สรุป ...... ข้อมูลตัวเลขความถี่จากเวป Analog Applications Engineer-24 - R ชนิดไวร์วาวด์ใช้ได้ไม่เกิน 50KHz เน้นใช้กับความถี่ต่ำ และ งาน Power เป็นหลัก - R ชนิดฟิล์มโลหะ ( Metal Film ) ใช้กับความถี่สูง ไม่เกิน ประมาณ 100 MHz - R ชนิดคาร์บอน ใช้กับความถี่ต่ำ ไม่เกิน 1 MHz - R ชนิดฟิล์มคาร์บอน ( Carbon Film ) ใช้กับความถี่ต่ำ ไม่มีตัวเลขความถี่ระบุ แต่เส้นแถบฟิล์มคาร์บอนที่อยู่ด้านในก่อให้เกิดค่า L มากกว่าชนิดคาร์บอนเสียอีก ดังนั้นน่าจะใช้ได้กับความถี่ Hz KHz ค่อนมาทางต่ำ ค่าโอห์มสูง ๆ ยิ่งมีค่า L สูงตามไปด้วยเนื่องจากมีเส้นแถบฟิล์มยาวกว่าและมีจำนวนเกลียวเยอะกว่าค่าโอห์มต่ำ Note : ถ้าเน้นใช้งานความถี่สูง ควรเลือก R แบบ SMD เพื่อลดผลกระทบจากค่า L
ดูต่อ ตัวต้านทาน น่ารู้ รวมเรื่อง R ไว้ใน Playlist นี้
th-cam.com/play/PLdcRmbw5ZqKowj9gCvUAJ85nWPq-wh0pV.html
R ทนความร้อน ( Metal Oxide Film Resistor )
คุณสมบัติ ตัวต้านทานทนความร้อน
- ทนโอเวอร์โหลด ทนกระแสเสิร์จได้ดีกว่า R ชนิดฟิล์มโลหะ จีงนิยมใช้ R ทนความร้อน จุดที่มีกระแสเสิร์จ ไฟกระชาก
- ใช้งานพาวเวอร์และวัตต์ที่สูงกว่า R ชนิด ฟิล์มโลหะ
- ทนความร้อนได้ดี ทนได้ใกล้เคียงชนิดไวร์วาวด์ แต่ทนกว่า R ชนิด ฟิล์มโลหะ จีงนิยมใช้จุดที่มีความร้อน
- สัญญาณรบกวนต่ำ 0.2 µV/V ใกล้เคียงกับแบบฟิล์มโลหะ
- มีความเสถียรต่อแรงดัน มีสัมประสิทธิ์แรงดันต่ำ คือ ค่า R ไม่เปลี่ยนไปตามแรงดันที่ป้อน ( Low voltage coefficient ) จึงใช้กับแรงดันได้ดี
- มีราคาถูกกว่าชนิดไวร์วาวด์ เนื่องจากมีกระบวนการผลิตที่ง่ายกว่า แต่ราคาก็จะสูงกว่า R ชนิด ฟิล์มโลหะ
ข้อเสียของ ตัวต้านทานทนความร้อน
- มี % คาดเคลื่อนสูงกว่า และ มีสัมประสิทธิ์อุณหภูมิสูงกว่า R ชนิดฟิล์มโลหะ
R ทนความร้อน 200 PPM 300 PPMM 350 PPM ( มีหลายสเปค ) เช่น 2% 5% 10%
ส่วน R ชนิดฟิล์มโลหะ 20 PPM 50 PPM 100 PPM ( มีหลายสเปค ) เช่น 0.1% 1% 2% 5%
- การนำ R ทนความร้อน ไปใช้งาน
จากเอกสารผู้ผลิต R ทนความร้อนชั้นนำหลายๆที่
จะอธิบายเน้นหนักและแนะนำ ให้ใช้กับงานพาวเวอร์ ใช้แทนตัวต้านทานชนิดไวร์วาวด์
ใช้กับวงจรพาวเวอร์ ( Power Application ) , Line protection ใช้กับวงจรส่วนที่เป็นไฟ AC ซึ่งเป็นความถี่ต่ำ เป็นต้น
นี้จึงเป็นการนำไปใช้งานหลักๆของมัน ไม่พบการบรรยายถึงด้านความถี่สูงเลยในเอกสาร
มีเพียงข้อมูลบางส่วนที่บอกว่ามันมีค่า L ต่ำ Low lnductance and Low Noise
ตัวฟิล์มออกไชต์มีความเป็นเนื้อเดียวกันสูง ( Uniform ) เมื่ออิเล็กตรอนไหลมันเกิดการชนกันน้อยจึงมีสัญญาณรบกวนน้อย
สรุป ...... ข้อมูลตัวเลขความถี่จากเวป Analog Applications Engineer-24
- R ชนิดไวร์วาวด์ใช้ได้ไม่เกิน 50KHz เน้นใช้กับความถี่ต่ำ และ งาน Power เป็นหลัก
- R ชนิดฟิล์มโลหะ ( Metal Film ) ใช้กับความถี่สูง ไม่เกิน ประมาณ 100 MHz
- R ชนิดคาร์บอน ใช้กับความถี่ต่ำ ไม่เกิน 1 MHz
- R ชนิดฟิล์มคาร์บอน ( Carbon Film ) ใช้กับความถี่ต่ำ ไม่มีตัวเลขความถี่ระบุ
แต่เส้นแถบฟิล์มคาร์บอนที่อยู่ด้านในก่อให้เกิดค่า L มากกว่าชนิดคาร์บอนเสียอีก ดังนั้นน่าจะใช้ได้กับความถี่ Hz KHz ค่อนมาทางต่ำ
ค่าโอห์มสูง ๆ ยิ่งมีค่า L สูงตามไปด้วยเนื่องจากมีเส้นแถบฟิล์มยาวกว่าและมีจำนวนเกลียวเยอะกว่าค่าโอห์มต่ำ
Note : ถ้าเน้นใช้งานความถี่สูง ควรเลือก R แบบ SMD เพื่อลดผลกระทบจากค่า L
👍♥️
Metal Oxide Film Resistor ไม่ควรใช้กับสัญญานความถี่สูง หรือ สัญญาน Pulse เพราะเปรียบเสมือน Coil
วิทยุเวลาหมุนหาคลื่นสัญญาณรบกวนมากแก้ตรงไหนครับหรือเปลี่ยนตัว r ทั้งหมดเลยครับ
เอามาใช้แท่นกันไดใหมครับ
ได้บางวงจรครับแต่บางวงจรใช้แทนกันไม่ได้เลย ให้สังเกตใน 1 แผงวงจรจะมี R หลายชนิดอยู่ตามจุดต่างๆจะเลือกใช้ R ชนิดไม่เหมือนกัน
ครับ
ข้าผู้น้อยด้อยปัญญาขอฝากเนื้อฝากตัว เป็นลูกศิษย์อาจารย์ด้วย
ขอบคุณที่ดูคลิบนี้ มิได้เป็นอาจารย์สอนตามอาชีวะจึงมิกล้าเป็นอาจารย์ครับ เพียงแต่เคยเรียนอิเล็กทรอนิกส์มา
สวัสดีครับพี่
สวัสดี นักเล่น Class D ขอบคุณที่เม้นแรกๆ
ทำไมมันไม่ขนานกันทั้งสามตัว
เขาได้ทดลอง / พิสูจน์ และสรุปออกมาเป็นหลักการแล้วครับว่า โมเดลการต่อที่ใกล้เคียงความเป็นจริงมากที่สุดจะเป็นโมเดลแบบในคลิบ ( คือไม่ได้ขนานกันทั้ง 3 ตัว ) ซึ่งมันสามารถอธิบายปรากฏการณ์ที่เกิดขึ้นได้ถูกต้อง ดังนั้นเวลาเขาอธิบายคุณสมบัติของ R เกี่ยวกับความถี่ เขาจะใช้โมเดลนี้