Towards a Broader Understanding of Reliability in SiGe HBTs and the Circuits Built from Them

แชร์
ฝัง
  • เผยแพร่เมื่อ 28 ธ.ค. 2024

ความคิดเห็น • 4

  • @mdmobashshirulhaque
    @mdmobashshirulhaque 6 หลายเดือนก่อน

    Thanks for the video

  • @calengr1
    @calengr1 3 ปีที่แล้ว +1

    16:10 SiGe 4.3 kelvin; 17:25 Enduring resilience of Silicon

  • @calengr1
    @calengr1 3 ปีที่แล้ว

    12:40 comparison of tech III V vs Is etc; 14:11 GaN wattage o/p

  • @calengr1
    @calengr1 3 ปีที่แล้ว

    CMOS below 90nm uses strain eng principle to enhance mobility; 11:02 600 GHz ...10x improvement