제일 큰 특징은 스위칭 속도(고주파수). sic와 경쟁이라기보다는 시장이 다름. sic는 산업시장(전기차..) gan보다 5년 빠른 정도. gan은 차라리 si와 경쟁임 // 국내 ‘소자’를 하는 회사는 없다. 진입하려고 함. 국내 대기업에 들어가는 모듈은 외국 회사와 협력하여 개발… 12:04 스위칭스피드 빠른 장점 13:10 기술적 어려윰 16:39 전력반도체 50조라 하면, sic는 5조 정도 나머지는 si. 여기에 침투할 것. 17:13 침투 못하는 이유
@@zhcm123GaN 전력반도체가 바로 AlGaN/GaN HEMT입니다. 애초에 GaN이 핫한 이유가 wide bandgap 때문인데요. Si 기반의 IGBT 구조를 GaN으로 구현시키기 굉장히 힘든거는 맞는데, 그게 스위칭 소자랑 전력 소자의 차이점 때문에 그런게 아니라 device 구조가 다르기 때문인거죠. GaN HEMT는 lateral device인데 반해 igbt는 vertical device에 bipolar device라 기본적으로 높은 p 농도가 필요한데 GaN은 불가능하구요.
@@zhcm123GaN HEMT가 파워 소자 시장에서 650V 타겟으로 현재 시장 진출이 되고 있고, igbt는 650V~1200V까지 제품군이 나뉘어있어서 두 device 또한 당연히 비교 가능하구요. (물론 GaN HEMT가 좀 더 저전압 대역에서 각광받고있긴하지만)
시지트로닉스와 심 대표님의 발전을 기원합니다.
실리콘에서 GaN까지 미래를 보는 기술개발 노력에 감사드립니다.
제일 큰 특징은 스위칭 속도(고주파수). sic와 경쟁이라기보다는 시장이 다름. sic는 산업시장(전기차..) gan보다 5년 빠른 정도. gan은 차라리 si와 경쟁임 // 국내 ‘소자’를 하는 회사는 없다. 진입하려고 함. 국내 대기업에 들어가는 모듈은 외국 회사와 협력하여 개발… 12:04 스위칭스피드 빠른 장점 13:10 기술적 어려윰 16:39 전력반도체 50조라 하면, sic는 5조 정도 나머지는 si. 여기에 침투할 것. 17:13 침투 못하는 이유
질화 갈륨(Gallium nitride, GaN)은 갈륨의 질화물로, 청색 발광 다이오드(LED)의 재료로 사용되는 반도체이다. 최근에는 전력 반도체나 레이다 등에도 응용되고 있다.
RFHIC회사의 GaN도 있지 않나요?
RFHIC하고 어떤 차이가 있는지 궁금하네요
꼼꼼하게 좋은 인터뷰네요
GaN 웨이퍼 생산은 한국내에서 이뤄질 가능성이 있을까요? 예전에 삼성코닝이 했었는데여...
시지트로닉스는 잘 될겁니다.
GaN전력반도체
감사합니다
대표님 한국에서의 전력반도체 성공을 기원합니다.
코로나기간동안 전력반도체는 최대 성수기였던것으로 알고 있습니다.
많은 시설 장비 투자가 진행되었나 봅니다.
식자재마트에 파는 저가 제품 만두인데 포장해갈만한 맛이라니 ㅠ 다른음식은 맛있어보이네요
Good Job!!
흥미진진하네유 ㅎㅎㅎ 응원합니다!!
기술특례상장... 위험....위험... 상장된 업체 대부분 투자들에게 큰 손실을 끼치는 것이 대부분입니다. 성공하시기를 ...
우리나라를 넘어 세계를 선도할 회사로 거듭나세용~ 개화되기전까지 많이 힘든길이 될거 같네요
대기업이 중소기업 사냥하는 방법은 투자를 확대하라고 권유하고 재정 악화를 만들고
부도내어 어려울 때 삼킨다. 기술만 펀취하고 팽개친다. 조심하시기 바랍니다.
GaN 소자 잘 터짐. 빵빵 터져서 이 소자로 장비 적용 많이 들 포기함. GaN on SiC 와 GaN on Si 가 많이 다름. GaN on Si 는 스마트폰 충전기 정도에는 사용되고 있음.
대기업이 중소기업과 공존하면서 상생해야 하는데, 그냥 집어 삼키려고 한다.
정부가 중간 역활을 하여 문제를 해결해야 하는데, 관심없이 골치아픈 일을 피하는
관료들이 큰 문제점이다.
AlGaN소자의 실증은 언제쯤 시작 될지 궁금합니다
차차세대 전력반도체로 유망할텐데
이것으로 IGBT소자로 실용화가 되면 우리가 선도할수 있을텐데...
기대되네요
될리가 없져. 알갠은 스위칭 소자를 만드는데 가장 핫한 소재인데 igbt랑 비교 하시는게 맞는 소리인가요..igbt는 스위칭을 하긴 하지만 전력 소자로서 유명한거에요.. 스위칭소자랑 전력소자랑 혼동 하지 마시길 바래요
@@zhcm123 감사합니다
@@zhcm123GaN 전력반도체가 바로 AlGaN/GaN HEMT입니다. 애초에 GaN이 핫한 이유가 wide bandgap 때문인데요. Si 기반의 IGBT 구조를 GaN으로 구현시키기 굉장히 힘든거는 맞는데, 그게 스위칭 소자랑 전력 소자의 차이점 때문에 그런게 아니라 device 구조가 다르기 때문인거죠. GaN HEMT는 lateral device인데 반해 igbt는 vertical device에 bipolar device라 기본적으로 높은 p 농도가 필요한데 GaN은 불가능하구요.
@@zhcm123GaN HEMT가 파워 소자 시장에서 650V 타겟으로 현재 시장 진출이 되고 있고, igbt는 650V~1200V까지 제품군이 나뉘어있어서 두 device 또한 당연히 비교 가능하구요. (물론 GaN HEMT가 좀 더 저전압 대역에서 각광받고있긴하지만)
@@wiseconsluerer4635 너무 rough하게 이야기하시는데 제대로 찾아보고 작성해주세요.. 전력반도체에도 종류가 여러 개 있습니다.
DB하이텍 기대되네요
기술분야에서 교수와 경영자 겸직의 부정적 시각은 의미가 없을듯
RFHIC와 RF머티리얼즈가 앞서고 있음.
에이프로 가즈아
국내도 좀 있는데..
HBT/HEMT.... 3/5족 화합물 반도체는 수익성이 떨어지는 분야죠.
소자 말고 GaN 기판만 수율높게 만들어도 노다지 가능함 아무도 몬만듬 지금
갈륨을 찾아봐겠네?
만육천매?? ㅋㅋㅋㅋ 웃고 갑니다 단위 공정하는 것도 매수로 치면 말장난하자는 거죠?
실리콘 대신 질화갈륨으로 잉곳 만든다는거잖아! 모르는 사람이 들으면 대박 사건인줄 알것네. 벌써 몇년 전에 나온거아니냐?
GaN 웨이퍼를 잉곳으로 만드는 기술이 몇년전에 나왔다구요? 혹시 소개 가능할까요?
ㅋㅋ 벌써 선점하고 기업 영익 흑전하는 회사가 있다..여길왜기웃거림?
이걸 우리가 알필요가 있나??? 알아도 주가내려가고 몰라도 내려가는데??
ㅇㅈㅅ5
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흥 일생을 바처도 하나 세우기 힘든게 회사인데 교수겸직?