SiCが、Siに比べ3桁も抵抗が小さくなる理由 (Vol.37 2022.12.09)

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  • เผยแพร่เมื่อ 8 พ.ย. 2024

ความคิดเห็น • 2

  • @たく-i7d4c
    @たく-i7d4c ปีที่แล้ว

    いつも分かりやすい説明ありがとうございます。今回のテーマとは異なるのですが、SiCやSiのパワーデバイスチップについて裏面金属膜が通常2um程度と理解しているのですが、厚くなる場合もあるでしょうか?その場合、どういった目的が考えられるでしょうか?

    • @SiC-PowerSemiconductor
      @SiC-PowerSemiconductor  ปีที่แล้ว

      ご視聴ありがとうございます。裏面金属膜はSiCとのオーミックコンタクトとダイアタッチ材料との接合が主目的という観点からすると、そんなもので十分だと考えられます。何か新しいダイアタッチ材料が登場すれば変わる可能性はありますが、ちょっと知見がありません。