MOSFETs’ Kelvin connection

แชร์
ฝัง
  • เผยแพร่เมื่อ 1 ม.ค. 2025

ความคิดเห็น • 26

  • @mehdirezai5347
    @mehdirezai5347 3 วันที่ผ่านมา +1

    Thank you professor. All respect from Iran

  • @hetjoshi2892
    @hetjoshi2892 2 วันที่ผ่านมา +1

    @ 4:55, what if we use a Ferrite bead (instead of resistor) to attenuate high-frequency noise (current)? It would also help by maintaining the same Rg_on and Rg_off.
    Thanks in advance

  • @esijal
    @esijal 4 วันที่ผ่านมา +2

    Insightful presentation. Thanks, dear Professor.

    • @sambenyaakov
      @sambenyaakov  4 วันที่ผ่านมา

      So nice of you. Thanks.

  • @doronlola1763
    @doronlola1763 4 วันที่ผ่านมา +1

    As always, thank-you professor

  • @hgp8858
    @hgp8858 4 วันที่ผ่านมา +1

    Thank you professor, accurate presentation as always.

    • @sambenyaakov
      @sambenyaakov  4 วันที่ผ่านมา

      Thanks. Much appreciated

  • @tseckwr3783
    @tseckwr3783 4 วันที่ผ่านมา +1

    very informative. thanks.

    • @sambenyaakov
      @sambenyaakov  4 วันที่ผ่านมา

      Thanks for watching!

  • @Chris_Grossman
    @Chris_Grossman 4 วันที่ผ่านมา +1

    Why not have unique floating drivers for each FET and avoid the ground loops?

    • @JacquesMartini
      @JacquesMartini 4 วันที่ผ่านมา

      Possible, but more expensive.

    • @sambenyaakov
      @sambenyaakov  4 วันที่ผ่านมา +2

      Cost

  • @cls4694
    @cls4694 4 วันที่ผ่านมา +1

    perfect

  • @ЁбрагимИпатенкоибнАдхарма
    @ЁбрагимИпатенкоибнАдхарма 4 วันที่ผ่านมา +1

    As basic (based) as important. A lot. Thanks!

  • @sanjikaneki6226
    @sanjikaneki6226 4 วันที่ผ่านมา +1

    i only saw them in high speed devices like GANfet from what switching frequency does this become a necessary ?
    Also wouldnt be easier to simply use a higher drive voltage?

    • @JacquesMartini
      @JacquesMartini 4 วันที่ผ่านมา +2

      The kelvin connection is used in new SiC an GaN FET devices, mostly due to ther insane switching speeds, which generates substantial voltage drops across the source inductance. A higher drive voltage would NOT solve the problem! It would increase driver power dissipation, also modern FETs have lower limits for gate drive voltage.

    • @sambenyaakov
      @sambenyaakov  4 วันที่ผ่านมา

      Indeed. Thanks.

  • @sXAPOLLls
    @sXAPOLLls 4 วันที่ผ่านมา

    But why it is only from source and not from drain?

    • @JacquesMartini
      @JacquesMartini 4 วันที่ผ่านมา +2

      Because the gate voltage is referenced to source, not drain.

    • @sambenyaakov
      @sambenyaakov  4 วันที่ผ่านมา

      Indeed. Thanks.

    • @sXAPOLLls
      @sXAPOLLls 4 วันที่ผ่านมา

      @@JacquesMartini I would agree this works for eliminating PGND issues, but usually I see Rds sensing for current control, where you may want to have full kelvin output.

    • @JacquesMartini
      @JacquesMartini 4 วันที่ผ่านมา

      @@sXAPOLLls How many MOSFETs have a kelvin connection on drain? 1% or less?