디바이스AI를 성능을 올리고 발열을 잡아야 하지 않을까 싶다.
32GB Dram을 표면실장한 박격포3 메인보드가 나오면 좋겟네요.
원칩이 나왔으면.. 메모리같은거면 그냥 메인보드에 붙여서 나와도 될것 같은데 옛날에는 메모리가 메인보드에 붙어서 나왔는데 뭐 그때는 그래픽카드도 메인보드에 붙어 있었지만
떳다 내 야동💖
하앙하앙🤤
절연 막을 더 얇고 누전 없이 만들면 될꺼아니야...
난 못하니까, 니가 해봐...
캐피시트 그러니까 우리같은 일반인은 곤덴서를 더 많이 들어본거같은데
여태까진 단순히 전하를 저장하는 역활만 하는거라 공정에서 그렇게 난이도가 높다 생각하지 않았는데
실제로 가격도 싸고 ..
오늘 영상을 보면 꼭 그런것만 있는거 아닌거 같아요
그리고 삼성에서 그동안 고전했던 HBM 열배출에서 계속 해메고 있는줄 아는데요
하이닉스는 그문제를 해결한거 같고
한미 반도체에서 만든 본딩장비로 만든 HBM 은 어떻게 열배출을 하는지도 궁금한데요
회시 기밀인지 모르겠지만 공개된것만이라도 영상만들어주면 좋겠어요
지금 amd가 3D 적층 하는 것과 비슷하게 s캐시 적층 하는 게 최고 아닐까요? 한 8기가만 되어도 어마어마한 속도가 나오지 싶은데...
그리고 미래에는 d램이 ssd 역할을 할 거 같아요.
즉, d램을 1테라씩 장착하는 시대가 오면 윈도우를 램에 다 올리고 ssd는 램을 실시간 백업하는 장치가 되지 않을까 싶습니다. 즉 정전이나 어떠한 이유로 갑작스레 다운 리부팅 되면 ssd가 어느 정도 데이터를 보존하는 역할을 할 거 같습니다. 즉, 실시간 고스트지요.
몸 디게 좋으시네욥
회사 후배가 저 티셔츠 입고왔었는데;;; 이런;
쿨럭.
고맙습니다.
cxl도 설명해주세요!
잘 모르는 입장에서는 nand 같이 처음부터 몇십 몇백단 쌓으면 안되나 하는 생각이 자연스럽게 드네요. 공정상 어려운 문제가 있으니까 굳이 따로 만들어서 나중에 쌓는거겠죠?
낸드는 1t 구조이고
디램은 1t 1c구조여서 쌓게 됐을 때 복잡합니다
T는 트랜지스터 c 캐패시터
복잡하다보니 수율이 개판입니다
더 이상 스케일다운이 힘들어서 현재 3d dram연구 중입니다
이 형 오늘도 유식하게 해주네ㅎㅎ고마워 형~
피피티가 더 좋아용
아 빨리 m램이 나오길 그럼 게임끝인데
결국 삼성이 미는 cxl이 마지막에 말씀하신 메모리단에서 처리해준다는건데 이게 말처럼 쉬운게 아닌지 실제로 상용화가 안되는거 같더군요 es는 봤는데...
캐패시터 누설이 문제면 그냥 S램 미세화 하는게 나은거 아닌가???
디램의 구조 자체가 1트랜지스터-1캐패시터다보니 발생하는 이슈
기존의 캐패시터를 소형화할수 있는 신소재를 개발하면 대박나겠네요
대학원 메모리시스템 강의 느낌...
리프레시 30미리세크? 아닙니다. 펨토세크단위입니다
반도체 뿐만 아니라 다른 산업도 비슷한데 인류의 기술 발전이 이제 정체기 아닌가 싶음
뭔가 획기적인 발견이 나오지 않으면 이제 더 이상 기술 발전은 안될듯 함
외계인이 와야 되는거 아닌가 ㅋㅋ
피씨나 폰에 hbm들어갈려나 ?
티셔츠 핏이 🤔
04:01 노벨의학상감?
53초전은 못 참지
이전 영상은 어디서 보나요??
요기용 ㅋ th-cam.com/video/do2Hy73uEdE/w-d-xo.htmlsi=9fpdP_6iwHJD60TE
😊
cxl + hbm 짬뽕해야될듯
인트로 이쯤에서 끝나겠지 하고 넘겼는데 그래도 인트로라서 빡치네
이미 삼성과 인텔도 GG쳤고 TSMC 마저 막히면 사실상 인류의 한계일라나 완전히 다른게 등장할지도?
1. 현재 삼성전자와 하이닉스가 올해부터 양산하는 최신 DRAM이 10nm 공정 입니다.
반면 로직칩은 현재 3나노 공정이죠. 왜 이걸 말하냐 하면은...
로직칩에 비해 DRAM은 공정미세화 여유가 10년정도는 더 있다는 말 입니다.
즉, 여기서 말하는 디램 한계보다 CPU 한계가 10년은 더 일찍 온다는 소립니다.
2. 로직칩 보다 디램이 미세화 한계 여유가 10년은 더 있기 때문에 지금 시점에 용량한계 말하는것도 어불성설 입니다.
대략, 디램 용량이 두배가 되는게 5년 텀인데, 현재 CPU는 5년만에 성능 두배도 어렵습니다.
3. 여기서, CPU나 디램이나 둘다 갈수록 동작속도, 용량, 성능 증가가 어려운 이유는 대략 20나노 28nm부터 시작된 양자터널링 현상에 의한 게이트 크기 축소가 어려웠기 때문.
4. 여러분들께서, DDR램의 동작속도가 빨라질수록 램타이밍을 풀어줘야 하고, 결과적으로 레이턴시가 증가한다는걸 아실텐데,
이런 이유가, 동적메모리의 리프레쉬와 에러보정 떄문 입니다.
5. 5:43 삼성전자나 TSMC나 최신설비 A를 구입하면, 첨에는 이 A장비를 최선단 공정에서 사용하다가, 세월이 지남에 따라, 다음 최신설비 B를 들여오면,
A장비는 차선단이나 레거시 공정으로 내려서 사용 합니다. 즉, 삼전이나 TSMC가 지금 사용중인 EUV장비는 이 회사들이 HI-Na EUV 장비 도입하고 2나노나 옹스트롬에 쓰기시작하면, 기존 보유EUV장비는 RAM 제조공정에 씁니다. 삼성은 이미 작년 14nm공정부터 EUV 적용중.
6. HBM은 기존 DDR에 쓰는램 갖다 쓰는건 아니고, 관통전극 홀이 뚫린 HBM용 메모리를 따로 제조해야 합니다.
그래서 삼성이 HBM 생산라인 확장하면 DDR용 램 생산이 줄어든다고 하는 것.
그리고, 엔비디아 인증 따로 받아야 하는 이유.
7. 아직 디램은 CPU에 비해 발전할수 있는 여유 포텐셜이 더 많이 남아있고,
현재 디램의 속도의 발목을 잡는건... 디램 그자체가 아니라, 인터페이스 입니다.
제가 인텔을 욕하는 이유가... 인텔이 10년넘게 그동안 DIMM만 고집 했다는 거고,
DIMM보다 10배는 빠른게 여러분들 잘 아시는 그래픽카드의 그래픽램이 연결된 방식(128비트, 256비트, 512비트)
HBM도 스텍만 했을뿐, 개념적으로 VRAM 연결과 동일한 방식의 1024비트 입니다.
애플 M1의 램 연결방식도 이것 이고,
인탤은 10년동안 할수 있으면서 안하다가 최근에서야 따라하고 있음.
이 방식은 병렬이라, 비트수만 늘리면 성능증가 됨.
마지막으로... HBM이 인기가 좋으면, V-NAND처럼 온다이 스텍 해버릴 겁니다..
ㄱㄱㅑ!!!!
디램의 미세화는 로직의 미세화랑 다릅니다
EUV장비 쓰면 TFT는 줄일 수 있겠죠
그런데 디램은 캐패시터 때문에 이미 한계입니다
왜 aspect ratio가 비정상적인지 생각해보시면 답이 나올겁니다
EUV장비로 스케일다운 되는 것보다 증착 기술의 발전으로 더 비정상적인 aspect ratio가 가능하거나 지금보다 높은 캡값을 가지고 누설이 안되는 재료가 나와야 스케일다운 가능합니다
그게 힘들기 때문에 3d dram 현재 연구중인거죠....
Logic 3나노랑 memory 10나노랑 pitch size 정의하는게 달라요 ~ logic 3나노 짜리도 실제 피치는 20나노 넘습니다
음 전혀 맞는 소리가 하나도 없네요 ㅎㅎ
일단 간단하게 반박 다하면
1. 로직 트랜지스터와 디램 트랜지스터 구조는 아예 달라 비교 자체를 할수 없음
2. 디램용량은 대부분의 워크로드에서 이미 용량보다 BW가 문제라서 용량 늘리는거에 집중하지 않음
3.게이트 사이즈만 줄이기 어려운게 아님
4. 인터페이스 속도가 올라가는 만큼 디램의 코어 속도가 안올라가서임
5. 로직이 더 작은 트랜지스터 쓰는데 당연히 더 작은 트랜지스터에 적합한 장비를 먼저 쓰는 건 당연한 것
7. 각 폼펙터에 맞는 인터페이스가 있는 것임
10:24 Flexible Display의 원리를 설명중입니다
삼성이 옛날에 hbm연구하다가 버린이유가 있었겠지.....
그래서 지금 sk에 따였는데 그때 버리고 다른거 연구한거는 광명 못보나?
마이크론도 하는데 감성은 왜 못하는거지
ㅋㅋ 맞죠 사실 HBM은 어마어마하게 무식한 방법이긴 함
그냥 non volatile ram 출시하는게 돈버는게 더 빠를거 같은데...
걔네는 많이 느려서 애매해요
@@아이폰사냥꾼 물론 RAM보단 느리지만 flash보단 월등히 빨라서 메모리 접근 구조만 개선 한다면 나쁘지 않게 사용 가능할 것 같습니다. 용량대비 가격만 개선한다면....
@@아이폰사냥꾼 게다가 저전력 구현이 쉽죠
비용 문제 개선 어려워요
@@슙허맨 ?? 그건 공돌이들이 해줄거에요~
중국 메모리 업체 기술은 어느정도인가요?
5년 내 따라잡힐 가능성 있는지요?
메모리는 기술한계에 봉착, 따라잡히는 건 시간문제. 중국 화웨이만 봐도 R&D 투자가 삼성전자의 2배. 미래는 정해진거라 봅니다.
일본의 그 대단한 전자업계 따라잡을 수 있었던, 삼성의 어마어마한 R&D투자. 그래서 치킨게임에 승자로 우둑서고, 투자 속도를 늦추지 않고, 경쟁업계를 압도하는 투자로
일본을 압살했던, 그 삼성이 원가절감에 목매는 상경계 임원들 때문에 이미 망했습니다.
기술로 먹고 사는 빅테크 기업의 수장이 공대출신이 아니라는 것만으로 이미 망조죠.
세계 어느 빅테크 기업에 엔지니어 출신이 아닌 사람이 경영을 책임지는 자리에 상경계 떨거지들과 같이 있다는 것만으로 답이 안 나오는 상황.
그럼 점에서 공대 출신이 아님에도 기술에 빡싹했던 이건희 회장은 난 사람.
설마....얼굴까지 잘생긴거 아냐? 뭔가 화나네...ㅋㅋ
다이를 3d로 쌓으면 안되나 ㅋㅋ
hbm만 쌓으니 비효율적이니
PC는 싼 놈이 이기는 게임임
반도체의 처리속도나 병목현상을 해결하는 방법 외에 사람의 신경을 의도적으로 늦춰 중앙서버에서 정보를 취합하고 송출하는 그 딜레이 시간을 벌게 해주는 기술도 나올까요?
신경 반응이 느려진 사람은 중앙서버의 처리 속도나 데이터 전송 속도의 버벅임을 느낄 수 없게되고 모두가 즉각적인 피드백을 받았다고 착각하게 만드는거죠
감기 걸리셨나요. 코 맹맹 소리가 납니다
HBM을 보다 생각난 아이디어)
기판 한쪽에 부품들을 꽂는데,
메모리는 그러지 말고 기판 양쪽에 붙이는 방식으로 하면
HBM의 높이를 절반으로 줄일 수 있는 거 아님?
거리가 멀어지면 멀어질수록 속도가 안나기 때문에 최대한 가깝게 세우는 거랍니다.
@@parksal 그러니까 기판 양면으로 하면 그 길이가 반으로 줄 잖아요.
예를 들어 기판 한쪽면에 2cm 높이로 HBM을 만들었다면
내 아이디어는 기판 양면에 1cm씩 HBM을 만들자는 겁니다.
한쪽면 2cm의 끝에 있는 내용을 불러오면
전기 신호 왕복 길이가 4cm이지만,
내 아이디어대로라면 1cm 끝에 있는 내용 불러올 때
전기 신호 왕복 길이가 2cm죠.
@@parksal 여기서 '기판'은 HBM 기판이 아니라 메인보드 기판을 말한 겁니다.
낸드 메모리를 재료를 바꿔서 DDR처럼 만들 수 없나 컨트롤러 도 문제네 외계인 임시 채용합시다 안드로메다로 삐삐 쳐
이 형 대흉근에 안기고싶다
팔뚝만 까지 마시고 이젠 얼굴도 까시죠~ㅋㅋ
ㅋ안될 한계임.
신비감은 계속되어야 합니다
이게 NPA아냐 두뇌 같은거 메로리에 연산 있는거
0:11
전완근 ㅗㅜㅑ
몸은 실사인데 얼굴을 어설프게 3D로 가리니까 불쾌한 골짜기가 느껴지네
특히 귀기울이는 포즈하느라 얼굴을 화면쪽으로 들이댈 때요. ㅋㅋㅋ
AI거품 꺼지면 어떻게될지
쇠질하는 너드남
삼성 5나노 디램인데
? 전세계 어디에도 10나노 언더 없어요
뉴스에서 말하는 3나노 공정 이런건 다 비메모리 반도체를 말하는거예요 메모리(디램)은 최신공정이 10나노대 입니다
유튜브 보면 최소 연봉 100억 이상은 받을 존문가들이 많네.
피지컬 때문에 신뢰도가 떨어짐
거북목이 아니라니
'전자'라는 이미 일반인에게도 폭넓게 사용되는 훌륭한 용어 대신
왜 자꾸 '일렉트론'이라고 하는 거지?
한국말 일부 까먹었나?
shrink도 우리 말로 바꾸면 더 많은 일반인들이 알아 듣기 편한데
끝까지 shrink라고 하네.
일부로 장벽 치나?
아예 '열'도 영어 단어로 바꾸지?
현업하면 용어들이 한국말보다 영어가 익숙합니다
노가다판가면 일본어 많죠?
똑같습니다
반도체는 영어권 학문이기 때문에 용어를 한국어 쓸일이 없어요
오히려 한국어가 어색해요
번역하면 이상한 것도 많고요
@@뒤통수핥짝 '전자'가요??
'전자'라는 용어를 사용하면 어색한가요?
이미 있는 한국어를 사용하려는 의식이 없으니까
이미 잘 사용되고 있는 한국어를 제끼고 일렉트로늄이라고 하는 거죠.
님 말씀대로라면
아예 '발열'도 강의자는 (논문을 통해) 공부한대로 영어로 말하는게 익숙한데 왜 그렇게 안 하죠?
그건 아직 '열'은 영어를 사용하는 게 익숙해지지 않아서입니다
즉, 이건 얼마나 자주 사용해서 익숙해지냐의 문제이고,
이 채널을 듣는 시청자는 반도체 관련 종사자가 아닌 일반인이 더 많을 겁니다.
비유하자면 공사장에서는 자기들 끼리 일본용어를 사용해도,
공사 일을 일반인에게 이해시킬 때는 일반인이 사용하는 용어로 바꿔 설명해야지, 일반인에게 '공구리' 이런 용어 사용하면 빨리 알아듣겠습니까?
그리고 우리나라는 자기 언어로 학문이 가능한 몇 안 되는 축복 받은 나라라는 점을 간과하지 마십시오.
다른 많은 나라는 언어 발전 깊이가 낮아
님 말씀처럼 어지간한 학문 용어는 거의 다 외국어를 사용해야 하지만
우리나라는 그렇지 않을 수 있는 나라 중 하나입니다.
그런데 저런 것을 냅두면
우리나라 어휘가 발전하지 못합니다.
그럼 훗날 (예의상 이름을 밝히지 않은 나라처럼) 우리도 학문을 할 때 거의 다 외국어로 떠들고
무엇보다 심각한 건, 전문 분야에서의 한국 어휘가 발전하지 못할 겁니다.
이미 '디테일'이란 용어 남발로 이제 와서 '디테일'이 사용되는 한국 표현을 순 우리 말로 바꾸기 어려운 것처럼 말이죠.
@@뒤통수핥짝노가다판에서 일꾼 끼리는 자기들 은어를 사용하는 것이 자연스럽죠.
그런데 우리가 반도체 업계 사람입니까?
이 채널은 일반인으로 대상으로 했었는데(초기에는여러 케이블 선 종류를 소개하던 그런 채널이었음)
지금은 마치 반도체 업계 사람을 대상으로 한 채널로 바뀐 건가요?
유튜브는 애초에 일반인 대상으로 하는데요?
그리고 일반인에게 폭낣게 사용 중인 '전자' 대신 '일렉트론'이란 용어 사용이
일반인에게는 어색합니다.
그래서 아예 '열'이란 용어도 왜 영어로 말하지 않는 거냐고 한 겁니다.
분명 외국 논문에서는 '열'을 한국어로 기재하지 않았을 텐데요.
@@이도-j9i왜 번역을 해야해요?
그게 어휘가 발전한다고 생각하세요?
함수 수소 산소 같이 잘못된 언어가 탄생할 가능성만 높아집니다
심한 경우 북한처럼 되는 거죠
왜 대학에서 교재 번역본 있어도 영어 원문 쓰는 줄 아세요?
개판이닌까요...
원문이랑 다른 해석이 대부분입니다
배터리 파트가면 음극, 양극이 개판으로 번역됩니다.
근데 한국어 있다고 한국어로 번역하라고요?
영어권에서 에노드, 캐소드가 끝입니다. 고정이에요 근데 한국어로 번역하면 이상해져요.
언어 발전이 아니라 효율성의 저하입니다.
자기 나라 언어로 공부할 수 있는 거는 고등학교까지라고 생각됩니다.
영어권 기반의 전문성이 있는 파트에 온 이상 가볍게 들어도 영어 단어는 필수입니다
해당 영상에서 나온 단어는 굉장히 자주 쓰이는 단어이고 저 단어 조차 한국어로 원하면 본인이 바꿔서 들으면 됩니다.
혼용해서 쓰는 단어나 영어로 쓰는 단어를 듣기 거북하다면 가볍게 듣더라도 해당 학문을 들을 자세가 안됐다고 생각되네요?
일반인 상대이기 때문에 한국어로 바꿔야 된다고 하시는데 해당 내용보다 범용적이고 접근 쉬운 경제도 유튜브나 뉴스에서 영어가 많이 나오는데...
@@이도-j9i그렇게 트집 잡으면 전부 영어로 설명안한걸로 트집 잡을 수 있는데요?
칠판 그만좀 졸려움