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講得很棒！喜歡這個頻道的教學，贊！
应该再介绍下选择电阻的功率就更好了
用MOSFET就簡單多了。
为什么集电极电压要比基极电压高一点？
二極管特性，會有0.6V左右的壓降
電壓C>B讓CB逆向偏壓，再加上電壓B>E的順向偏壓，讓BJT電晶體操作於主動放大區(電流放大beta才有作用)如果電壓C
@@alanlinx 你指的0.6v壓降應該是順偏壓降不是影片中操作的狀態，npn型BJT電晶體ＣＢＥ對應了ＮＰＮ，集極C電壓大於基極B是屬於逆向偏壓，此設定是為了搭配BE順向偏壓，讓BJT操作於主動放大區
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应该再介绍下选择电阻的功率就更好了
用MOSFET就簡單多了。
为什么集电极电压要比基极电压高一点？
二極管特性，會有0.6V左右的壓降
電壓C>B讓CB逆向偏壓，再加上電壓B>E的順向偏壓，讓BJT電晶體操作於主動放大區(電流放大beta才有作用)
如果電壓C
@@alanlinx 你指的0.6v壓降應該是順偏壓降不是影片中操作的狀態，npn型BJT電晶體ＣＢＥ對應了ＮＰＮ，集極C電壓大於基極B是屬於逆向偏壓，此設定是為了搭配BE順向偏壓，讓BJT操作於主動放大區