ALD로 증착할수 있는 물질은 Oxide(siO2, high-k), Nitride(siN, etc), metal(tiN, Co, Pt, Ru)등을 기상에서 화학적 반응을 통해 증착하는 CVD와 달리 기판 표면에서 화학적 반응을 통하여 박막을 증착할수 있는 공정입니다. 이러한 물질을 반도체, 디스플레이 및 산업 응용에 맞게 이용하는데 응용에 있어 Step coverage, 낮은 Thermal budget, 정밀한 두께 조절 등의 요구조건을 만족시키지 못하는 CVD 및 PVD법을 대체해서 적용되고 있는 상황입니다. 실제 반도체소자의 ALD의 응용범위는 Patterning, Gate oxide, spacer, capacitor 등에 적용되고 있고, 최근 다른 산업에 있어도 폭넓게 적용되고 있는 상황입니다
감사합니다ㅠㅠㅠㅠ짱이다 진짜
감사합니다~!
감사합니다. 궁금하던게 뻥뚤리네요
안녕하세요 혹시 SiO2 증착에쓰이는 차세대 공정이라고 하면 ALD 나 PEALD 를 생각하면 될까요? 아니면 더 새로운 공정이 있을까요. 산업체에서 주목하거나 준비중인 기법이 있는지 궁금합니다
ALD로 증착할수 있는 물질은 Oxide(siO2, high-k), Nitride(siN, etc), metal(tiN, Co, Pt, Ru)등을 기상에서 화학적 반응을 통해 증착하는 CVD와 달리 기판 표면에서 화학적 반응을 통하여 박막을 증착할수 있는 공정입니다. 이러한 물질을 반도체, 디스플레이 및 산업 응용에 맞게 이용하는데 응용에 있어 Step coverage, 낮은 Thermal budget, 정밀한 두께 조절 등의 요구조건을 만족시키지 못하는 CVD 및 PVD법을 대체해서 적용되고 있는 상황입니다. 실제 반도체소자의 ALD의 응용범위는 Patterning, Gate oxide, spacer, capacitor 등에 적용되고 있고, 최근 다른 산업에 있어도 폭넓게 적용되고 있는 상황입니다