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SiC 的MOSFET 跟Si的MOSFET 最主要差異在於能夠操作的電壓 而不是切換速度！！因為碳化矽的材料其能夠耐的崩潰電場強度是矽的十倍左右. 所以其可以用較薄的膜厚來製做耐高耐的MOSFET. 所以採用 SiC來做MOSFET 是因為要做高壓 而非高頻切換.而GaN 其才是具有高壓以及高頻切換的材料
不同材料有不同的特性，我記得網路有圖可以很簡單的區別兩者在不同領域上的應用~!譬如關鍵字裡面文章的圖:[專欄]GaN、SiC功率元件帶來更輕巧的世界
techweb.rohm.com.tw/product/power-device/sic/sic-basic/4161/
SiC MOSFET跟Si MOSFET最主要差異在於能夠操作的電壓，但是Si IGBT操作電壓更高，為什麼要用SiC？所以在討論功元件的時候必須同時考慮操作電壓和工作頻率。
@@Ansforce 我沒有提到IGBT的比較因為你把IGBT 拿進來就是單純會降低了操做頻率因為IGBT 有BJT的作用 所以操做頻率就會大量降低, 但IGBT 是能增加 電流驅電能力 這也是因為BJT部份的貢獻！！另外 SiC 的MOSFET效率是比 SiC的MOSFET效率高 （以相同操做電壓而言）那是因為 SiC的材料電場強度大於Si十倍 所以其在相同的操做電壓下 SiC的 MOSFET的磊晶層所需 就比Si的 MOSFET的磊晶層薄非常多 進而使導通時的電阻Rds(on)就遠比Si的MOSFET小很多. 而切換速度 你如果把IGBT拿來跟MOSFET來比較就有很大問題了, 因為 MOSFET是多數載子在主導電流的. 但IGBT則是電子電洞一起在貢獻電流的, 所以切換速度來說 MOSFET 一定都會比 IGBT來的快. 至於IGBT的功能就是提供大的電流驅動能力 但其操做頻率會比BJT來的高 而比MOSFET來的低.但GaN 來身就是高電場強度的材料 而且其電子的運動速率 又比Si 以及 SiC來得快.所以其能夠適合做高壓以及高速切換的元件, 但好像是目前的材料技術來說 其晶格缺陷的含量是主要的問題 ...
SiC MOSFET相較於Si MOSFET, SiC MOSFET同時有高壓跟高頻的操作喔
曲博對電動車技術的研究很精闢，講解深入簡出，非常棒！
8:24秒時，Campbell就已經先聲明了要在“保持性能及效能”的前提下改變碳化矽的用量，所以我覺得曲博的最後推論可能值得重新研究一下，有其他的可能也不一定！
曲博一如既往的把艱澀的科學翻譯成易懂的內容 方便我們吸收新的知識😄😄😄
这集讲的很好，我一听就懂，不愧是这方面的博士👍
48個舊零件，需48N元的採購成本。12個新零件，需48N x 80%的採購成本，等於38.4N元，平均新零件是3.2N最好的方案，應該是採用24個舊零件，總成本為24N24N < 38.4N < 48N
曲博辛苦了，讲的通透
感謝介紹😊😊終於一次搞懂變壓器逆變器…等意思了😊😊😊
升壓+planar改trench
請問GaN真的可以用在OBC上嗎？
氮化鎵的MOSFET用在充電器上還有一些問題，另外它承受的功率也不夠高，用在OBC上需要串聯並聯成模組，是可以但是有許多困難必須解決。
太棒的article 讚
請教曲博1.我發現大家都在針對inverter減少75%的SiC,但其實Tesla的OBC以及DC/DC也有用SiC啊!這兩個都不用SiC,改用GaN,不是更容易達到整車SiC降75%的目的?2.如果是您推的這種可能性,那SiC彎道超車的點又在哪裡?謝謝解惑!
OBC不會用氮化鎵因為功率不夠高，應該是改用Si IGBT吧！碳化矽效率高。
GaN目前的穩定性不夠高, 有很多不可控的風險, 不要說OBC了! 現在在server power(1kW ~ 3kW)上都還不太敢用GaN, 再加上GaN目前的技術還不能做到高壓, 所以在800V(需要1200V的MOSFET)的系統目前看不到GaN的影子
@@michaelyu1028 我得到的資訊和你一樣，據說是GaN MOSFET在開關的時候會忽然失效，具體原因我沒有深入研究。
想到特斯拉，好像對馬達的電磁部分也有說可以減少烯土需求 。所以會不會是馬達的效率上有改進，所以耗電量也就可以降低呢? 因此連帶的碳化矽的需求可以調降。但也不應該能夠降低75%之多呀 或是改回用矽材料的 那麼矽材料的MOSFET結構有重大改進嗎?
特斯拉的確好像對馬達的電磁部分也有說可以減少烯土需求，但是這個通常是讓馬達更耗電，至於矽的MOSFET這幾年好像沒有聽過太大的改變。
基本上馬斯克那張唬爛嘴，出口百件只成一件，特斯拉對稀土的契約訂單不減反增，等它砍單再說吧
@@pkking2000 一針見血
其實電動車並不需要那麼大的馬力。歐洲最省油汽油一般家用車為800CC。
馬達的優勢在於扭力不是馬力，同馬力下燃油引擎的扭力非常差，白話就是起步慢~!
謝謝博士
謝謝🙏
所以到底漢磊嘉晶有沒有受到影響，股價還有機會上去嗎？
他们不是只做Lidar嗎
車一撞，天價維修：汽車維修廠不是大熔爐可以幫你撞壞的車熔掉重來，必須送到特斯拉原始工廠，它們熔製新車，很難幫你排工
曲博，謝謝您長時期以來，無私地貢獻與分享，讓我獲益良多 。有幾個蠢問題一直沒搞懂，能否請教您……對於foundries 而言，第一類矽晶片，第二類砷化鎵 磷化銦，第三類碳化矽 氮化鎵，因材質不同而有哪些主要的製程差異呢？又是否一家foundry 只能製做一種類別的材質呢？上述這三類材質的主力廠家分門別類的有哪幾家呢？銘感五內，再次感謝！
第一類矽晶片用途很廣，數位積體電路、類比積體電路(含射頻積體電路)、功率積體電路都可以做，台積電、聯電、茂矽都在做，有先進製程也有成熟製程。第二類砷化鎵、磷化銦主要做射頻積體電路，穩懋、全新在做，主要是成熟製程。第三類碳化矽是做功率積體電路，尼克森、杰力、大中在做，主要是成熟製程，但是都做低階的，高階的都是國外廠商在做，氮化鎵可以做功率積體電路或射頻積體電路，台積電有在做。
@@Ansforce 非常感謝曲博您撥冗回覆，讓我腦清思明茅塞頓開，感恩 。謝謝您的寶貴時間……
為何非要使用ac馬達，無法使用dc馬達？充電已經ac to dc，馬達又得dc to ac，如此能源損耗至少基本15%跑不掉
好問題，可以參考一下這個網站：www.dongchedi.com/article/6875327883066212876
@@Ansforce 翻看一些資料大概知道了，除維護之外，最其主要還是在成本及使用壽命，就算無刷，製作及後續維修，費用都是偏高不少
Dc的火花也較ac大不少
直流與交流的差異 在於傳輸損耗 意思就是太熱 直流馬達 轉子也要通電 交流不需要轉子通電
結果來個更扯的裝了新一代的SiC MOSFET的 SiC module剩下的功率加上 GaN module補足，馬斯克表示想不到吧，然後車賣更貴，美軍戰機的高功率相控陣雷達都用上GaN了，我們潮翻天的馬斯克有機會這麼搞吧(夢裡甚麼都有
又長知識了！
這圖標幽默，哈哈
Thank you!
重點：平價版 搶市占率
請問，減少碳化矽，有什麼意義呢？發狠的減掉75%，目的是什麼？
他在找廉價車的機會
就多去充電嘛
@@danielelninoerrante8203 這75%代表多少錢呢？曲博算了可以省20%的碳化矽總成的成本，如果原總成是500美元，那省下一百美元是在幹嘛？
能省多少算多少，我認為馬斯克主要的目的並不是真的要減少這麼多，而是要向Wolfspeed殺價，你看他把這個消息放出來，Wolfspeed股價立刻就暴跌，那特斯拉要殺價不就容易了嗎？
@@Ansforce 再同意不過了，商人商人，善於商量的人~!
好喜欢这种知识从脑子里经过的感觉
以後電動車跟手機一樣淘汰產品汰換率高廉價
Wolfspeedd 今日股价 26.03 USD
Wolfspeedd 從這段視頻發出(2023.4.7)到現在(2024.09.10)，股價從40幾元跌到7.6美元了
減少碳化矽75%，整車成本會少多少？20%？假設入門級小車的製造成本抓50w，那麼有10w的降價空間可以去打趴其它入門車款，也就是製車成本在50~60萬區間的車都可能會受影響，這刀太狠了，傳統車廠的末日要來了，有幾家受得了…前提是特斯拉真的能做得到，不然都是一種口嗨的行銷手法而已…
特斯拉学习比亚迪，改进了马达内部设计，从而改善了马达性能，也将降低碳化矽的用量。
降低马达功率意味着降低电动车的性能，特别是加速性能，不知消费者是否会买单这种低性能的电动车。。。如果消费者不买单，那就不会带来“低价位电动车的推出能扩大特斯拉的销量和市占率”这个假设。
也不是每個人荷包都飽飽的。 價格只要漂亮就會有人買單了！
性能電動車不是人人需要的，應該說省錢、節能，同樣電池里程數高是多數人需要的。以特斯拉為例model S、X性能最好，銷量最好的是model Y、3 。
我覺得特斯拉應該要拆分品牌，現在早就被定位成平價車種，要做高端應該再搞另一個品牌，低端也是~!model S、X就是花高端車的價買了一台平民車，雖然很俗氣但人性就是如此~!如果低價高價都是同個牌子，個人覺得特斯拉會吃很大的虧~!
我覺得消費者會買單耶！就好像我們的車子時速表都做到時速220公里，但是我從來沒有開超過時速120公里，同理Model3時速表差不多也是做到時速220公里，把它降到時速150公里其實也夠用了！
我就買iphone se2 呀， 不需要一直網美拍照。 我開車也只是為了到達目的地，在路程中飆車對我沒吸引力。😂
上個月的事了
嗯，旧闻新炒😂
曲博：中國大陸對半導體突出 N分天下的市場與生產的策略，你對這個有什麼看法
我查不到這個新聞耶！能不能分享一下連結？
對於特斯拉的發言總歸一句，想做廉價車，來增加客戶群。研發成本就從狗狗幣的fud來支付😂😂😂
忽然又貼上藍色小鳥，狗狗幣隨著馬斯特指揮漲跌。
哇！被你發現了，最近馬斯克在推特炒作狗狗幣，想必他手上一定持有一堆狗狗幣，要拉下線進去接盤。
@@Ansforce 马斯克，买推特亏了好多！推特哪里值440亿，估计开价200亿就卖了
@@hanson2328 你是說。馬斯克被割韭菜了嗎?😂😂😂
@@danielelninoerrante8203 对啊，然后马斯克割特斯拉股东韭菜，哈哈哈
趨勢不變，但羊毛終究在羊身上。壞消息就是入手該產業時期到了
8020
升压800V平台
3:10 的解釋是對的??????????????電壓跟電流轉換????????????
哪裡有錯？
@@Ansforce 我寫了啊！電壓跟電流轉換的元件這不就是你影片中說的嗎？這是正確的嗎？
@@SkyLin9527Huang 如果不正確，你可以說明哪裡有錯呀？
@@Ansforce 我沒寫嗎？
@@SkyLin9527Huang 你只是重複曲博的話，你沒有說為什麼錯啊
這技術我不懂，但完全可以看出馬斯克在唬爛，因為可以做到的話根本輪不到由特斯拉完成，有真正專業的廠商會去做。
這樣漢磊有救了嗎😂
dreaming😂
surfshark在天朝根本用不了
沒有人想去
所以天朝用什麼呢
@@阿絕 我想问你呢，这种东西就是用的人越多，越容易被封锁
@@beyondsakai surfshark技术不行
有哪個youtuber沒業配過surfshark
套居俗話講就是摳屎盪啦~~~廢話真多==~~~~
碳化硅，谢谢
謝謝！
謝謝你的支持！
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SiC 的MOSFET 跟Si的MOSFET 最主要差異在於能夠操作的電壓 而不是切換速度！！
因為碳化矽的材料其能夠耐的崩潰電場強度是矽的十倍左右. 所以其可以用較薄的膜厚來製做耐高耐的MOSFET. 所以採用 SiC來做MOSFET 是因為要做高壓 而非高頻切換.
而GaN 其才是具有高壓以及高頻切換的材料
不同材料有不同的特性，我記得網路有圖可以很簡單的區別兩者在不同領域上的應用~!譬如關鍵字裡面文章的圖:[專欄]GaN、SiC功率元件帶來更輕巧的世界
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SiC MOSFET跟Si MOSFET最主要差異在於能夠操作的電壓，但是Si IGBT操作電壓更高，為什麼要用SiC？所以在討論功元件的時候必須同時考慮操作電壓和工作頻率。
@@Ansforce
我沒有提到IGBT的比較
因為你把IGBT 拿進來就是單純會降低了操做頻率
因為IGBT 有BJT的作用 所以操做頻率就會大量降低, 但IGBT 是能增加 電流驅電能力 這也是因為BJT部份的貢獻！！
另外 SiC 的MOSFET效率是比 SiC的MOSFET效率高 （以相同操做電壓而言）
那是因為 SiC的材料電場強度大於Si十倍 所以其在相同的操做電壓下 SiC的 MOSFET的磊晶層所需 就比Si的 MOSFET的磊晶層薄非常多 進而使導通時的電阻Rds(on)就遠比Si的MOSFET小很多.
而切換速度 你如果把IGBT拿來跟MOSFET來比較就有很大問題了, 因為 MOSFET是多數載子在主導電流的. 但IGBT則是電子電洞一起在貢獻電流的, 所以切換速度來說 MOSFET 一定都會比 IGBT來的快. 至於IGBT的功能就是提供大的電流驅動能力 但其操做頻率會比BJT來的高 而比MOSFET來的低.
但GaN 來身就是高電場強度的材料 而且其電子的運動速率 又比Si 以及 SiC來得快.
所以其能夠適合做高壓以及高速切換的元件, 但好像是目前的材料技術來說 其晶格缺陷的含量是主要的問題 ...
SiC MOSFET相較於Si MOSFET, SiC MOSFET同時有高壓跟高頻的操作喔
曲博對電動車技術的研究很精闢，講解深入簡出，非常棒！
8:24秒時，Campbell就已經先聲明了要在“保持性能及效能”的前提下改變碳化矽的用量，所以我覺得曲博的最後推論可能值得重新研究一下，有其他的可能也不一定！
曲博一如既往的把艱澀的科學翻譯成易懂的內容 方便我們吸收新的知識😄😄😄
这集讲的很好，我一听就懂，不愧是这方面的博士👍
48個舊零件，需48N元的採購成本。
12個新零件，需48N x 80%的採購成本，等於38.4N元，平均新零件是3.2N
最好的方案，應該是採用24個舊零件，總成本為24N
24N < 38.4N < 48N
曲博辛苦了，讲的通透
感謝介紹😊😊終於一次搞懂變壓器逆變器…等意思了😊😊😊
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請問GaN真的可以用在OBC上嗎？
氮化鎵的MOSFET用在充電器上還有一些問題，另外它承受的功率也不夠高，用在OBC上需要串聯並聯成模組，是可以但是有許多困難必須解決。
太棒的article 讚
請教曲博
1.我發現大家都在針對inverter減少75%的SiC,但其實Tesla的OBC以及DC/DC也有用SiC啊!這兩個都不用SiC,改用GaN,不是更容易達到整車SiC降75%的目的?
2.如果是您推的這種可能性,那SiC彎道超車的點又在哪裡?
謝謝解惑!
OBC不會用氮化鎵因為功率不夠高，應該是改用Si IGBT吧！碳化矽效率高。
GaN目前的穩定性不夠高, 有很多不可控的風險, 不要說OBC了! 現在在server power(1kW ~ 3kW)上都還不太敢用GaN, 再加上GaN目前的技術還不能做到高壓, 所以在800V(需要1200V的MOSFET)的系統目前看不到GaN的影子
@@michaelyu1028 我得到的資訊和你一樣，據說是GaN MOSFET在開關的時候會忽然失效，具體原因我沒有深入研究。
想到特斯拉，好像對馬達的電磁部分也有說可以減少烯土需求 。
所以會不會是馬達的效率上有改進，所以耗電量也就可以降低呢? 因此連帶的碳化矽的需求可以調降。
但也不應該能夠降低75%之多呀 或是改回用矽材料的 那麼矽材料的MOSFET結構有重大改進嗎?
特斯拉的確好像對馬達的電磁部分也有說可以減少烯土需求，但是這個通常是讓馬達更耗電，至於矽的MOSFET這幾年好像沒有聽過太大的改變。
基本上馬斯克那張唬爛嘴，出口百件只成一件，特斯拉對稀土的契約訂單不減反增，等它砍單再說吧
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馬達的優勢在於扭力不是馬力，同馬力下燃油引擎的扭力非常差，白話就是起步慢~!
謝謝博士
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他们不是只做Lidar嗎
車一撞，天價維修：汽車維修廠不是大熔爐可以幫你撞壞的車熔掉重來，必須送到特斯拉原始工廠，它們熔製新車，很難幫你排工
曲博，
謝謝您長時期以來，無私地貢獻與分享，讓我獲益良多 。有幾個蠢問題一直沒搞懂，能否請教您……
對於foundries 而言，第一類矽晶片，第二類砷化鎵 磷化銦，第三類碳化矽 氮化鎵，因材質不同而有哪些主要的製程差異呢？又是否一家foundry 只能製做一種類別的材質呢？
上述這三類材質的主力廠家分門別類的有哪幾家呢？
銘感五內，再次感謝！
第一類矽晶片用途很廣，數位積體電路、類比積體電路(含射頻積體電路)、功率積體電路都可以做，台積電、聯電、茂矽都在做，有先進製程也有成熟製程。
第二類砷化鎵、磷化銦主要做射頻積體電路，穩懋、全新在做，主要是成熟製程。
第三類碳化矽是做功率積體電路，尼克森、杰力、大中在做，主要是成熟製程，但是都做低階的，高階的都是國外廠商在做，氮化鎵可以做功率積體電路或射頻積體電路，台積電有在做。
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Wolfspeedd 今日股价 26.03 USD
Wolfspeedd 從這段視頻發出(2023.4.7)到現在(2024.09.10)，股價從40幾元跌到7.6美元了
減少碳化矽75%，整車成本會少多少？20%？假設入門級小車的製造成本抓50w，那麼有10w的降價空間可以去打趴其它入門車款，也就是製車成本在50~60萬區間的車都可能會受影響，這刀太狠了，傳統車廠的末日要來了，有幾家受得了…前提是特斯拉真的能做得到，不然都是一種口嗨的行銷手法而已…
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降低马达功率意味着降低电动车的性能，特别是加速性能，不知消费者是否会买单这种低性能的电动车。。。如果消费者不买单，那就不会带来“低价位电动车的推出能扩大特斯拉的销量和市占率”这个假设。
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性能電動車不是人人需要的，應該說省錢、節能，同樣電池里程數高是多數人需要的。以特斯拉為例model S、X性能最好，銷量最好的是model Y、3 。
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如果低價高價都是同個牌子，個人覺得特斯拉會吃很大的虧~!
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趨勢不變，但羊毛終究在羊身上。壞消息就是入手該產業時期到了
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升压800V平台
3:10 的解釋是對的??????????????
電壓跟電流轉換????????????
哪裡有錯？
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我寫了啊！電壓跟電流轉換的元件這不就是你影片中說的嗎？
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@@SkyLin9527Huang 你只是重複曲博的話，你沒有說為什麼錯啊
這技術我不懂，但完全可以看出馬斯克在唬爛，
因為可以做到的話根本輪不到由特斯拉完成，
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謝謝！
謝謝你的支持！
謝謝！
謝謝你的支持！
謝謝🙏