bonjour et merci pour cette vidéo pertinente . cela m'aidera à renouer avec l électronique qui est une de mes formations de base que j ai obtenu à l époque : à l AFPA de Montluçon
Bonjour Thonain, je souhaitai juste te dire que dans le contexte où on utilise un transistor bipolaire, les montages sont également construit en fonction de UBE. C'est dut au fait que le courant dans la base qui pilote le transistor est un un facteur beaucoup trop instable par nature. du coup, comme je viens de le dire, on choisit un transistor en fonction des formules de tension, et pas de courant.
salut ,le schéma que tu as dessiné pour le mosfet correspond en faite à un JFET(junction field effect transistor) qui est aussi a effet de champs mais lui pas adapté à la puissance .Pour le reste des explications je suis d'accord .
MrExtasii3 merci pour pour ce correctif. C'est très sympa. Je ne peux pas modifier le titre sur la miniature mais je vais modifier dans mon titre de vidéo.
Bonjour ! Que pensez vous du transistor NPN TIP 140 ( ou 142)? J ' utilise son équivalent, le BJ1106, en boîtier TO-03. Ces transistors ne me cause aucuns problèmes.
Bonjour. Désolé, je ne le connais pas celui là.. Je suis un débutant qui ne fait que partager avec d'autres débutants ce que j'apprends et comprends ;-)
slt thonain si je me trompe pas je pence que la difference reside dans la frequence c.a.d que la fréquence que peut supporetr un transistor par rapport a 1 mosfet est negligeable (le probleme des composants electronique c quils chauffent dans les haut frequences)
C'est un transistor à appauvrissement que tu as dessiné la, ceux à enrichissement se représentent avec des pointillés . Les npn sont analogues aux n channel à appauvrissement, à la différence de la nature de la commande. Et je pense qu'un mosfet peut être traversé d'un courant plus important du fait que celui-ci n'a pas à traverser de jonction de semi-conducteur. Le connu irf150n peut être traversé de 40A, j'ai jamais vu ça pour un bipolaire. En tout cas tes vidéos sont très pédagogiques, continue dans cette voie ;)) fr.wikipedia.org/wiki/Transistor_%C3%A0_effet_de_champ
Léandro de la Vega Hello Léandro ! je vois que j'ai affaire à un expert... ton soutien et tes encouragements à continuer sont du coup d'autant plus appréciés par moi ;-)
***** Autant pour moi, il existe deux représentations pour les mosfets à enrichissement, ta représentation est bien juste mais je préfère largement celle avec les flèches qui permet de distinguer le drain de la source ..
En lisant les caractéristiques du transistor il est noté un gain de 150. Pourquoi tu précises 350 en gain ? Concernant la tension qui est en limite de 100mA, peut on mettre une résistance en amont du collecteur pour limiter justement l’intensité qui circulera dans le transistor ?
Pour le transistor BC547B , le gain est d'environ 350 pour une température d'environ 22 °C , ce gain est variable de 150 à 400 il me semble cela dépend de la temperature . Plus il fait chaud, plus le gain montera, plus il fait froid, plus il baissera. Et oui tu peux mettre une resistance en amont du collecteur si jamais elle est superieur à 100mA j'espere avoir pu t'aider
***** Quand on dit tension de commande on parle de la différence de potentiel Vbase-Vémetteur. Pour un pnp, en connectant l'émetteur au plus 12V, si le potentiel à la base est nul, on obtient une différence de potentiel 0-12= -12 ! Le pnp est alors passant .. Pour le bloquer il faut donc appliquer une tension de 12V à la base pour avoir une ddp nulle. Voili-voilère :)
Tout simplement en faisant passer le courant dans l'autre sens donc l'alimenter avec le négatif, et non le positif, ou alors en lui mettant une résistance en pull-down au niveau de sa base
... Avec une "resistance" forte qui limite l'intensité qui le traverse. La tension entre base et emetteur est d'environ 0.6 V (en dessous rien ne passe) Le but est de ne pas faire traverser beaucoup de courant par la base qui n'est pas faite pour ca. Si tu as une entrée sur ta base de 500 V , fournissant 5 A , il va exploser instantanement. Si tu as une entrée sur ta base de 500 V fournissant maxi 1 mA, le courant va passer , 1 mA et la tension de ton entrée va chutter instantanement car elle sera en "court circuit". Si tu as une entree de 500 V suivie d'une resistance de 500 K , il va passer environ 1 mA (500-0.6/500000) mais la tension au borne de ta resistance sera de 499.4 V (environ 1mA*500000) et celle de base-emetteur, de 0.6 V. C'est ce 1 mA qui motivera le passage collecteur-emetteur. Tes 500 V n'on que peu d'incidence.
Le choix de terminologie différente pour les pattes entre les 2 types de transistor est une belle connerie. Entre collecteur-emetteur et drain-source, des fois les mecs se caressent. L'image drain-source est grave ambigue. Ca peut etre , on draine et on regarde la source au bout du drain. Comme ca peut etre une source et on met un drain derriere. Collecteur (je recois) , emetteur (j'envoie) est plus explicite à mon gout. Le mieux serait, a mon gout , recepteur, emetteur et commande.
Merci Thonain tes explications m'ont permis de mieux comprendre mes cours en électronique merci encore
Merci thonain pour tes vidéos c’est excellent et la vulgarisation ça a du bon 👍
Toujours simple et efficace.
Merci pour la vidéo , très claire
bonjour et merci pour cette vidéo pertinente . cela m'aidera à renouer avec l électronique qui est une de mes formations de base que j ai obtenu à l époque : à l AFPA de Montluçon
Bonjour Thonain,
je souhaitai juste te dire que dans le contexte où on utilise un transistor bipolaire, les montages sont également construit en fonction de UBE. C'est dut au fait que le courant dans la base qui pilote le transistor est un un facteur beaucoup trop instable par nature. du coup, comme je viens de le dire, on choisit un transistor en fonction des formules de tension, et pas de courant.
😃 je vous remercie beaucoup Bravo
Merci De votre aide que dieux vous récompense 💄
salut ,le schéma que tu as dessiné pour le mosfet correspond en faite à un JFET(junction field effect transistor) qui est aussi a effet de champs mais lui pas adapté à la puissance .Pour le reste des explications je suis d'accord .
MrExtasii3 merci pour pour ce correctif. C'est très sympa. Je ne peux pas modifier le titre sur la miniature mais je vais modifier dans mon titre de vidéo.
pas de soucis ,mais étude son basé sur l'électronique de "base" donc si vous avez besoin. :)
Merci beaucoup à vous
Bonjour !
Que pensez vous du transistor NPN TIP 140 ( ou 142)?
J ' utilise son équivalent, le BJ1106, en boîtier TO-03.
Ces transistors ne me cause aucuns problèmes.
Bonjour. Désolé, je ne le connais pas celui là.. Je suis un débutant qui ne fait que partager avec d'autres débutants ce que j'apprends et comprends ;-)
slt thonain si je me trompe pas je pence que la difference reside dans la frequence c.a.d que la fréquence que peut supporetr un transistor par rapport a 1 mosfet est negligeable (le probleme des composants electronique c quils chauffent dans les haut frequences)
Merciii pour le partage :)
merci pour le partage
Cool merci pour la réponse
C'est un transistor à appauvrissement que tu as dessiné la, ceux à enrichissement se représentent avec des pointillés . Les npn sont analogues aux n channel à appauvrissement, à la différence de la nature de la commande. Et je pense qu'un mosfet peut être traversé d'un courant plus important du fait que celui-ci n'a pas à traverser de jonction de semi-conducteur. Le connu irf150n peut être traversé de 40A, j'ai jamais vu ça pour un bipolaire.
En tout cas tes vidéos sont très pédagogiques, continue dans cette voie ;))
fr.wikipedia.org/wiki/Transistor_%C3%A0_effet_de_champ
Léandro de la Vega Hello Léandro ! je vois que j'ai affaire à un expert... ton soutien et tes encouragements à continuer sont du coup d'autant plus appréciés par moi ;-)
***** Autant pour moi, il existe deux représentations pour les mosfets à enrichissement, ta représentation est bien juste mais je préfère largement celle avec les flèches qui permet de distinguer le drain de la source ..
En lisant les caractéristiques du transistor il est noté un gain de 150. Pourquoi tu précises 350 en gain ?
Concernant la tension qui est en limite de 100mA, peut on mettre une résistance en amont du collecteur pour limiter justement l’intensité qui circulera dans le transistor ?
Pour le transistor BC547B , le gain est d'environ 350 pour une température d'environ 22 °C , ce gain est variable de 150 à 400 il me semble cela dépend de la temperature . Plus il fait chaud, plus le gain montera, plus il fait froid, plus il baissera. Et oui tu peux mettre une resistance en amont du collecteur si jamais elle est superieur à 100mA j'espere avoir pu t'aider
Le courant dans la base inverse la polarisation de p ds le cas de npn ce lui rend n et ainsi on a nnn au lieu de npn et le courant passe.
Merci mais je ne comprend pas comment donner une tension négative en cas de transistor pnp?
***** Quand on dit tension de commande on parle de la différence de potentiel Vbase-Vémetteur. Pour un pnp, en connectant l'émetteur au plus 12V, si le potentiel à la base est nul, on obtient une différence de potentiel 0-12= -12 ! Le pnp est alors passant .. Pour le bloquer il faut donc appliquer une tension de 12V à la base pour avoir une ddp nulle.
Voili-voilère :)
Tout simplement en faisant passer le courant dans l'autre sens donc l'alimenter avec le négatif, et non le positif, ou alors en lui mettant une résistance en pull-down au niveau de sa base
merci
Cool ! :)
merciii
hum le bipolaire se pilote aussi par la tension...
... Avec une "resistance" forte qui limite l'intensité qui le traverse.
La tension entre base et emetteur est d'environ 0.6 V (en dessous rien ne passe)
Le but est de ne pas faire traverser beaucoup de courant par la base qui n'est pas faite pour ca.
Si tu as une entrée sur ta base de 500 V , fournissant 5 A , il va exploser instantanement.
Si tu as une entrée sur ta base de 500 V fournissant maxi 1 mA, le courant va passer , 1 mA et la tension de ton entrée va chutter instantanement car elle sera en "court circuit".
Si tu as une entree de 500 V suivie d'une resistance de 500 K , il va passer environ 1 mA (500-0.6/500000) mais la tension au borne de ta resistance sera de 499.4 V (environ 1mA*500000) et celle de base-emetteur, de 0.6 V. C'est ce 1 mA qui motivera le passage collecteur-emetteur.
Tes 500 V n'on que peu d'incidence.
Le choix de terminologie différente pour les pattes entre les 2 types de transistor est une belle connerie.
Entre collecteur-emetteur et drain-source, des fois les mecs se caressent.
L'image drain-source est grave ambigue.
Ca peut etre , on draine et on regarde la source au bout du drain.
Comme ca peut etre une source et on met un drain derriere.
Collecteur (je recois) , emetteur (j'envoie) est plus explicite à mon gout.
Le mieux serait, a mon gout , recepteur, emetteur et commande.